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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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東芝更小表貼面積的智能功率器件為設(shè)計(jì)釋放更多空間
電子產(chǎn)品更新?lián)Q代的速度與時(shí)俱進(jìn),在性能不斷提高的同時(shí),小型化也已成為不可逆轉(zhuǎn)的事實(shí)和趨勢。
2024-01-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT電源開關(guān) 2051 0
英飛凌選用漢高新型導(dǎo)熱膏——導(dǎo)熱性能更出色的TIM
功率半導(dǎo)體的功率密度日益提高,因此,必須早在其設(shè)計(jì)階段就將散熱管理功能集成到當(dāng)今的功率半導(dǎo)體中。只有這樣,它們才能確保實(shí)現(xiàn)長期的可靠散熱。其中一個(gè)技術(shù)瓶...
愛發(fā)科王禹:碳化硅功率器件制造工藝設(shè)備技術(shù)進(jìn)展
面向未來智能社會(huì)所需的信息通信,電力電子,自動(dòng)駕駛等領(lǐng)域,近年來第三代功率半導(dǎo)體材料(SiC,GaN等)具有更寬的禁帶寬度、更高的導(dǎo)熱率、更高的抗輻射能...
2023-09-28 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2045 0
功率器件市場演變及相關(guān)技術(shù)發(fā)展
如今,我們生活在一個(gè)由電氣化和自動(dòng)化驅(qū)動(dòng)的時(shí)代,特別注重減少污染和提高效率,電力電子市場正在朝著這些目標(biāo)發(fā)展。需要減少高 CO 2排放量以實(shí)現(xiàn)更清潔的環(huán)...
Microchip推出AgileSwitch數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包
Microchip分立器件事業(yè)部副總裁Leon Gross表示:“在為單片機(jī)和模擬產(chǎn)品提供全系統(tǒng)解決方案時(shí),我們聽取了開發(fā)人員的意見。現(xiàn)在,隨著SiC功...
最近在推進(jìn)寬帶隙 (WBG) 電力電子器件方面取得了顯著進(jìn)展,這主要是由于其與 Si 器件相比具有更高的開關(guān)頻率,以及它們因此能夠提高開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器...
2022-07-29 標(biāo)簽:半導(dǎo)體設(shè)計(jì)功率器件 2027 0
IR潘大偉:善用功率器件,為節(jié)能設(shè)計(jì)保駕護(hù)航
近年來,全社會(huì)追求低能耗風(fēng)潮愈演愈烈,其最終目的就在于最大限度減少電能損耗,實(shí)現(xiàn)變頻功能也需要功率器件發(fā)揮自身神奇作用。如何才能實(shí)現(xiàn)更高效的節(jié)能設(shè)計(jì)?
120億元,士蘭微投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目!
廈門市人民政府、廈門市海滄區(qū)人民政府與杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門共同簽署了《戰(zhàn)略合作框架協(xié)議》。
飛兆半導(dǎo)體MOSFET技術(shù)開發(fā)工程師Jaegil Lee先生表示,由于增加了便攜式設(shè)備的使用,在目前的電力系統(tǒng)中,對(duì)于電信網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)建設(shè)(3G / LTE...
2013-10-31 標(biāo)簽:飛兆半導(dǎo)體MOSFET電源管理 2014 0
據(jù)統(tǒng)計(jì),目前國內(nèi)以SiC、GaN為代表的第三代半導(dǎo)體主要制造商已達(dá)147家。
西安工程大學(xué)校長一行帶隊(duì)走進(jìn)芯派科技
5月7日,西安工程大學(xué)校長王海燕帶隊(duì)走進(jìn)芯派科技,開展“訪企拓崗促就業(yè)”專項(xiàng)活動(dòng),為學(xué)校2022屆畢業(yè)生拓展就業(yè)新領(lǐng)域,確保2022屆畢業(yè)生高質(zhì)量充分就業(yè)。
天狼芯的 SiC 產(chǎn)品尚未實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)
深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“天狼芯半導(dǎo)體”)宣布獲得數(shù)千萬人民幣 A 輪融資,由青島大有資本領(lǐng)投,創(chuàng)享投資跟投。資金將主要用于晶圓采購、產(chǎn)品生產(chǎn)...
南麟電子募資6.20億元進(jìn)行產(chǎn)品迭代升級(jí)和研發(fā)車用芯片
此次南嶺電子趕赴北交所上市,國金證券為其保駕護(hù)航,發(fā)行股票總數(shù)量不低于1800萬股,且不超過3600萬股,發(fā)行價(jià)不低于22元/股,募集6.20億元,用于...
IGBT及第三代半導(dǎo)體功率器件技術(shù)與應(yīng)用
IGBT技術(shù)在功率密度、工作頻率、損耗控制等方面不斷創(chuàng)新。新一代IGBT產(chǎn)品在提高開關(guān)速度、降低開關(guān)損耗、增強(qiáng)耐壓能力等方面取得了顯著進(jìn)展,提高了系統(tǒng)效...
科銳公司(Nasdaq: CREE)將繼續(xù)引領(lǐng)高效率電子電力模組變革,宣布推出業(yè)界首款符合全面認(rèn)證的可應(yīng)用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSF...
派恩杰SiC MOSFET批量“上車”,擬建車用SiC模塊封裝產(chǎn)線
自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車企紛紛加速SiC MOSFET在汽車上的應(yīng)用落地。
硅功率器件現(xiàn)正開始達(dá)到其性能改進(jìn)被抑制的階段,不可避免的結(jié)論是來自硅進(jìn)一步支持的技術(shù)演進(jìn)的能力逐漸減弱?,F(xiàn)在明確地需要實(shí)質(zhì)上的具有顛覆性的技術(shù)。
華潤微發(fā)布SiC MOSFET拓寬產(chǎn)品矩陣
據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,2019年全球碳化硅功率器件市場規(guī)模達(dá)5.6億美元,預(yù)計(jì)到2024年市場規(guī)模將會(huì)提升257%約20億美元,其中很大一部主要來自新...
300nm晶圓首次用于制造功率器件,英飛凌推出超結(jié)MOSFET
英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)(Super Junction)構(gòu)造的功率MOSFET“CoolM...
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