300nm晶圓首次用于制造功率器件，英飛凌推出超結(jié)MOSFET

　　英飛凌科技公司將“全球首次”使用口徑300mm的硅晶圓制造功率半導(dǎo)體。具體產(chǎn)品是有超結(jié)（Super Junction）構(gòu)造的功率MOSFET“CoolMOS系列產(chǎn)品”，由奧地利菲拉赫工廠(chǎng)生產(chǎn)。據(jù)介紹，該產(chǎn)品已于2013年2月接到了第一筆訂單。

　　英飛凌目前正在使用200mm晶圓制造功率MOSFET。換成300mm晶圓以后，一塊晶圓可生產(chǎn)的芯片數(shù)量將增至2.5倍。

　　在菲拉赫工廠(chǎng)，今后300mm技術(shù)將取代200mm成為核心技術(shù)。

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MOSFET(230966) MOSFET(230966)
晶圓(131886) 晶圓(131886)
功率器件(94771) 功率器件(94771)

評(píng)論

IR推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻（Rds（on）），全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計(jì)人員在多個(gè)MOSFET并聯(lián)使用時(shí)減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。

2013-01-22 13:27:21

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英飛凌計(jì)劃新建300毫米芯片工廠(chǎng) 穩(wěn)固長(zhǎng)期盈利性

德國(guó)慕尼黑和奧地利維也納訊——英飛凌科技股份公司準(zhǔn)備新建一座功率半導(dǎo)體工廠(chǎng)。作為功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌將通過(guò)此項(xiàng)投資，為其長(zhǎng)期盈利性增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。英飛凌將在奧地利菲拉赫現(xiàn)有生產(chǎn)基地附近，新建一座全自動(dòng)化芯片工廠(chǎng)，用于制造300毫米薄晶圓。

2018-05-21 10:10:38

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支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來(lái)越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。

2018-08-27 14:15:53

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晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí)

芯片制造主要分為5個(gè)階段：材料制備;晶體生長(zhǎng)或晶圓制備;晶圓制造和分揀;封裝;終測(cè)。

2022-12-12 09:24:03

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氮化鎵晶圓在劃切過(guò)程中如何避免崩邊

9月，英飛凌宣布成功開(kāi)發(fā)出全球首款12英寸（300mm）功率氮化鎵（GaN）晶圓。12英寸晶圓與8英寸晶圓相比，每片能多生產(chǎn)2.3倍數(shù)量的芯片，技術(shù)和效率顯著提升。這一突破將極大地推動(dòng)氮化鎵功率

2024-10-25 11:25:36

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晶圓級(jí)MOSFET的直接漏極設(shè)計(jì)

本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元，涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品，在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等終端設(shè)備功率密度需求攀升的當(dāng)下，其封裝技術(shù)正加速向晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝演進(jìn)——通過(guò)縮小體積、提升集成效率，滿(mǎn)足設(shè)備小型化與高性能的雙重需求。

2025-09-05 09:45:40

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晶圓產(chǎn)能緊張需求暴漲 MOSFET價(jià)格或飆升20%

近段時(shí)間，各大晶圓廠(chǎng)紛紛曬出自己的傲人財(cái)報(bào)，下游需求旺盛，晶圓產(chǎn)能緊張，讓臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)三大代工廠(chǎng)將8寸晶圓線(xiàn)代工價(jià)格紛紛調(diào)高10%-20%。而8寸晶圓的主要需求端為功率器件、電源管理IC、影像傳感器、指紋識(shí)別芯片和顯示驅(qū)動(dòng)IC等，MOSFET正是其中之一。

2020-08-26 06:24:00

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晶圓短缺東芝準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm晶圓制造廠(chǎng)

東芝官網(wǎng)顯示，3月10日，東芝發(fā)布功率器件業(yè)務(wù)重大投資消息，表示準(zhǔn)備開(kāi)工建設(shè)300mm晶圓制造廠(chǎng)。據(jù)其披露，東芝將在日本石川縣加賀東芝電子公司新建一條300mm晶圓生產(chǎn)線(xiàn)，以提高功率半導(dǎo)體生產(chǎn)能力，該生產(chǎn)線(xiàn)計(jì)劃于2023年上半年開(kāi)始量產(chǎn)。不過(guò)，東芝未在新聞稿中披露具體投資額。

2021-03-11 09:28:13

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英飛凌推出面向汽車(chē)應(yīng)用的新型 OptiMOS? 7 40V MOSFET系列，改進(jìn)導(dǎo)通電阻、提升開(kāi)關(guān)效率和設(shè)計(jì)魯棒性

最新一代面向汽車(chē)應(yīng)用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多種無(wú)引腳、堅(jiān)固的功率封裝。該系列產(chǎn)品采用了 300 毫米薄晶圓技術(shù)和創(chuàng)新的封裝，相比于其它采用微型封裝的器件，具有

2023-06-06 11:01:36

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英飛凌高壓超結(jié) MOSFET 系列產(chǎn)品新增工業(yè)級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)器件，用于靜態(tài)開(kāi)關(guān)應(yīng)用

，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)大其CoolMOS? S7 系列高壓超結(jié)（SJ）MOSFET 的產(chǎn)品陣容。該系列器件主要適用于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、太陽(yáng)能系統(tǒng)、電池保護(hù)、固態(tài)繼電器（SSR）、電機(jī)啟動(dòng)器和固態(tài)斷路器以及可編程邏輯控制器（PLC）

2023-07-28 15:05:30

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英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

2024年9月11日訊，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且

2024-09-12 11:03:26

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英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，國(guó)產(chǎn)器件同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)的情況要加劇了？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/吳子鵬）日前，英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。晶圓直徑為300mm，厚度20μm僅為頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先

2024-10-31 01:12:00

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150mm晶圓是過(guò)去式了嗎？

片150mm晶圓的消耗量，這里還未統(tǒng)計(jì)其他手機(jī)制造商對(duì)功率器件、其他平臺(tái)對(duì)光電子應(yīng)用的需求量。碳化硅（SiC）應(yīng)用持續(xù)升溫150mm晶圓的另一突出應(yīng)用領(lǐng)域是SiC功率MOSFET。如今，SiC功率

2019-05-12 23:04:07

193 nm ArF浸沒(méi)式光刻技術(shù)和EUV光刻技術(shù)

英特爾首座全自動(dòng)化300 mm晶圓高量產(chǎn)廠(chǎng)。45 nm芯片的即將量產(chǎn)意味著32 nm/22 nm工藝將提到議事日程上，英特爾將于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM與特許

2019-07-01 07:22:23

500V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:19:34

600V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

2023-09-15 06:19:23

650V N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET

SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高性能適配器等。

2023-09-15 08:16:02

8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)

小弟想知道8寸晶圓盒的制造工藝和檢驗(yàn)規(guī)范，還有不知道在大陸有誰(shuí)在生產(chǎn)？

2010-08-04 14:02:12

制造8英寸晶圓20周年

安森美半導(dǎo)體全球制造高級(jí)副總裁Mark Goranson最近訪(fǎng)問(wèn)了Mountain Top廠(chǎng)，其8英寸晶圓廠(chǎng)正慶祝制造8英寸晶圓20周年。1997年，Mountain Top點(diǎn)開(kāi)設(shè)了一個(gè)新建的8英寸功率

2018-10-25 08:57:58

功率MOSFET數(shù)據(jù)表解析

功率MOSFET數(shù)據(jù)表包含器件特性、額定值和性能詳細(xì)信息，這對(duì)應(yīng)用中MOSFET的選用至關(guān)重要。雖然每一應(yīng)用都是獨(dú)一無(wú)二的，MOSFET數(shù)據(jù)表可提供有用的信息用于初始功率損失的計(jì)算，并提供器件性能

2018-10-18 09:13:03

晶圓制造工藝流程完整版

`晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial

2011-12-01 15:43:10

晶圓制造工藝的流程是什么樣的？

圓比人造鉆石便宜多了，感覺(jué)還是很劃算的。硅的純化I——通過(guò)化學(xué)反應(yīng)將冶金級(jí)硅提純以生成三氯硅烷硅的純化II——利用西門(mén)子方法，通過(guò)三氯硅烷和氫氣反應(yīng)來(lái)生產(chǎn)電子級(jí)硅二、制造晶棒晶體硅經(jīng)過(guò)高溫成型，采用

2019-09-17 09:05:06

晶圓制造流程簡(jiǎn)要分析

`微晶片制造的四大基本階段：晶圓制造（材料準(zhǔn)備、長(zhǎng)晶與制備晶圓）、積體電路制作，以及封裝。晶圓制造過(guò)程簡(jiǎn)要分析[hide][/hide]`

2011-12-01 13:40:36

晶圓制造資料分享

晶圓制造的基礎(chǔ)知識(shí)，適合入門(mén)。

2014-06-11 19:26:35

晶圓凸起封裝工藝技術(shù)簡(jiǎn)介

時(shí)間長(zhǎng)，因此不適合I/O引腳多的封裝件。另一種技術(shù)是先置放焊球，再對(duì)預(yù)成形的焊球進(jìn)行回流焊處理，這種技術(shù)適用于引腳數(shù)多達(dá)300的封裝件。目前用得最多的兩種晶圓凸起工藝是電解或化學(xué)電鍍焊料，以及使用高精度壓印平臺(tái)

2011-12-01 14:33:02

晶圓封裝有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

圖為一種典型的晶圓級(jí)封裝結(jié)構(gòu)示意圖。晶圓上的器件通過(guò)晶圓鍵合一次完成封裝，故而可以有效減小封裝過(guò)程中對(duì)器件造成的損壞?！　　　D1 晶圓級(jí)封裝工藝過(guò)程示意圖　　1 晶圓封裝的優(yōu)點(diǎn)　　1）封裝加工

2021-02-23 16:35:18

晶圓生產(chǎn)制造

本人想了解下晶圓制造會(huì)用到哪些生產(chǎn)輔材或生產(chǎn)耗材

2017-08-24 20:40:10

晶圓的制造過(guò)程是怎樣的？

2021-06-18 07:55:24

晶圓的結(jié)構(gòu)是什么樣的？

測(cè)試晶格:指晶圓表面具有電路元件及特殊裝置的晶格，在晶圓制造期間，這些測(cè)試晶格需要通過(guò)電流測(cè)試，才能被切割下來(lái)　　4 邊緣晶格：晶圓制造完成后，其邊緣會(huì)產(chǎn)生部分尺寸不完整的晶格，此即為邊緣晶格，這些

2011-12-01 15:30:07

晶圓級(jí)封裝的方法是什么？

晶圓級(jí)封裝技術(shù)源自于倒裝芯片。晶圓級(jí)封裝的開(kāi)發(fā)主要是由集成器件制造廠(chǎng)家（IBM）率先啟動(dòng)。1964年，美國(guó)IBM公司在其M360計(jì)算器中最先采用了FCOB焊料凸點(diǎn)倒裝芯片器件。

2020-03-06 09:02:23

晶圓表面各部分的名稱(chēng)

（Engineering die，test die）：這些芯片與正式器件（或稱(chēng)電路芯片）不同。它包括特殊的器件和電路模塊用于對(duì)晶圓生產(chǎn)工藝的電性測(cè)試。（4）邊緣芯片（Edge die）：在晶圓的邊緣上的一些掩膜殘缺不全

2020-02-18 13:21:38

晶元回收植球ic回收晶圓回收

,、WAFER承載料盒、晶圓提籃,芯片盒,晶圓包裝盒,晶圓包裝,晶圓切片,晶圓生產(chǎn)，晶圓制造，晶圓清洗，晶圓測(cè)試，晶圓切割，晶圓代工，晶圓銷(xiāo)售，晶圓片測(cè)試，晶圓運(yùn)輸用包裝盒，晶圓切割,防靜電IC托盤(pán)(IC

2020-07-10 19:52:04

英飛凌40V和60V MOSFET

，從而在不改變封裝體積的情況下提高輸出功率。另一個(gè)普遍的希望是，能夠最終避免采用插件封裝的器件（比如TO220、TO247）。阻斷電壓為40V和60V的最新一代英飛凌MOSFET，如今可滿(mǎn)足設(shè)計(jì)工

2018-12-06 09:46:29

英飛凌700瓦L波段射頻功率晶體管

　　導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達(dá)系統(tǒng)。這種新型器件可通過(guò)減少

2018-11-29 11:38:26

IR推出系列新型HEXFET功率MOSFET

`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【關(guān)鍵詞】：功率損耗,導(dǎo)通電

2010-05-06 08:55:20

OptiMOS 3功率MOSFET系列產(chǎn)品為高能效產(chǎn)品提供更高性能

的MOSFET設(shè)計(jì)，就無(wú)法做到這一點(diǎn)。2006年，英飛凌為了滿(mǎn)足客戶(hù)的要求，推出了OptiMOS? 2 100 V MOSFET[1]。它是該電壓等級(jí)里采用電荷補(bǔ)償技術(shù)的第一個(gè)功率MOSFE器件。相對(duì)于傳統(tǒng)

2018-12-07 10:21:41

SiC MOSFET的器件演變與技術(shù)優(yōu)勢(shì)

給最終客戶(hù)。此外，與100毫米晶圓相比，150毫米晶圓上的制造產(chǎn)生的器件數(shù)量增加了一倍以上，這極大地影響了每個(gè)裸片的成本。價(jià)格的一些跡象如圖7所示，基于Digi-Key商用SiC MOSFET的調(diào)查

2023-02-27 13:48:12

ti推出可在單一器件內(nèi)提供光功率計(jì)功能的光數(shù)字傳感器opt3002

300nm 和 1000nm 之間。憑借內(nèi)置的滿(mǎn)量程設(shè)置功能，無(wú)需手動(dòng)選擇滿(mǎn)量程范圍即可在 1.2nW/cm2 至 10mW/cm2 范圍內(nèi)進(jìn)行測(cè)量。該功能允許在 23 位有效動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行光測(cè)量。測(cè)量結(jié)果

2016-08-30 21:30:24

什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？

納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？

2021-06-08 07:06:42

什么是晶圓測(cè)試？怎樣進(jìn)行晶圓測(cè)試？

的晶粒時(shí)，標(biāo)有記號(hào)的不合格晶粒會(huì)被洮汰，不再進(jìn)行下一個(gè)制程，以免徒增制造成本。在晶圓制造完成之后，晶圓測(cè)試是一步非常重要的測(cè)試。這步測(cè)試是晶圓生產(chǎn)過(guò)程的成績(jī)單。在測(cè)試過(guò)程中，每一個(gè)芯片的電性能力和電路

2011-12-01 13:54:00

單晶的晶圓制造步驟是什么？

2021-06-08 06:58:26

單片機(jī)晶圓制造工藝及設(shè)備詳解

今日分享晶圓制造過(guò)程中的工藝及運(yùn)用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過(guò)程中有幾大重要的步驟：氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴(kuò)散等。這幾個(gè)主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備，滿(mǎn)足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛

2018-10-15 15:11:22

如何為電源用高壓超結(jié)MOSFET增加晶圓級(jí)可配置性？

時(shí)，考慮了激光調(diào)整，以防止激光熱量的注入影響整個(gè)晶體管的工作。應(yīng)用混合信號(hào)制造技術(shù)而不影響可制造性成本?？偨Y(jié)在批量生產(chǎn)中使用激光修整已經(jīng)進(jìn)行了多年。在高壓超結(jié)功率MOSFET的情況下，采用這種制造技術(shù)是獨(dú)特且開(kāi)創(chuàng)性的。它不僅為設(shè)計(jì)人員追求電路優(yōu)化開(kāi)辟了許多新方法，而且這種微調(diào)選項(xiàng)可用于大批量生產(chǎn)。

2023-02-27 10:02:15

如何去測(cè)量功率器件的結(jié)溫？

測(cè)量和校核開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過(guò)程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：

2021-03-11 07:53:26

揭秘切割晶圓過(guò)程——晶圓就是這樣切割而成

過(guò)處理之后成為光罩這些就是最后完成的晶圓成品接下來(lái)看晶圓切割形成成品之后的晶圓還要經(jīng)過(guò)切割才能成為應(yīng)用于芯片制造。這里演示的就是晶圓切割放大觀看接下來(lái)是演示經(jīng)過(guò)切割的晶圓的一些應(yīng)用。可以應(yīng)用于芯片制造、液晶顯示屏制造或者手機(jī)芯片制造等。 ``

2011-12-01 15:02:42

測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用的方法

測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法

2021-03-17 07:00:20

激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝

激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝      激光加工為無(wú)接觸加工，激光能量通過(guò)聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片

2010-01-13 17:01:57

硅晶圓是什么？硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？

`什么是硅晶圓呢，硅晶圓就是指硅半導(dǎo)體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。硅晶圓和晶圓有區(qū)別嗎？其實(shí)二者是一個(gè)概念。集成電路（IC）是指在一半導(dǎo)體基板上，利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法

2011-12-02 14:30:44

蘇州天弘激光推出新一代激光晶圓劃片機(jī)

;   2010年1月3日，蘇州天弘激光股份有限公司推出了新一代激光晶圓劃片機(jī)，該激光劃片機(jī)應(yīng)用于硅晶圓、玻璃披覆（玻鈍）二極管等半導(dǎo)體晶圓的劃片和切割，技術(shù)領(lǐng)先于國(guó)內(nèi)

2010-01-13 17:18:57

解析LED晶圓激光刻劃技術(shù)

及LED器件，這樣就很大程度上降低了LED晶圓的產(chǎn)出效率。激光加工是非接觸式加工，作為傳統(tǒng)機(jī)械鋸片切割的替代工藝，激光劃片切口非常小，聚焦后的激光微細(xì)光斑作用的晶圓表面迅速氣化材料，在LED有源區(qū)之間制造

2011-12-01 11:48:46

超級(jí)結(jié)MOSFET

，Si-MOSFET在這個(gè)比較中，導(dǎo)通電阻與耐壓略遜于IGBT和SiC-MOSFET，但在低～中功率條件下，高速工作表現(xiàn)更佳。平面MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFETSi-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面

2018-11-28 14:28:53

超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

等級(jí)，同時(shí)，在器件導(dǎo)通時(shí)，形成一個(gè)高摻雜N+區(qū)，作為功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)的電流通路，也就是將反向阻斷電壓與導(dǎo)通電阻功能分開(kāi)，分別設(shè)計(jì)在不同的區(qū)域，就可以實(shí)現(xiàn)上述的要求?；诔?b class="flag-6" style="color: red">結(jié)

2018-10-17 16:43:26

超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響

超結(jié)理論的產(chǎn)生與發(fā)展及其對(duì)高壓MOSFET器件設(shè)計(jì)的影響:對(duì)超結(jié)理論的產(chǎn)生背景及其發(fā)展過(guò)程進(jìn)行了介紹。以應(yīng)用超結(jié)理論的COOLMOSTM 器件為例，介紹了超結(jié)器件的工作原理、存在的缺

2009-12-13 19:57:27

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)：300mm晶圓已經(jīng)占據(jù)統(tǒng)治地位

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)：300mm晶圓已經(jīng)占據(jù)統(tǒng)治地位據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（SIA）表示，300mm晶圓的產(chǎn)能和實(shí)際產(chǎn)量首次排名第一，占芯片總產(chǎn)能的44%、芯片實(shí)際總產(chǎn)量的47%。SIA引用了W

2008-09-05 10:54:42

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英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn)

英飛凌欲借新一代超結(jié)MOSFET樹(shù)立硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用基準(zhǔn) 英飛凌日前在深圳宣布推出下一代600V MOSFET產(chǎn)品―― CoolMOS C6系列。600V C6系列融合了C3和CP兩個(gè)產(chǎn)品系列的優(yōu)勢(shì)，可降低設(shè)

2009-06-23 21:17:44

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英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件

英飛凌推出適用于節(jié)能家電的創(chuàng)新功率轉(zhuǎn)換器件 英飛凌科技股份公司近日推出適用于節(jié)能家用電器電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置的功率轉(zhuǎn)換器件系列。全新的600V RC IGBT驅(qū)動(dòng)系列（RC指

2010-01-25 08:44:19

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#2022慕尼黑華南電子展 #晶圓測(cè)試 #晶圓制造過(guò)程 #SSD開(kāi)卡

晶圓晶圓制造

艾迪科電子發(fā)布于 2022-11-18 13:31:37

英飛凌以300mm薄晶圓產(chǎn)出首款功率半導(dǎo)體晶片

英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據(jù)點(diǎn)生產(chǎn)出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導(dǎo)體晶片(first silicon)，成為全球首家進(jìn)一步成功采用此技術(shù)的公司。采用300mm薄晶圓

2011-10-14 09:51:43

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英飛凌科技推出汽車(chē)封裝無(wú)鉛功率MOSFET

英飛凌科技股份公司(FSE：IFX / OTCQX：IFNNY)宣布推出汽車(chē)封裝類(lèi)型的合格100%無(wú)鉛功率MOSFET

2011-12-08 10:42:45

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半導(dǎo)體功率器件MOSFET持續(xù)大漲上游硅晶圓等原料持續(xù)走高

功率半導(dǎo)體行情回暖，MOSFET供不應(yīng)求加劇，交期不斷拉長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)外MOSFET企業(yè)紛紛調(diào)漲，目前整體漲勢(shì)仍然未見(jiàn)緩和。由于汽車(chē)電子等新增需求持續(xù)爆發(fā)，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈出現(xiàn)缺貨，上游硅晶圓等原料持續(xù)走高。

2018-04-10 17:34:00

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淺談晶圓制造工藝過(guò)程

晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測(cè)工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（Initial Test and Final Test）等幾個(gè)步驟。

2018-04-16 11:27:00

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英飛凌將在奧地利新建一座全自動(dòng)化芯片工廠(chǎng) 用于制造300毫米薄晶圓

，用于制造300毫米薄晶圓。奧地利***Sebastian Kurz、英飛凌首席執(zhí)行官Reinhard Ploss博士和英飛凌奧地利首席執(zhí)行官Sabine Herlitschka博士在維也納共同為該項(xiàng)

2018-05-21 17:18:00

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晶圓制造流程

本文首先介紹了什么是晶圓，其次詳細(xì)的闡述了晶圓制造的14個(gè)步驟流程。

2018-08-21 17:12:46

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改善薄晶圓制造中的檢測(cè)挑戰(zhàn)

后應(yīng)避免暗視野檢測(cè)。隨著汽車(chē)電子市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)，受半自動(dòng)和全自動(dòng)汽車(chē)研發(fā)的推動(dòng)，具先進(jìn)轉(zhuǎn)換方案的功率半導(dǎo)體元件需求持續(xù)增長(zhǎng)，可降低功耗并有助于散熱。為了滿(mǎn)足以上需求，功率半導(dǎo)體制造商正將目標(biāo)轉(zhuǎn)向生產(chǎn)薄晶圓。

2019-03-12 09:26:00

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簡(jiǎn)述晶圓制造工藝流程和原理

晶圓的制造在半導(dǎo)體領(lǐng)域，科技含量相當(dāng)?shù)母?，技術(shù)工藝要求非常高。而我們國(guó)半導(dǎo)體事業(yè)起步較晚，在晶圓的制造上還處于建設(shè)發(fā)展階段?，F(xiàn)在我國(guó)主要做的是晶圓的封測(cè)。我國(guó)的晶圓封測(cè)規(guī)模和市場(chǎng)都是全球首屈一指的，約占全球約1/4。

2019-08-12 14:13:00

48167

臺(tái)積電5nm晶圓價(jià)格對(duì)比7nm漲幅超80%

12nm技術(shù)制造的300mm晶片的價(jià)格為3,984美元。當(dāng)然，因?yàn)榫w管密度大增，同是300mm（12寸）晶圓能切割出來(lái)的芯片增多

2020-10-10 17:57:07

4645

Imec將在300mm晶圓上制造雙金屬層的半鑲嵌模組?

Imec首次使用「釕」進(jìn)行金屬化，并在300mm晶圓上制造并特性化了雙金屬層的半鑲嵌模組。在30納米金屬間距線(xiàn)的測(cè)試結(jié)構(gòu)顯示，有超過(guò)80％以上的可重復(fù)性（無(wú)短路跡象），且使用壽命超過(guò)10年。同時(shí)釕的氣隙結(jié)構(gòu)的物理穩(wěn)定性可與傳統(tǒng)的銅雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)相比。

2020-10-12 15:47:45

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中國(guó)功率MOSFET主要供應(yīng)商的排名

2020年受到疫情影響，8寸晶圓外延片延期交貨，產(chǎn)能緊缺，而下游需求旺盛，近期8寸晶圓線(xiàn)代工廠(chǎng)紛紛上調(diào)價(jià)格。功率MOSFET生產(chǎn)主要使用8寸晶圓，由于受到產(chǎn)能的限制，2020年功率器件的市場(chǎng)供給仍然

2020-11-05 10:44:39

16465

功率器件結(jié)溫和殼頂溫度有什么區(qū)別

2020-11-23 14:53:00

法國(guó)Aledia試線(xiàn)實(shí)現(xiàn)300mm硅晶圓microLED芯片的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)

率先推出了具有突破性意義的microLED顯示技術(shù)，并宣布已制造出全球首批300mm（12英寸）硅晶圓microLED芯片。 ? ? ? ? Aledia在過(guò)去八年里一直采用200mm（8英寸）硅晶圓

2020-12-23 10:40:47

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英飛凌300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體高科技工廠(chǎng)正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)

英飛凌科技股份公司今日宣布，其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導(dǎo)體芯片工廠(chǎng)正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)。

2021-09-17 17:37:27

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華虹半導(dǎo)體成為全球功率器件晶圓制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者

槽超級(jí)結(jié)）MOSFET技術(shù)領(lǐng)域超過(guò)十年的持續(xù)研發(fā)投入和深厚技術(shù)積累，并受益于消費(fèi)電子、通訊、新能源基礎(chǔ)設(shè)施及電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)等領(lǐng)域長(zhǎng)期穩(wěn)定的增長(zhǎng)，公司DT-SJ工藝平臺(tái)累計(jì)出貨量已突破100萬(wàn)片晶圓！

2021-12-21 14:46:10

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英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱(chēng)SD）功率MOSFET，為解決終端應(yīng)用中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)提供切實(shí)可行的解決方案。

2022-02-15 13:51:38

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英飛凌IPOSIM平臺(tái)推出功率器件使用壽命評(píng)估服務(wù)，以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體器件選型

英飛凌科技股份公司的功率器件在線(xiàn)仿真平臺(tái)IPOSIM被廣泛應(yīng)用于計(jì)算功率模塊、分立器件和平板器件的損耗及熱性能。

2022-03-22 16:51:05

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用于高壓GaN器件的GaN Epi晶圓制造

氮化鎵已成為事實(shí)上的第三代半導(dǎo)體材料。然而，以您需要的質(zhì)量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠(chǎng)仍在努力克服的挑戰(zhàn)。

2022-07-29 15:26:05

1596

傳統(tǒng)功率MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別

超級(jí)結(jié)又稱(chēng)超結(jié)，是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù)，其名稱(chēng)最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗盡區(qū)的耐壓決定，又因p型體區(qū)摻雜濃度較高，耗盡區(qū)承壓主要在外延n-層。

2022-09-13 14:38:57

9199

晶圓制造與芯片制造的區(qū)別

晶圓制造和芯片制造是半導(dǎo)體行業(yè)中兩個(gè)非常重要的環(huán)節(jié)，它們雖然緊密相連，但是卻有一些不同之處。下面我們來(lái)詳細(xì)介紹晶圓制造和芯片制造的區(qū)別。

2023-06-03 09:30:44

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SiC MOSFET的設(shè)計(jì)和制造

首先，是一張制造測(cè)試完成了的SiC MOSFET的晶圓(wafer)。

2023-08-06 10:49:07

2957

首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線(xiàn)

2023年8月1日，九峰山實(shí)驗(yàn)室6寸碳化硅（SiC）中試線(xiàn)全面通線(xiàn)，首批溝槽型MOSFET器件晶圓下線(xiàn)。實(shí)驗(yàn)室已具備碳化硅外延、工藝流程、測(cè)試等全流程技術(shù)服務(wù)能力。

2023-08-11 17:00:54

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上海微系統(tǒng)所在300mm RF-SOI晶圓制造技術(shù)方面實(shí)現(xiàn)突破

近日，上海微系統(tǒng)所魏星研究員團(tuán)隊(duì)在300mm SOI晶圓制造技術(shù)方面取得突破性進(jìn)展，制備出了國(guó)內(nèi)第一片300mm 射頻（RF）SOI晶圓。

2023-10-23 09:16:45

2111

英飛凌推出首款采用OptiMOS 7技術(shù)的15 V溝槽功率MOSFET

英飛凌推出業(yè)內(nèi)首款采用全新 OptiMOS 7 技術(shù)的 15 V 溝槽功率 MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)經(jīng)過(guò)系統(tǒng)和應(yīng)用優(yōu)化，主要應(yīng)用于服務(wù)器和計(jì)算應(yīng)用中的低輸出電壓 DC-DC 轉(zhuǎn)換。英飛凌是首家推出15

2023-12-29 12:30:49

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英飛凌與Wolfspeed擴(kuò)大并延長(zhǎng)晶圓供應(yīng)協(xié)議

英飛凌科技（Infineon Technologies）與美國(guó)半導(dǎo)體制造商Wolfspeed近日宣布，雙方將擴(kuò)大并延長(zhǎng)現(xiàn)有的晶圓供應(yīng)協(xié)議。這一協(xié)議的擴(kuò)展將進(jìn)一步加強(qiáng)英飛凌與Wolfspeed之間的合作關(guān)系，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)碳化硅（SiC）晶圓產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求。

2024-01-24 17:19:52

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東芝300mm晶圓功率半導(dǎo)體工廠(chǎng)竣工，產(chǎn)能將增至去年的2.5倍

5 月 24 日，日本東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置部于官網(wǎng)上發(fā)文稱(chēng)，其 300mm 晶圓功率半導(dǎo)體制造廠(chǎng)與辦公室已于日前正式完工。

2024-05-24 16:52:19

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東芝宣布其300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠(chǎng)和辦公樓竣工

近日，東芝電子器件與存儲(chǔ)株式會(huì)社（下簡(jiǎn)稱(chēng)“東芝”）宣布其300mm晶圓功率半導(dǎo)體制造工廠(chǎng)和辦公樓竣工。目前將繼續(xù)進(jìn)行設(shè)備安裝，計(jì)劃在2024財(cái)年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。

2024-05-29 18:05:57

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英飛凌推出600V CoolMOS 8 SJ MOSFET系列

英飛凌再次引領(lǐng)行業(yè)潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新和卓越性?xún)r(jià)比，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的新標(biāo)桿。作為英飛凌新一代硅基

2024-09-03 14:50:45

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英飛凌率先開(kāi)發(fā)全球首項(xiàng)300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動(dòng)行業(yè)變革

科技股份公司今天宣布，已成功開(kāi)發(fā)出全球首項(xiàng)300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項(xiàng)

2024-09-13 08:04:20

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英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓

在半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，英飛凌再次取得了新的里程碑。近日，該公司宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓，這一突破性進(jìn)展展示了英飛凌在半導(dǎo)體材料處理方面的卓越實(shí)力。

2024-10-30 18:02:39

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英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術(shù)極限并提高能效

已獲認(rèn)可并向客戶(hù)發(fā)布。繼宣布推出全球首款300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓和在馬來(lái)西亞居林建成全球最大的200mm碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠(chǎng)之后，英飛凌

2024-10-31 08:04:38

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晶圓制造及直拉法知識(shí)介紹

晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過(guò)90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競(jìng)爭(zhēng)力。今天我們將詳細(xì)介紹

2025-01-09 09:59:26

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