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      標(biāo)簽　>　功率MOSFET

      功率MOSFET

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      功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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      功率MOSFET簡(jiǎn)介

      　　功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

      　　工作原理

      　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。

      　　導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開(kāi)，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

      　　當(dāng)UGS大于UT（開(kāi)啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

      功率MOSFET百科

      　　功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

      　　工作原理

      　　截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與N漂移區(qū)之間形成的PN結(jié)J1反偏，漏源極之間無(wú)電流流過(guò)。

      　　導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓UGS，柵極是絕緣的，所以不會(huì)有柵極電流流過(guò)。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開(kāi)，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面

      　　當(dāng)UGS大于UT（開(kāi)啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過(guò)空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。

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      功率mosfet知識(shí)

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      功率mosfet技術(shù)

      AOS新一代電源設(shè)計(jì)：基于FRD MOSFET的高效、高可靠設(shè)計(jì)解決方案

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      功率mosfet資料下載

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      功率mosfet資訊

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        羅德與施瓦茨
        +關(guān)注
        羅德與施瓦茨公司于1985年起在北京正式開(kāi)展技術(shù)服務(wù)并設(shè)立了第一家代表處，是在中國(guó)最早設(shè)立代表機(jī)構(gòu)的100家外資企業(yè)之一。目前還設(shè)有中國(guó)培訓(xùn)中心、研發(fā)中心、校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室、開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室等。2002年在北京設(shè)立了獨(dú)資子公司—北京羅博施通信技術(shù)有限公司，提供系統(tǒng)集成與開(kāi)發(fā)、維修與校準(zhǔn)、技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等一系列全方位的技術(shù)服務(wù)，獲得了ISO9001:2008國(guó)際質(zhì)量認(rèn)證體系的認(rèn)證。
      • All Programmable
        All Programmable
        +關(guān)注
        　　隨著Vivado 設(shè)計(jì)套件通用版本的發(fā)布，賽靈思還針對(duì)All Programmable 7系列 FPGA和Zynq？-7000 EPP SoC器件推出Vivado高層次綜合（HLS）工具，繼續(xù)延續(xù)其在電子系統(tǒng)級(jí)（ESL）設(shè)計(jì)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
      • ASML
        ASML
        +關(guān)注
      • 通信芯片
        通信芯片
        +關(guān)注
        據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）日前發(fā)布的一份預(yù)測(cè)報(bào)告顯示，世界半導(dǎo)體市場(chǎng)未來(lái)三年將保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)，這份報(bào)告還表明，全球半導(dǎo)體業(yè)之所以能夠復(fù)蘇，通信產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展功不可沒(méi)，近年來(lái)通信集成電路IC芯片的需求大幅度增長(zhǎng)，給全球半導(dǎo)體業(yè)注入了新的活力。
      • 半導(dǎo)體行業(yè)
        半導(dǎo)體行業(yè)
        +關(guān)注
        　　半導(dǎo)體行業(yè)隸屬電子信息產(chǎn)業(yè)，屬于硬件產(chǎn)業(yè)，以半導(dǎo)體為基礎(chǔ)而發(fā)展起來(lái)的一個(gè)產(chǎn)業(yè)。
      • 前沿技術(shù)
        前沿技術(shù)
        +關(guān)注
        前沿技術(shù)是指高技術(shù)領(lǐng)域中具有前瞻性、先導(dǎo)性和探索性的重大技術(shù)，是未來(lái)高技術(shù)更新?lián)Q代和新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)，是國(guó)家高技術(shù)創(chuàng)新能力的綜合體現(xiàn)。
      • SK海力士
        SK海力士
        +關(guān)注
      • 可再生能源
        可再生能源
        +關(guān)注
      • GlobalFoundries
        GlobalFoundries
        +關(guān)注
        格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司由AMD拆分而來(lái)、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。
      • 華虹半導(dǎo)體
        華虹半導(dǎo)體
        +關(guān)注
        華虹集團(tuán)在建設(shè)運(yùn)營(yíng)我國(guó)第一條深亞微米超大規(guī)模8英寸集成電路生產(chǎn)線的同時(shí)，逐步發(fā)展成 為以芯片制造業(yè)務(wù)為核心，集成電路系統(tǒng)集成和應(yīng)用服務(wù)、芯片制造工藝研發(fā)、電子元 器件貿(mào)易、海內(nèi)外風(fēng)險(xiǎn)投資等業(yè)務(wù)平臺(tái)共同發(fā)展的集成電路產(chǎn)業(yè)集團(tuán)。
      • Siri
        Siri
        +關(guān)注
        Siri是蘋(píng)果公司在其產(chǎn)品iPhone4S，iPad 3及以上版本手機(jī)和Mac上應(yīng)用的一項(xiàng)智能語(yǔ)音控制功能。
      • WiFi芯片
        WiFi芯片
        +關(guān)注
        wifi是當(dāng)今使用最廣的一種無(wú)線網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)，實(shí)際上就是把有線網(wǎng)絡(luò)信號(hào)轉(zhuǎn)換成無(wú)線信號(hào)，供支持其技術(shù)的設(shè)備接收。
      • 基帶芯片
        基帶芯片
        +關(guān)注
        基帶芯片是指用來(lái)合成即將發(fā)射的基帶信號(hào)，或?qū)邮盏降幕鶐盘?hào)進(jìn)行解碼的芯片。具體地說(shuō)，就是發(fā)射時(shí)，把語(yǔ)音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)編碼成用來(lái)發(fā)射的基帶碼；接收時(shí)，把收到的基帶碼解碼為語(yǔ)音或其他數(shù)據(jù)信號(hào)，它主要完成通信終端的信息處理功能。
      • 世強(qiáng)
        世強(qiáng)
        +關(guān)注
      • MRAM
        MRAM
        +關(guān)注
        MRAM（Magnetoresistive Random Access Memory） 是一種非易失性（Non-Volatile）的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
      • 任正非
        任正非
        +關(guān)注
        任正非是華為技術(shù)有限公司主要?jiǎng)?chuàng)始人、總裁。
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