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標(biāo)簽 > 導(dǎo)通電阻
導(dǎo)通電阻是指二極管導(dǎo)通后兩端電壓與導(dǎo)通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
理想的PN結(jié)在正向?qū)ê髴?yīng)該是沒有電阻的,而實(shí)際的PN結(jié)比如二極管受材料、工藝的影響,在導(dǎo)通時(shí)實(shí)際上兩端還有一個(gè)電阻,這個(gè)電阻一般在幾歐到幾十歐之間,被稱為導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻可由二極管;兩端電壓和導(dǎo)通電流求得。
TPS22925 具有輸出放電的 3.6V、3A、9.2mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22925 產(chǎn)品系列由四個(gè)器件組成:TPS22925B、TPS22925BN、TPS22925C、 和 TPS22925CN。每個(gè)器件都是一個(gè)具有...
TPS22990 5.5V、10A、3.9mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間、電源正常和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22990 產(chǎn)品系列由兩個(gè)器件組成:TPS22990 和 TPS22990N。每個(gè)器件都是一個(gè) 3.9mΩ 單通道負(fù)載開關(guān),具有受控和可調(diào)導(dǎo)通功能...
TPS22976 2 通道、5.7V、6A、14mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可選輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22976 產(chǎn)品系列由三個(gè)器件組成:TPS22976、TPS22976A 和 TPS22976N。每個(gè)器件都是一個(gè)具有受控導(dǎo)通功能的雙通道負(fù)載開關(guān)...
TPS22916 具有輸出放電的 5.5V、2A、60mΩ、10nA 漏電流負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS22916xx 是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電壓...
2025-05-10 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 111 0
TPS22917 5.5V、2A、80mΩ、10nA 漏負(fù)載開關(guān)可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22917x 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),使用低泄漏 P 溝道 MOSFET,可實(shí)現(xiàn)最小的功率損耗。先進(jìn)的柵極控制設(shè)計(jì)支持低至 1 V 的工作電...
TPS22810-Q1 汽車類 1 通道、18V、2A、79mΩ 負(fù)載開關(guān),具有可調(diào)上升時(shí)間和可調(diào)輸出放電數(shù)據(jù)手冊
TPS22810-Q1 是一款單通道負(fù)載開關(guān),具有可配置的上升時(shí)間和集成的快速輸出放電 (QOD)。該器件具有熱關(guān)斷功能,可保護(hù)器件免受高結(jié)溫的影響,從...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 131 0
TPS272C45 具有可調(diào)電流限制的 36V、45mΩ、3A、2 通道、工業(yè)高側(cè)開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS272C45 是一款雙通道智能高邊開關(guān),旨在滿足工業(yè)控制系統(tǒng)的要求。低導(dǎo)通電阻 (R DS(on) 為 45 mΩ)可最大限度地降低器件功耗,從而...
TPS7H2221-SEP 耐輻射 1.6V 至 5.5V 輸入 1.25A 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊
TPS7H2221-SEP 器件是一款小型單通道負(fù)載開關(guān),具有受控的轉(zhuǎn)換速率。該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET,可在 1.6 V 至 5.5 V ...
2025-05-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān) 96 0
AW2K21是一款同時(shí)實(shí)現(xiàn)了超小型封裝和超低導(dǎo)通電阻的30V耐壓Nch MOSFET。利用可共享2枚MOSFET電路源極的共源電路,不僅能以一體化封裝實(shí)...
CSD17581Q3A 30V、N 通道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊
這款 30V、3.2mΩ、SON 3.3mm × 3.3mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換損耗 應(yīng)用。 *附件:CSD...
5.7V、5A、14mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2295x數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V,15A,4.4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22959數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V,10A,4.4mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22962數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 3.9mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22990數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V、4A、14mΩ 導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開關(guān)TPS22996數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-07 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
具有可調(diào)上升時(shí)間的5.5V、3.8A、18mΩ導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS22995數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-03 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
具有受控接通功能的超小型、低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)TPS2291xx數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-02 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V、3A、19mΩ 導(dǎo)通電阻汽車類負(fù)載開關(guān)TPS22995H-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-04-01 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V、4A、16mΩ 導(dǎo)通電阻汽車負(fù)載開關(guān)TPS22965x-Q1數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-28 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
5.5V、10A、導(dǎo)通電阻為 4mΩ 的負(fù)載開關(guān)TPS22998數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-03-27 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)
【KUU重磅發(fā)布】2款100V耐壓雙MOSFET以5mm×6mm和3mm×3mm尺寸及超低導(dǎo)通電阻,助力通信基站高效節(jié)能
隨著通信基站和工業(yè)設(shè)備電源系統(tǒng)向48V升級(jí),高效、節(jié)能的元器件需求日益迫切。KUU憑借先進(jìn)工藝與封裝技術(shù),全新推出2款100V耐壓雙MOSFET,以超低...
國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相
國產(chǎn)碳化硅MOSFET“最低導(dǎo)通電阻和最低比導(dǎo)通電阻”宣傳噱頭背后隱藏的真相與潛在危害分析: 為了謀求短期利益博取融資或者投資,中長期損害終端客戶利益和...
納芯微升級(jí)電流傳感器NSM201x-P系列,性能卓越賦能多領(lǐng)域
納芯微公司近期推出了NSM201x-P系列電流傳感器,該系列是對(duì)已量產(chǎn)的NSM201x系列的全面升級(jí)與補(bǔ)充?;谏詈竦募夹g(shù)積累,NSM201x-P系列在...
MDD辰達(dá)半導(dǎo)體的MOS管助力米充氣寶高效節(jié)能
? ? 家人們,一到冬天,路面那叫一個(gè)滑,要是汽車胎壓還不足,打滑風(fēng)險(xiǎn)直接拉滿!有時(shí)候著急出門,根本沒時(shí)間開車去找地兒充氣,這可咋整?別慌,這時(shí)候一個(gè)靠...
銳駿半導(dǎo)體發(fā)布全新超低導(dǎo)通電阻MOSFET
近日,銳駿半導(dǎo)體正式推出了兩款全新的超低導(dǎo)通電阻MOSFET產(chǎn)品,為市場帶來了更加高效的解決方案。
2024-10-08 標(biāo)簽:MOSFET導(dǎo)通電阻銳駿半導(dǎo)體 580 0
Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
中國 北京,2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 T...
士蘭微電子車規(guī)級(jí)MOS產(chǎn)品獲CIAS2024年度“最具市場力產(chǎn)品獎(jiǎng)”
2024年4月23-24日,CIAS2024功率半導(dǎo)體新能源創(chuàng)新發(fā)展大會(huì)暨 CIAShow功率半導(dǎo)體、裝備與材料創(chuàng)新展在蘇州獅山國際會(huì)議中心舉辦,士蘭微...
合科泰推出一款采用TO-263封裝的N溝道MOS管HKTE180N08
大功率MOS通常具有耐高電壓和扛大電流等特性,在大功率應(yīng)用場景如電車、儲(chǔ)能電站、光伏等高功率應(yīng)用上具有重要作用。
碳化硅MOSFET能讓新能源汽車充電速度提高5-10倍,續(xù)航里程提高8%以上,能耗降低50%,優(yōu)異的性能讓其成為新能源汽車所需的關(guān)鍵元器件。
隨著電動(dòng)汽車的普及,充電樁的需求逐漸增長,對(duì)其電源的效率和可靠性提出了更高的要求。
2024-03-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車導(dǎo)通電阻肖特基二極管 828 0
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