Vishay推出最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實(shí)現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN還是首個(gè)采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK??1212封裝的器件，在實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻的同時(shí)，高度比通常的0.75mm還要低28%，同時(shí)保持相同的PCB布版樣式。

Si7655DN的應(yīng)用將包括工業(yè)系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)和熱插拔，適配器、電池和充電電路中的負(fù)載開關(guān)，智能手機(jī)、平板電腦和其他移動(dòng)計(jì)算設(shè)備中的電源管理。Si7655DN還可以用于固話電信、蜂窩電話基站和服務(wù)器/計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的冗余開關(guān)、OR-ing和監(jiān)管應(yīng)用。

利用新的PowerPAK 1212封裝型號(hào)和Vishay Siliconix業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的P溝道Gen III技術(shù)，Si7655DN具有3.6mΩ(-10V)、4.8mΩ(-4.5V)和8.5mΩ(-2.5V)的最大導(dǎo)通電阻。這些性能規(guī)格比最接近的-20V器件提高17%或更多。

Si7655DN的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計(jì)者能夠在電路中實(shí)現(xiàn)更低的壓降，更有效地使用電能，讓電池運(yùn)行的時(shí)間更長(zhǎng)，且3.3mm x 3.3mm x 0.75mm PowerPAK 1212-8S封裝將有助節(jié)省寶貴的空間。

Si7655DN是Vishay的TrenchFET Gen III P溝道MOSFET系列中的最新成員。有關(guān)TrenchFET Gen III系列的更多信息，見(jiàn)www.vishay.com/doc?49996。

新的Si7655DN現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。

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MOSFET(230958) MOSFET(230958)
Vishay(119655) Vishay(119655)
導(dǎo)通電阻(20548) 導(dǎo)通電阻(20548)
電源芯片(81900) 電源芯片(81900)
Si7655DN(6303) Si7655DN(6303)

評(píng)論

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2026-01-04 16:31:56

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2025-12-26 12:01:16

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選型手冊(cè)：VS8068AD N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：80V，適配中壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)9.0

2025-12-26 11:50:13

選型手冊(cè)：VS3508AS P 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 晶體管

溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}

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選擇N-MOS還是P-MOS？

（1）從電路結(jié)構(gòu)上看，低壓側(cè)開關(guān)選N-MOS，高壓側(cè)開關(guān)選P-MOS；（2）從成本和便利性上看，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，物料成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，物料成本高；（3

2025-12-24 07:00:21

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MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-40V（P溝道耐壓為負(fù)值，適配40V中壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{

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MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：40V，適配低壓供電場(chǎng)景；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)時(shí)典型值

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MOSFET導(dǎo)通電阻Rds

（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。（2）Rds（on）時(shí)正溫度系數(shù)，會(huì)隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds

2025-12-23 06:15:35

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2025-12-18 17:42:57

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：P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極擊穿電壓（\(V_{DSS}\)）：-30V（P溝道耐壓為負(fù)值，實(shí)際適配30V低壓場(chǎng)景）；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(o

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關(guān)于0.42mΩ超低導(dǎo)通電阻MOSFET的市場(chǎng)應(yīng)用與挑戰(zhàn)

在電源管理系統(tǒng)和高效電池管理系統(tǒng)（BMS）設(shè)計(jì)中，MOSFET作為開關(guān)元件，扮演著重要角色。由于其導(dǎo)通電阻直接影響到電路效率、功率損耗和熱量產(chǎn)生，因此低導(dǎo)通電阻的MOSFET成為越來(lái)越多高效系統(tǒng)

2025-12-16 11:01:13

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2025-12-08 11:16:24

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2025-12-02 09:32:01

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安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET，具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。該

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選型手冊(cè)：MOT20N65HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：650V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{DS(

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onsemi NTK3139P P溝道功率MOSFET深度解析與技術(shù)應(yīng)用指南

極-源極電壓 (V ~DSS~ ) 額定值為-20V，連續(xù)漏極電流 (I ~D~ ) 額定值為-780mA（T~A~ =+25°C時(shí)）。安森美 (onsemi) NTK3139P具有低閾值電平，在V

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仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-21 10:57:56

177

選型手冊(cè)：MOT3136D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3136D是一款面向30V低壓超大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借2.4mΩ超低導(dǎo)通電阻、120A超大連續(xù)電流及優(yōu)異散熱封裝，適用于功率開關(guān)應(yīng)用、硬開關(guān)高頻

2025-11-21 10:46:19

181

選型手冊(cè)：MOT2176D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2176D是一款面向20V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-21 10:38:31

150

選型手冊(cè)：MOT3712G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3712G是一款P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-30V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高電流承載能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：P溝道

2025-11-21 10:31:06

233

選型手冊(cè)：MOT50N03C N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT50N03C是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷及快速開關(guān)特性，適用于各類開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N

2025-11-20 16:22:54

302

選型手冊(cè)：MOT6568J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6568J是一款面向60V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-20 16:15:04

256

選型手冊(cè)：MOT6515J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6515J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、高可靠性及環(huán)保特性，適用于便攜設(shè)備、電池供電系統(tǒng)、筆記本電腦電源管理等領(lǐng)域。一

2025-11-20 16:06:45

264

選型手冊(cè)：MOT3180G N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3180G是一款面向30V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高雪崩穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)與同步整流等領(lǐng)域

2025-11-20 15:31:06

159

選型手冊(cè)：MOT4523D N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4523D是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借先進(jìn)溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負(fù)載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品

2025-11-19 15:25:38

249

選型手冊(cè)：MOT20N50HF N 溝道功率 MOSFET 晶體管

電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET核心參數(shù)：漏源極耐壓（\(V_{DSS}\)）：500V，適配高壓供電系統(tǒng)；導(dǎo)通電阻（\(R_{

2025-11-19 11:15:03

277

選型手冊(cè)：MOT3520J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

選型手冊(cè)：MOT3520JN溝道功率MOSFET晶體管仁懋電子（MOT）推出的MOT3520J是一款面向30V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、高穩(wěn)定性及無(wú)鉛封裝特性，適用于

2025-11-18 16:08:14

326

選型手冊(cè)：MOT65R180HF N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT65R180HF是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-18 15:39:25

204

選型手冊(cè)：MOT65R380F N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT65R380F是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借650V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-18 15:32:14

195

選型手冊(cè)：MOT4633G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4633G是一款N+P互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借先進(jìn)溝槽設(shè)計(jì)、低導(dǎo)通電阻及低熱阻特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息

2025-11-17 14:43:19

217

選型手冊(cè)：MOT4529J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT4529J是一款面向40V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、無(wú)鉛環(huán)保封裝特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等低壓功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-17 11:27:39

241

選型手冊(cè)：MOT3650J N+P 增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT3650J是一款N+P增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道單元，憑借超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷特性，適用于計(jì)算設(shè)備電源管理、負(fù)載開關(guān)、快速無(wú)線充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。一

2025-11-14 16:12:52

519

選型手冊(cè)：MOT2718J P - 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2718J是一款P-溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借-20V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高效功率處理能力，適用于PWM應(yīng)用、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件類型

2025-11-14 16:04:15

309

選型手冊(cè)：MOT2514J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向20V低壓場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借高密度單元設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)的超低導(dǎo)通電阻，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、筆記本核心電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息

2025-11-14 15:51:42

202

Vishay SiRS5700DP N溝道MOSFET技術(shù)深度解析：性能優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐

Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay

2025-11-13 11:21:53

430

MDD MOS導(dǎo)通電阻對(duì)BMS系統(tǒng)效率與精度的影響

在電池管理系統(tǒng)（BMS）中，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體MOSFET作為電池組充放電的開關(guān)與保護(hù)核心元件，其導(dǎo)通電阻（RDS(on)）參數(shù)對(duì)系統(tǒng)性能有著直接且深遠(yuǎn)的影響。作為MDDFAE，在支持客戶調(diào)試或可

2025-11-12 11:02:47

339

Vishay SiEH4800EW 80V TrenchFET? 第四代N溝道功率MOSFET技術(shù)解析

^?^ 8mmx8mm接合無(wú)線（BWL）封裝，在V~GS~ 為10V時(shí)具有0.00115Ω超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗并提高散熱性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大

2025-11-11 13:53:18

343

基于Vishay SiJK5100E N溝道MOSFET數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析

Vishay/Siliconix SiJK5100E N溝道MOSFET是一款TrenchFET^?^ 第五代功率MOSFET，具有100V漏源電壓。該MOSFET具有536W最大功耗（+25°C

2025-11-11 13:42:26

335

選型手冊(cè)：MOT6511J N 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場(chǎng)景的N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)（電動(dòng)工具

2025-11-11 09:34:34

187

選型手冊(cè)：MOT2914J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子（MOT）推出的MOT2914J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借20V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-10 16:17:38

296

選型手冊(cè)：MOT3920J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子（MOT）推出的MOT3920J是一款雙N溝道增強(qiáng)型MOSFET，憑借30V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異的高頻開關(guān)特性，適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、高頻開關(guān)電路及同步整流等場(chǎng)景。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-10 16:12:40

305

選型手冊(cè)：MOT70R380D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R380D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正（PFC）、電源功率級(jí)、適配器、電機(jī)控制、DC-DC

2025-11-10 15:42:30

277

選型手冊(cè)：MOT70R280D N 溝道超級(jí)結(jié)功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT70R280D是一款N溝道超級(jí)結(jié)功率MOSFET，憑借700V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及高頻開關(guān)特性，適用于功率因數(shù)校正、開關(guān)模式電源、不間斷電源等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件

2025-11-07 10:54:01

164

ZK40P80T：P溝道MOS管中的高功率性能擔(dān)當(dāng)

中科微電深耕功率器件領(lǐng)域，針對(duì)P溝道器件的應(yīng)用痛點(diǎn)，推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管，以-40V耐壓、-80A電流的強(qiáng)勁參數(shù)，搭配1.5mΩ低導(dǎo)通電阻與成熟Trench工藝，為反向電壓控制、電池管理等場(chǎng)景提供了高效可靠的解決方案，重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標(biāo)準(zhǔn)。

2025-11-06 14:35:45

244

選型手冊(cè)：MOT1793G P 溝道功率 MOSFET 晶體管

仁懋電子（MOT）推出的MOT1793G是一款面向-100V低壓大電流場(chǎng)景的P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET，憑借超低導(dǎo)通電阻、18A大電流承載能力及PDFN小型化封裝，廣泛適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器等高

2025-11-05 12:01:34

245

選型手冊(cè)：MOT4025G 互補(bǔ)增強(qiáng)型 MOSFET

仁懋電子（MOT）推出的MOT4025G是一款互補(bǔ)增強(qiáng)型MOSFET，集成N溝道與P溝道管，憑借40V耐壓、超低導(dǎo)通電阻及優(yōu)異開關(guān)特性，適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等大功率場(chǎng)景。以下從器件特性

2025-11-04 16:33:13

496

MOT1514J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT1514J是仁懋電子（MOT）推出的N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，聚焦計(jì)算設(shè)備電源管理、快速/無(wú)線充電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，以超低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷

2025-10-24 16:21:14

531

MOT3712J P 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

一、產(chǎn)品概述MOT3712J是仁懋電子（MOT）推出的P溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3-8L表面貼裝封裝，具備高功率與電流處理能力，聚焦PWM控制、負(fù)載開關(guān)、電源管理等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗

2025-10-24 15:59:53

537

MOT3910J 雙 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 技術(shù)解析

均有要求的場(chǎng)景，在小型化布局中實(shí)現(xiàn)雙路功率控制。二、核心參數(shù)與技術(shù)價(jià)值電壓電流特性：漏源電壓（VDS）最大30V，柵源電壓（VGS）最大20V；連續(xù)漏極電流（ID

2025-10-24 11:14:37

282

MOT2165J N 溝道 MOSFET 技術(shù)解析

MOT2165J是仁懋電子（MOT）推出的一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET，采用PDFN3X3封裝形式，聚焦于功率開關(guān)控制、筆記本核心供電等場(chǎng)景，以低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)特性和小型化封裝為核心技術(shù)亮點(diǎn)。一

2025-10-24 10:22:08

296

圣邦微電子推出高性能N溝道MOSFET SGMNQ12340

圣邦微電子推出 SGMNQ12340，一款 40V 耐壓、低導(dǎo)通電阻、輸入電容低、切換速度快、高性能的 N 溝道 MOSFET。該器件可應(yīng)用于 VBUS 過(guò)壓保護(hù)開關(guān)、AMOLED 顯示控制器、電池充放電開關(guān)及 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。

2025-10-14 17:34:48

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FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè)

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管技術(shù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載

2025-09-23 15:03:33

TPS22995低導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments TPS22995導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)支持可配置上升時(shí)間，以最大限度地減小浪涌電流。該單通道負(fù)載開關(guān)包含一個(gè)可在0.4V至5.5V輸入電壓范圍內(nèi)運(yùn)行的N溝道MOSFET，并且支持3.8A的最大連續(xù)電流。

2025-09-02 14:57:49

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si2301bds場(chǎng)效應(yīng)管說(shuō)明書資料

P管，最大電壓-20V，最大電流2.4A導(dǎo)通內(nèi)阻0.1歐。

2025-08-13 15:58:50

合科泰P溝道MOSFET AO3401在智能手表中的應(yīng)用

P 溝道 MOSFET，以 SOT-23 超微型封裝與 0.05Ω 低導(dǎo)通電阻，為智能手表電源域控制提供理想選擇。

2025-08-12 16:45:01

5119

中低壓MOS管MDD8205數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款20V N溝道MOSFET采用雙芯片設(shè)計(jì)，基于MDD獨(dú)特的器件結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性。

2025-07-10 14:30:36

中低壓MOS管MDD50P02Q數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款P溝道MOSFET采用MDD公司先進(jìn)的溝槽型功率技術(shù)制造。該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大限度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能和業(yè)界領(lǐng)先的軟體二極管特性。

2025-07-09 16:06:27

中低壓MOS管MDD30P04D數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款P溝道MOSFET采用MDD公司先進(jìn)的溝槽型功率技術(shù)制造。該工藝經(jīng)過(guò)優(yōu)化，可最大限度降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能和同類最佳的軟體二極管特性。

2025-07-09 15:14:42

中低壓MOS管MDD02P60A數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款60V P溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)性能以及優(yōu)異的雪崩特性。? 高密度電池設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) ?? 卓越的導(dǎo)通電阻與最大直流電流承載能力

2025-07-09 15:05:55

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過(guò)的阻礙程度。

2025-05-26 15:09:34

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2N7002KDW SOT363：小封裝、高ESD保護(hù)的N溝道MOSFET，助力精密電路設(shè)計(jì)

2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護(hù)功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其

2025-04-27 16:59:26

CSD18510Q5B 40V、N 溝道 NexFET? 功率 MOSFET技術(shù)手冊(cè)

這款 40V、0.79mΩ、SON 5mm × 6mm NexFET? 功率 MOSFET 旨在最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 *附件：CSD18510Q5B N 溝道 NexFET 功率

2025-04-16 10:05:07

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CSD25501F3 -20V、P 通道 NexFET? 功率 MOSFET、單個(gè) LGA 0.6mm x 0.7mm、76mOhm、柵極 ESD 保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

這款 –20V、64mΩ、P 溝道 FemtoFET? MOSFET 經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)和優(yōu)化，可在許多手持式和移動(dòng)應(yīng)用中最大限度地減少占用空間。該技術(shù)能夠取代標(biāo)準(zhǔn)小信號(hào) MOSFET，同時(shí)大幅減小基底面尺寸

2025-04-15 16:17:28

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