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標簽 > 導通電阻
導通電阻是指二極管導通后兩端電壓與導通電流之比,是二極管的重要參數(shù)。
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在電力設備的長時間運行過程中,連接處有可能因受潮等因素影響,出現(xiàn)節(jié)點銹蝕、甚至斷裂等現(xiàn)象,導致接地引下線與主接地網(wǎng)連接點電阻增大,從而不能滿足電力規(guī)程的...
Vishay推出兩款新型30 V對稱雙通道n溝道功率MOSFET
SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術實現(xiàn)優(yōu)異導通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 ...
近日,可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm宣布推出新的240瓦電源適配器參考設計。
第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為 DC/DC 轉換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。
數(shù)字芯片最基本單元是MOSFET,其工藝發(fā)展到7nm、3nm、2nm,這個半導體工藝尺寸是MOSFET柵極(溝槽)寬度。早期MOSFET使用平面結構,溝...
Vishay推出PowerPAK? 8x8L封裝60 V和80 V N溝道MOSFET,優(yōu)異的RDS(ON)導通電阻低至0.65 mW
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出兩款n溝道TrenchFET? MOSFET---60 ...
英飛凌OptiMOS? 6 100 V系列通過技術革新,為高開關頻率應用樹立全新行業(yè)標桿
OptiMOS 6 100 V 系列 MOSFET采用新穎的設計理念, 具有更低的導通電阻和同類產品中更佳的優(yōu)值系數(shù) (FOM)。
Vishay推出全球領先的汽車級80V P溝道MOSFET,以提高系統(tǒng)能效和功率密度
汽車級MOSFET導通電阻比最接近的DPAK封裝競品器件低28 %,比前代解決方案低31 %,占位面積減小50 %,有助于降低導通功耗,節(jié)省能源,同時增...
在高溫下,溫度系數(shù)會顯著改變擊穿電壓。例如,一些600V電壓等級的N溝道MOSFET的溫度系數(shù)是正的,在接近最高結溫時,溫度系數(shù)會讓這些MOSFET變得...
科銳推出新型SiC功率模塊產品系列——“Wolfspeed WolfPACK?
科銳推出新型SiC功率模塊產品系列,為電動汽車快速充電和太陽能市場提供業(yè)界領先的效率。
Vishay推出具備優(yōu)異導通性能且經(jīng)過AEC-Q101認證的100V汽車級P溝道MOSFET
業(yè)內首款采用鷗翼引線結構5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,導通電阻僅為30 mΩ。
Vishay推出600V EF系列快速體二極管MOSFET,導通電阻比其前代器件低29%
Vishay提供豐富的MOSFET技術支持各級功率轉換,涵蓋高壓輸入到低壓輸出的各種最新高科技系統(tǒng)。
揚杰科技發(fā)布N40-150V SGT功率MOSFET新品,全面提升開關和導通特性
產品特點 1、優(yōu)異的開關特性和導通特性; 2、更好的導通電阻溫度特性,顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性; 3、配合先進的封裝技術,SGT ...
英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET助力不同功率的工業(yè)電源實現(xiàn)最高效率
英飛凌采用全新 D2PAK-7L 封裝的 1200V CoolSiC? MOSFET,導通電阻從 30m?到 350m?,可助力不同功率的工業(yè)電源、充電...
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