10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導(dǎo)通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效
2022-06-24 09:57:45
2122 
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441436 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ，
2012-10-09 11:28:301180 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)界首款采用3.3mm x 3.3mm封裝以實現(xiàn)在4.5V柵極驅(qū)動下4.8mΩ最大導(dǎo)通電阻的20V P溝道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:403486 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 IR近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準導(dǎo)通電阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有極低的導(dǎo)通電阻，有助于提升系統(tǒng)效率，還可讓設(shè)計人員在多個MOSFET并聯(lián)使用時減少產(chǎn)品的組件數(shù)量。
2013-01-22 13:27:211630 MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
2013-04-23 11:47:112875 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用小尺寸PowerPAK? 8x8封裝的600V E系列功率
2015-10-12 13:58:282813 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET---SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V條件下最大導(dǎo)通電阻降至4 m?，采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝。
2019-10-05 07:04:006418 Vishay推出采用小型熱增強型PowerPAK? 1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。
2019-12-13 15:54:001878 業(yè)內(nèi)首款采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件，導(dǎo)通電阻僅為30 mΩ。
2021-01-11 12:01:501291 器件采用PowerPAK? 1212?8S封裝，導(dǎo)通電阻低至0.95 mW，優(yōu)異的FOM僅為29.8 mW*nC。
2021-05-25 10:24:33990 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600 V E
2022-02-21 11:18:052299 
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其
2025-04-27 16:59:26
、大電流、低開啟電壓、低內(nèi)阻、結(jié)電容小、低消耗、溫升低、轉(zhuǎn)換效率高、過電流達、抗沖擊能力強、SGT工藝，開關(guān)損耗小60V50A低內(nèi)阻低結(jié)電容N溝道MOS管HG012N06L`
2020-09-24 16:34:09
（1）Rds（on）和導(dǎo)通損耗直接相關(guān)，RDSON越小，功率MOSFET的導(dǎo)通損耗越小、效率越高、工作溫升越低。
（2）Rds（on）時正溫度系數(shù)，會隨著MOSFET溫度升高而變大，也就是Rds
2025-12-23 06:15:35
HC60660V6ASOT23-3封封裝內(nèi)阻90mR型號：HC706N溝道場效應(yīng)管60V7ASOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號：HC020N03L N溝道場效應(yīng)管30V30A TO-252 內(nèi)阻20mR
2020-07-24 17:25:11
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 標準并經(jīng) 100% Rg 和 UIS 測試。SQ2361 汽車用 P 溝道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保護典型值達
2019-07-09 17:30:39
TO-252封裝 N溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐SOT23-3L封裝
2020-06-06 10:41:14
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-01 09:54:05
`AP15N10 N溝道100V（D-S）MOSFET一般說明AP15N10是N通道邏輯增強型電源場效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-13 09:16:34
Voltage100V最大漏極電流Id Drain Current170mA/0.17A源漏極導(dǎo)通電阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4
2019-11-13 11:00:58
超級結(jié)MOSFET是與平面MOSFET相比，導(dǎo)通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結(jié)MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產(chǎn)品，現(xiàn)已發(fā)展到
2018-12-05 10:00:15
Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道MOSFET在產(chǎn)品選擇上超過了P溝道。在降壓穩(wěn)壓器應(yīng)用中，基于柵控電壓極性、器件尺寸和串聯(lián)電阻等多種因素，使用P溝道
2018-03-03 13:58:23
場效應(yīng)管30V39A N溝道 DFN3x3-8 功率MOS管【100V MOS管 N溝道】SL05N10100V5A SOT23-3L 封裝N溝道SL3N10 100V3A SOT23-3L 封裝N溝道
2020-06-10 14:31:13
*3-8N溝道SLN30P03T品牌：美浦森 電壓：-30V 電流：-30A封裝：DFN3*3-8P溝道SLD80N06T品牌：美浦森 電壓：60V 電流：80A封裝：TO-252N溝道
2021-04-07 15:06:41
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
型號：HC080N06LSN溝道場效應(yīng)管 絲印HC606 60V6ASOT23-3封裝 內(nèi)阻90mR型號：HC706N溝道場效應(yīng)管60V7A SOP-8封裝內(nèi)阻80mR型號：HC020N03LN溝道
2020-09-23 11:38:52
。BD35395FJ-M終端穩(wěn)壓器IC具有低的高側(cè)導(dǎo)通電阻和低側(cè)導(dǎo)通電阻以及大負載輸出電流能力。該芯片高側(cè)和低側(cè)導(dǎo)通電阻值典型值均為0.35Ω，輸出電流范圍為-1.0A到1.0A。它的輸入電壓范圍為2.7V至
2019-04-28 05:31:27
，它代表金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有較低的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和較小尺寸，N溝道
2021-04-09 09:20:10
30V41A14毫歐TO-252封裝 N溝道SL300930V9A 15毫歐SOP-8封裝 N溝道SL304230V88A8.5毫歐DFN5x6A-8_EP封裝 N溝道SL340030V5.7A18毫歐
2020-06-12 10:03:55
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
（屏蔽柵極槽）技術(shù)。是一款高效、低導(dǎo)通電阻的N溝道MOSFET，適合用于各種高頻、高效電源管理應(yīng)用，尤其在DC/DC轉(zhuǎn)換器、無線充電和同步整流等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
---產(chǎn)品特點---
· 低導(dǎo)通電阻
2024-10-14 09:40:16
PN結(jié)轉(zhuǎn)化為掩埋PN結(jié)，在相同的N-摻雜濃度時，阻斷電壓還可進一步提高?！ ?nèi)建橫向電場MOSFET的主要特性 1、 導(dǎo)通電阻的降低 INFINEON的內(nèi)建橫向電場的MOSFET，耐壓600V
2023-02-27 11:52:38
Vishay Intertechnology, Inc.推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采
2010-07-16 15:05:24
17 采用PowerPAK SC-75封裝的額定電壓8～30V的P通道功率MOSFET
這些p 通道功率 MOSFET 系列包括額定電壓介于 8V～30V 的多個器件。日前推出的這些器件包括業(yè)界首款采用
2008-08-23 15:08:371627 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 小信號應(yīng)用60V功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封裝的60V N溝道功率MOSFET --- SiM400。該器件為業(yè)界最小的60V功率MOSFET，比SC-70和SC-90等封裝能節(jié)約更多
2009-12-31 09:59:442304 導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示，它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成，可使正負信號傳輸，如果將不同VI
2010-03-23 09:27:475716 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 IR推出汽車專用MOSFET系列低導(dǎo)通電阻
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:321055 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封裝 P 溝道 MOSFET硅組件，適用于電池充電和放電開關(guān)，以及直流應(yīng)用的系統(tǒng)/負載開關(guān)。新款 P 溝道器件的導(dǎo)通電阻 (RDS (on)) 為 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341902 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件，它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391887 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率
2011-10-21 08:53:051058 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超級結(jié)技術(shù)，導(dǎo)通電阻低至30m?、電流達6A～105A，在8種封裝中實現(xiàn)低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241360 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK
2013-07-15 11:32:401182 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK? ChipFET?和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211312 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB，擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:051119 的采用非對稱PowerPAK? SO-8L封裝的新款40V雙芯片N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的這兩款器件可用于車載
2013-12-13 15:07:131158 日前，Vishay宣布，推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221740 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道
2014-04-29 16:30:441122 轉(zhuǎn)換器中節(jié)省空間和電能。Vishay Siliconix SQJ202EP和SQJ200EP N溝道TrenchFET?器件把高邊和低邊MOSFET組合進小尺寸5mm x 6mm PowerPAK? SO-8L雙片不對稱封裝里，低邊MOSFET的最大導(dǎo)通電阻低至3.3mΩ。
2016-07-11 14:33:171295 今天推出的MOSFET由Vishay Siliconix設(shè)計和開發(fā)，表面貼裝PowerPAK SO-8L封裝完全符合RoHS，無鹵素，無鉛。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N
2016-07-18 16:19:592081 MOSFET的首顆器件---SiHP065N60E。Vishay Siliconix N溝道SiHP065N60E的導(dǎo)通電阻比前一代600V E系列MOSFET低30%，為通信、工業(yè)和企業(yè)級電源提供了
2017-02-10 15:10:112189 最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFETreg
2019-01-01 16:29:011015 Vishay/Siliconix SiR186LDP N溝道60V （D-S） MOSFET采用TrenchFET? Gen IV功率MOSFET技術(shù)。
2021-04-21 17:50:211914 
Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212?8S 封裝，導(dǎo)通電阻低至 0.95 mΩ，優(yōu)異的 FOM 僅為 29.8?mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:573908 適用于標準柵極驅(qū)動電路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET?第四代n溝道功率MOSFET——SiSS22DN，業(yè)內(nèi)首款適用于標準柵極驅(qū)動電路的器件，10 V
2021-12-05 10:21:115 Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60E 導(dǎo)通電阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:352298 （NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK? 10 x 12封裝的新型第四代600 V EF系列快速體二極管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14780 
Vishay Siliconix n 溝道 SiHK045N60EF 導(dǎo)通電阻比前代器件降低 29 %，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效、高功率密度解決方案，同時柵極電荷下降 60 %，從而使器件導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中 600V MOSFET 的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）創(chuàng)業(yè)界新低。
2022-10-14 16:16:121359 NMOS TO-252 低內(nèi)阻 BVDSS : 80V ID : 110A RDS(ON) : 6.0m? 電機驅(qū)動推薦。該功率MOSFET采用SAMWIN的先進技術(shù)生產(chǎn)。該技術(shù)使得功率MOSFET具有更好的特性，包括快速開關(guān)時間、低導(dǎo)通電阻、低柵極電荷，尤其是優(yōu)異的雪崩特性。
2022-11-21 15:13:090 SiZF5300DT和SiZF5302DT利用Vishay的30 V Gen V技術(shù)實現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)通電阻和柵極電荷。SiZF5300DT 10 V和4.5 V下典型導(dǎo)通電阻分別為2.02 m和2.93 m，SiZF5302DT相同條件下導(dǎo)通電阻分別為2.7 m和4.4 m。
2023-02-06 14:44:22919 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX7002BKH
2023-02-07 18:57:170 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138BKH
2023-02-07 18:57:470 60 V、N 溝道溝槽 MOSFET-NX138AKH
2023-02-07 18:57:590 60 / 50 V，330 / 170 mA N/P 溝道溝槽 MOSFET-NX1029X
2023-02-07 19:57:500 采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、1.8 mOhm、270 A、N 溝道 MOSFET-PSMN1R8-80SSF
2023-02-07 20:09:170 采用 LFPAK88 封裝的 NextPower 80 V、2.8 mOhm、190 A、N 溝道 MOSFET-PSMN2R8-80SSF
2023-02-09 19:21:000 20 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMPB8XN
2023-02-20 19:36:100 LFPAK56 中的 N 溝道 80 V、8 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN8R0-80YL
2023-02-22 18:55:510 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.5 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R5-80PS
2023-02-22 19:00:220 TO-220 封裝的 N 溝道 80 V、3.3 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN3R3-80PS
2023-02-22 19:00:520 采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、8.7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF
2023-02-23 18:42:140 N 溝道 LFPAK 60 V、8 mΩ 標準電平 MOSFET-PSMN8R5-60YS
2023-02-23 18:46:320 N 溝道 LFPAK 80 V 8.5 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R2-80YS
2023-02-27 19:19:250 TO-220 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R7-80PS
2023-03-02 22:24:430 D2PAK 中的 N 溝道 80 V 8.7 mOhm 標準電平 MOSFET-PSMN8R7-80BS
2023-03-03 18:53:010 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:221294 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。
2023-11-09 17:39:101320 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:021362 東芝近日發(fā)布了兩款專為車載環(huán)境設(shè)計的N溝道功率MOSFET產(chǎn)品——“XPQR8308QB”（80V）和“XPQ1R00AQB”（100V），均采用了其前沿的L-TOGL?封裝技術(shù)。這兩款新品不僅集成了東芝最新一代的U-MOS X-H工藝，使得導(dǎo)通電阻達到極低水平，極大提升了能效。
2024-05-08 14:35:421114 威世科技Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布了一項重大技術(shù)突破，推出了首款采用新型PowerPAK? 8 x 8LR封裝的第四代600 V E系列功率MOSFET——SiHR080N60E。這款新型功率MOSFET為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-10 10:48:121771 Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封裝的第四代 600 V E 系列功率MOSFET，為通信、工業(yè)和計算應(yīng)用提供高效的高功率密度解決方案。
2024-05-10 11:47:422283 
近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
2024-05-11 10:15:441889 
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET產(chǎn)品——SiHR080N60E，它采用了新型的PowerPAK? 8 x 8 LR封裝技術(shù)，標志著第四代600V E系列功率MOSFET的誕生。這一創(chuàng)新產(chǎn)品為通信、工業(yè)及計算領(lǐng)域帶來了前所未有的高效高功率密度解決方案。
2024-05-14 15:33:381341 2N7002KDW 是一款采用 SOT363封裝 的雙N溝道MOSFET，集成了ESD保護功能，兼具低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與高耐壓（60V）特性。其超小封裝和低閾值電壓（VTH=1.6V）使其成為便攜式設(shè)備、信號開關(guān)和ESD敏感電路的理想選擇。
2025-04-29 18:14:340 仁懋電子（MOT）推出的MOT6120T是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借1.5mΩ超低導(dǎo)通電阻、229A超大電流承載能力及TOLL-8L小型化封裝，適用于高功率系統(tǒng)
2025-11-10 15:50:16247 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6511J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借低導(dǎo)通電阻、大電流承載能力及PDFN3X3-8L小型化封裝，適用于電機驅(qū)動（電動工具
2025-11-11 09:34:34187 ^?^ 8mmx8mm接合無線（BWL）封裝，在V~GS~ 為10V時具有0.00115Ω超低導(dǎo)通電阻，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗并提高散熱性能。Vishay/Siliconix MOSFET具有260A的最大
2025-11-11 13:53:18348 Vishay/SiliconSense SiHR080N60E N通道功率MOSFET是 第四代600V E系列功率MOSFET，采用PowerPAK ? 8 x 8LR封裝。該MOSFET可為
2025-11-14 10:32:18365 
仁懋電子（MOT）推出的MOT6522J是一款面向60V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，憑借先進溝槽技術(shù)、低導(dǎo)通電阻及低柵極電荷特性，適用于負載開關(guān)、PWM應(yīng)用、電源管理等領(lǐng)域。一
2025-11-21 10:57:56177 應(yīng)用。該器件的漏極-源極電壓為80V，連續(xù)漏極電流為299A。安森美NVBLS1D2N08X MOSFET采用H-PSOF8L封裝。
2025-11-24 09:29:21320 
安森美NTMFSS0D9N03P8 N溝道MOSFET是一款單源下MOSFET，具有低 ~RDS (on)~ ，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低~QG~ 和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。該
2025-11-24 15:35:18263 
威兆半導(dǎo)體推出的VS6614GS是一款面向60V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用SOP8封裝，適配低壓中功率電源管理、負載開關(guān)等領(lǐng)域。一、產(chǎn)品基本信息器件類型：N溝道增強型功率
2025-12-17 18:09:01209 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論