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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非???,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國(guó)家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
半導(dǎo)體選擇性外延生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展歷史
選擇性外延生長(zhǎng)(SEG)是當(dāng)今關(guān)鍵的前端工藝(FEOL)技術(shù)之一,已在CMOS器件制造中使用了20年。英特爾在2003年的90納米節(jié)點(diǎn)平面CMOS中首次...
電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究
隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展,這對(duì)于器件的散熱要求變得更為嚴(yán)格。陶瓷基板因其卓越的熱導(dǎo)率和機(jī)械性能,被廣泛應(yīng)用于大功率器件的封裝工藝中。
TPL7407LA 30V、7 通道 NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPL7407LA 是一種高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電感負(fù)載...
2025-05-10 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器NMOS 97 0
TPL7407LA-Q1 30V、7 通道汽車級(jí) NMOS 陣列低側(cè)驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)
TPL7407LA-Q1 是一款高電壓、大電流 NMOS 晶體管陣列。該器件由 7 個(gè) NMOS 晶體管組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換電...
2025-05-09 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器NMOS 177 0
ULN2803C 50 V、八通道達(dá)林頓陣列數(shù)據(jù)手冊(cè)
ULN2803C器件是一個(gè) 50V、500mA 達(dá)林頓晶體管陣列。該器件由 8 對(duì) NPN 達(dá)林頓對(duì)組成,具有高壓輸出和共陰極箝位二極管,用于切換感性負(fù)...
2025-05-08 標(biāo)簽:二極管驅(qū)動(dòng)器電阻器 116 0
本文講解中使用的線性穩(wěn)壓器IC是輸出電流為1.0A的“BDxxIC0系列”,是產(chǎn)品陣容廣泛的線性穩(wěn)壓器IC家族中的一個(gè)系列。BDxxIC0系列分為可變輸...
2025-05-08 標(biāo)簽:IC應(yīng)用電路電源電路 266 0
包括器件固有可靠性和使用可靠性。固有可靠性問(wèn)題包括安全工作區(qū)、閂鎖效應(yīng)、雪崩耐量、短路能力及功耗等,使用可靠性問(wèn)題包括并聯(lián)均流、軟關(guān)斷、電磁干擾及散熱等。
概倫電子千兆級(jí)高精度電路仿真器NanoSpice Giga介紹
NanoSpiceGiga是概倫電子自主研發(fā)的千兆級(jí)晶體管級(jí)SPICE電路仿真器,通過(guò)基于大數(shù)據(jù)的并行仿真引擎處理十億以上單元的電路仿真,可以用于各類存...
ULN2003 7通道SOP16封裝達(dá)林頓晶體管驅(qū)動(dòng)器英文手冊(cè)立即下載
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SC2020晶體管參數(shù)測(cè)試儀/?半導(dǎo)體分立器件測(cè)試系統(tǒng)介紹立即下載
類別:工控技術(shù) 2025-04-16 標(biāo)簽:測(cè)試儀晶體管半導(dǎo)體分立器件
MJE13005D高壓快速開關(guān)NPN功率晶體管英文手冊(cè)立即下載
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圣邦微電子推出30V單N溝道功率MOSFET SGMNQ36430
圣邦微電子推出 SGMNQ36430,一款 30V 單 N 溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件可應(yīng)用于 CPU 電源傳輸、D...
焊接強(qiáng)大的BT-550D 電動(dòng)智能晶體管系列電阻點(diǎn)焊機(jī)
BT-550D?采用?DSP?技術(shù),依靠這一技術(shù),它能夠精確掌握定電流、定電壓以及定電流定電壓等不同的焊接模式,以此滿足多樣化的焊接需求。在實(shí)際焊接操作...
2025-05-06 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 67 0
三菱電機(jī)開始提供全SiC和混合SiC SLIMDIP樣品
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浮思特 | 晶圓級(jí)石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管生物傳感器陣列的集成與應(yīng)用研究
近年來(lái),生物傳感器的發(fā)展已成為一個(gè)重要的研究重點(diǎn),具有改革醫(yī)療和診斷的潛力。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),生物傳感器是通過(guò)生成與反應(yīng)中分析物濃度成正比的信號(hào)來(lái)測(cè)量生物反應(yīng)的...
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Bourns HVMA03F4A-LP8S門驅(qū)動(dòng)變壓器的特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)
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意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新,智能功率氮化鎵(GaN)成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性,以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽:意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 572 0
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