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標簽 > 晶圓
晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。
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HMDS，BARC是光刻工序中比較常用的化學品，但是它們并不能用顯影液除去，根據(jù)是什么？它們一定要除去嗎？有哪幾種去除的方式？
本發(fā)明一般涉及清洗和蝕刻硅表面的方法，以及更具體地涉及使用NF在低溫下預清洗晶片，在使用硅晶片制造半導體器件的過程中，在硅晶片的硅表面上可能會形成污染物...
目前最先進的黃光微影制程中，使用ArF準分子雷射（λ=193nm）作為光源。nm為nano-meter，代表10的負九次方。
隨著半導體技術(shù)的飛速發(fā)展，晶圓作為半導體制造的基礎材料，其質(zhì)量對最終芯片的性能和可靠性至關重要。然而，在晶圓制造過程中，由于多種因素的影響，晶圓表面和內(nèi)...
晶圓級WLP微球植球機是高端IC封裝的核心設備之一，晶圓上凸點（Bump）的制作是關鍵技術(shù)。闡述了WLP封裝工藝流程，對三種晶圓級封裝凸點制作技術(shù)進行了...
當聽到“半導體”這個詞時，你會想到什么？它聽起來復雜且遙遠，但其實已經(jīng)滲透到我們生活的各個方面：從智能手機、筆記本電腦、信用卡到地鐵，我們?nèi)粘Ｉ钏蕾?..
肖特基的硅片上制作孔專利 此后， IBM開始在集成電路領域發(fā)力，并在垂直電互連方面取得了突破。
設備功能：將兩片晶圓互相結(jié)合，并使表面原子互相反應，產(chǎn)生共價鍵合，合二為一，是實現(xiàn)3D晶圓堆疊的重要設備。
半導體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。
混合鍵合（Hybrid Bonding）是半導體封裝領域的新興技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度三維集成，無需傳統(tǒng)的焊料凸點。本文探討混合鍵合的基本原理、相比傳統(tǒng)方法...
嵌套環(huán)MEMS陀螺的發(fā)展現(xiàn)狀
波音公司提出的嵌套環(huán)MEMS陀螺如圖2（a）所示，其直徑約8mm，環(huán)與環(huán)之間的間隙較大，可以用來設置內(nèi)部電極用于驅(qū)動、檢測或靜電修調(diào)。該陀螺具有較大的等...
三維異構(gòu)集成技術(shù)發(fā)展的競爭態(tài)勢分析
一是將芯片封裝架構(gòu)由平面拓展至2.5D 或3D，可實現(xiàn)更小更緊湊的芯片系統(tǒng);二是可以融合不同的半導體材料、工藝、器件的優(yōu)點，實現(xiàn)更復雜的功能和更優(yōu)異的性能;
1200V-600A/450A IGBT模塊產(chǎn)品性能
1200V-600A/450A IGBT模塊被廣泛應用于新能源光伏和集中式儲能、大功率工業(yè)電機變頻及伺服、新能源車電驅(qū)等重要系統(tǒng)中。在這些應用系統(tǒng)中，I...
激光芯片的可靠性是一項十分關鍵的指標，無論是小功率的激光筆還是要求較高的激光通信芯片，都需要進行芯片的老化和可靠性的測試。
TSV 指 Through Silicon Via，硅通孔技術(shù)，是通過硅通道垂直穿過組成堆棧的不同芯片或不同層實現(xiàn)不同功能芯片集成的先進封裝技術(shù)。TSV...
在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場效應晶體管
雖然晶體管沒有夾斷，但柵極電位確實調(diào)制了漏極電流（高達1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...
晶棒需要經(jīng)過一系列加工，才能形成符合半導體制造要求的硅襯底，即晶圓。加工的基本流程為：滾磨、切斷、切片、硅片退火、倒角、研磨、拋光，以及清洗與包裝等。
在芯片制造領域，鍵合技術(shù)是一項至關重要的工藝，它直接關系到芯片的性能、可靠性以及生產(chǎn)成本。本文將深入探討芯片制造技術(shù)中的鍵合技術(shù)，包括其基本概念、分類、...
在半導體制程工藝中，有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝，如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉，“刻蝕”工藝則是...
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