完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章:1543個(gè) 瀏覽:117371次 帖子:76個(gè)
傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...
氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...
2023-02-13 標(biāo)簽:激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3057 0
提供精確測(cè)量磁芯損耗的能力對(duì)于磁設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來越高的頻率下運(yùn)行的新半導(dǎo)體技術(shù)的引入,該主題變得越來越重要。這些...
氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...
2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3032 0
氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景
氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...
2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 3031 0
中國(guó)采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無線輸電
氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎,比如高合汽車采用GaN無線充電,而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。
進(jìn)入90年代以后,第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn),使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...
2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2938 0
利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率
但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲(MHz)范圍的供電電壓?我們可以通過不同的方法來實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...
2020-08-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 2906 0
OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中,我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別,包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...
相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù),其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下,普通充電器...
安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效
氮化鎵(GaN),作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù),提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比,GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍,廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...
晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...
2024-08-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 2824 0
如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能?
氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)...
2016-06-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 2822 0
制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)(鈉熔劑法) 豐田合成表示,6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。
2022-11-18 標(biāo)簽:氮化鎵 2814 0
DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分,規(guī)范和測(cè)量
多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾 (EMI) 以滿足相關(guān)要求,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。
2019-08-09 標(biāo)簽:emiDC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 2798 0
基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)
眾所周知,氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而,在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿足EMC法規(guī)(例如EN55...
氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)良的電學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中,主要包括以下幾個(gè)方面:材料準(zhǔn)備、芯...
2024-01-10 標(biāo)簽:芯片電子器件半導(dǎo)體材料 2758 0
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |