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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

氮化鎵的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)!

傳統(tǒng)上,半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅(Si),因?yàn)樗S富且價(jià)格合理。但是,半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外,它們中的大多數(shù)還提供額外的好處,例如碳...

2022-12-13 標(biāo)簽:晶體管SiC氮化鎵 3132 0

又是碳化硅(SiC),它到底好在哪里?

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碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里?

2021-06-02 標(biāo)簽:MOSFET逆變器IGBT 3121 0

氮化鎵半導(dǎo)體屬于金屬材料嗎

氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料,它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求,我將詳細(xì)介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化...

2024-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體高電壓氮化鎵 3093 0

氮化鎵技術(shù)概念股

氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常...

2023-02-13 標(biāo)簽:激光二極管半導(dǎo)體材料氮化鎵 3057 0

通過精密功率分析準(zhǔn)確量化磁芯損耗?

通過精密功率分析準(zhǔn)確量化磁芯損耗?

提供精確測(cè)量磁芯損耗的能力對(duì)于磁設(shè)計(jì)和熱設(shè)計(jì)具有重要意義。由于碳化硅和氮化鎵等能夠在越來越高的頻率下運(yùn)行的新半導(dǎo)體技術(shù)的引入,該主題變得越來越重要。這些...

2022-08-09 標(biāo)簽:濾波器磁芯氮化鎵 3053 0

氮化鎵mos管型號(hào)有哪些

氮化鎵(GaN)MOS管,是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。由于氮化鎵具有優(yōu)異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的...

2024-01-10 標(biāo)簽:電阻MOS管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 3032 0

氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景

氮化鎵簡(jiǎn)介及其應(yīng)用場(chǎng)景

氮化鎵(Gallium Nitride,簡(jiǎn)稱GaN)作為最新一代的半導(dǎo)體材料,近年來在電力電子應(yīng)用領(lǐng)域引發(fā)了廣泛關(guān)注。其卓越的性能和獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),使其成為...

2024-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 3031 0

中國(guó)采用氮化鎵實(shí)現(xiàn)了20米無線輸電

氮化鎵不僅受到近距離無線充電的歡迎,比如高合汽車采用GaN無線充電,而且遠(yuǎn)距離無線輸電也在采用氮化鎵技術(shù)。

2022-12-08 標(biāo)簽:氮化鎵無線輸電 2945 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后,第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn),使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初,碳化硅,氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2938 0

利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率

利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率

但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲(MHz)范圍的供電電壓?我們可以通過不同的方法來實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...

2020-08-26 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 2906 0

oppo氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

OPPO 氮化鎵充電器和普通充電器之間有很多區(qū)別。在本文中,我將詳細(xì)講解這兩種充電器的區(qū)別,包括技術(shù)原理、充電速度、耐用性以及兼容性等方面。 一、技術(shù)原...

2024-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體充電器OPPO 2892 0

相同功率氮化鎵充電器和普通充電器區(qū)別

相同功率的氮化鎵充電器與普通充電器之間存在著一些關(guān)鍵的區(qū)別。氮化鎵充電器是一種新興的充電器技術(shù),其采用了氮化鎵半導(dǎo)體材料來提供電源。相比之下,普通充電器...

2024-01-10 標(biāo)簽:電阻充電器氮化鎵 2832 0

安森美半導(dǎo)體GaN晶體管——追求更快、更智能和更高能效

氮化鎵(GaN),作為時(shí)下新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù),提供超越硅的多種優(yōu)勢(shì)。與硅器件相比,GaN在電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度上實(shí)現(xiàn)了性能的飛躍,廣泛應(yīng)用于功率因數(shù)...

2016-06-28 標(biāo)簽:安森美氮化鎵GaN 2826 0

晶體管的主要材料有哪些

晶體管的主要材料是半導(dǎo)體材料,這些材料在導(dǎo)電性能上介于導(dǎo)體和絕緣體之間,具有獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)和性質(zhì),使得晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)電流的有效控制。以下將詳細(xì)探討晶體...

2024-08-15 標(biāo)簽:晶體管半導(dǎo)體材料氮化鎵 2824 0

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能?

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能?

氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多,從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而,當(dāng)壓擺率很高時(shí),特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開關(guān)...

2016-06-06 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 2822 0

6吋氮化鎵單晶背后關(guān)鍵核心技術(shù)解析

制造大直徑GaN襯底的要點(diǎn)(鈉熔劑法) 豐田合成表示,6英寸功率半導(dǎo)體氮化鎵襯底的研發(fā)得益于早期LED氮化鎵襯底技術(shù)的積累。

2022-11-18 標(biāo)簽:氮化鎵 2814 0

DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分,規(guī)范和測(cè)量

DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分,規(guī)范和測(cè)量

多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾 (EMI) 以滿足相關(guān)要求,系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。

2019-08-09 標(biāo)簽:emiDC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 2798 0

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)

基于氮化鎵的高頻圖騰柱PFC優(yōu)化設(shè)計(jì)

眾所周知,氮化鎵功率器件為電力電子系統(tǒng)提高頻率運(yùn)行,實(shí)現(xiàn)高功率密度和高效率帶來可能。然而,在高頻下需要對(duì)EMI性能進(jìn)行評(píng)估以滿足EMC法規(guī)(例如EN55...

2023-10-16 標(biāo)簽:衰減器氮化鎵PFC電路 2797 0

氮化鎵技術(shù)是什么原理

氮化鎵技術(shù)是什么原理

氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點(diǎn)高穩(wěn)定...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體發(fā)光二極管氮化鎵 2783 0

氮化鎵芯片生產(chǎn)工藝有哪些

氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)良的電學(xué)性能,廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中,主要包括以下幾個(gè)方面:材料準(zhǔn)備、芯...

2024-01-10 標(biāo)簽:芯片電子器件半導(dǎo)體材料 2758 0

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德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
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Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
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