PD65W氮化鎵快充電源應(yīng)用方案

設(shè)計(jì)大電流，高開(kāi)關(guān)頻率同步降壓電路時(shí)，要想設(shè)計(jì)一個(gè)穩(wěn)定可靠的系統(tǒng)，PCB布局顯得尤為重要。同步整流ic U7110W設(shè)計(jì)同步整流電路時(shí)建議參考下圖的內(nèi)容...

2025-08-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵同步整流電路 3.5k 0

如何最大限度地?cái)U(kuò)大基于氮化鎵 (GaN) 功率放大器的雷達(dá)系統(tǒng)的探測(cè)距離

雷達(dá)已成為軍事監(jiān)視、空中交通管制、太空任務(wù)和汽車安全等無(wú)數(shù)應(yīng)用領(lǐng)域不可或缺的設(shè)備。對(duì)于設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，最具挑戰(zhàn)性的情況是遠(yuǎn)程雷達(dá)，因?yàn)樵谶@種情況下，返回信...

2025-04-30 標(biāo)簽：氮化鎵GaN 3.5k 0

調(diào)節(jié)氮化鎵熱量實(shí)現(xiàn)高溫穩(wěn)定性的MEMS諧振器

盡管基于硅的MEMS諧振器實(shí)現(xiàn)了高的時(shí)間分辨率，并且具有較小的相位噪聲和更理想的集成能力，但是它在較高溫度下不穩(wěn)定。

2021-01-29 標(biāo)簽：CMOS氮化鎵MEMS諧振器 3.4k 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET逆變器IGBT 3.3k 0

利用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動(dòng)器實(shí)現(xiàn)的功率及效率

但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過(guò)不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...

2020-08-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器晶體管氮化鎵 3.3k 0

GaN HEMT器件結(jié)構(gòu)解析

硅材料的功率半導(dǎo)體器件已被廣泛應(yīng)用于大功率開(kāi)關(guān)中，如電源、電機(jī)控制、工廠自動(dòng)化以及部分汽車電子器件。這些硅材料功率半導(dǎo)體器件都著重于減少功率損耗。在這些...

2023-11-09 標(biāo)簽：集成電路氮化鎵功率半導(dǎo)體 3.3k 0

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)

設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的器件。與電子開(kāi)關(guān)使用的傳統(tǒng)硅解決方案相比，這些新型寬帶隙技術(shù)具有...

2023-10-12 標(biāo)簽：SiC氮化鎵電子開(kāi)關(guān) 3.2k 1

SIC比SI有什么優(yōu)勢(shì)？碳化硅優(yōu)勢(shì)的實(shí)際應(yīng)用

SiC的導(dǎo)熱性大約是Si的三倍，并且將其他特性的所有優(yōu)點(diǎn)結(jié)合在一起。導(dǎo)熱率是指熱量從半導(dǎo)體結(jié)傳遞到外部環(huán)境的速度。這意味著SiC器件可以在高達(dá)200°C...

2023-11-23 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車逆變器IGBT 3.2k 0

高效氮化鎵電源設(shè)計(jì)方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進(jìn)而有助于降低終端應(yīng)用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，...

2023-08-01 標(biāo)簽：電源整流器德州儀器 3.1k 0

基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)

基于增強(qiáng)型氮化鎵（eGaN?技術(shù)）的電源轉(zhuǎn)換器的優(yōu)點(diǎn)，其現(xiàn)有數(shù)據(jù)中心和集中于低至1VDC負(fù)載電壓的48 VDC輸入電壓所用的電信架構(gòu)解決方案。

2021-01-20 標(biāo)簽：服務(wù)器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 3.1k 0

氮化鎵晶體管是如何提高開(kāi)關(guān)效率的？

近幾十年來(lái)，電力電子設(shè)備發(fā)展迅速，主要是由于半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快，這使得設(shè)計(jì)更小的電力存儲(chǔ)組件（如電容器和電感）成為可能。結(jié)合更高的效率，這可以實(shí)現(xiàn)更...

2023-03-08 標(biāo)簽：氮化鎵GaN晶體管氮化鎵晶體管 3.1k 0