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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應用。
Vivo是一家知名的中國智能手機制造商，其氮化鎵充電器和普通充電器之間存在許多區(qū)別。本文章將介紹這些區(qū)別，內(nèi)容將包括充電器的工作原理、快速充電能力、安全...
拆解：公牛67W氮化鎵快充插座，采用智融SW3516P主控芯片！
看了一個拆解視頻。公牛67W氮化鎵快充移動插座。 采用黑色外殼，搭配銀色面板，更加適配現(xiàn)代裝飾風格。插座配備了一個新國標五孔插孔和一個新國標兩孔插孔，并...
基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D LED技術(shù)
Aledia于2011年從Cea-Leti剝離出來，開發(fā)了一種基于標準200mm Si平臺的顛覆性3D?LED技術(shù)，與傳統(tǒng)的2D?LED技術(shù)相比，這將降...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導...
C2000?實時微控制器 （MCU）應對GaN 開關(guān)挑戰(zhàn)
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...
高通公司總裁 Cristiano Amon 在2018 高通 4G / 5G 峰會上表示：預計明年上半年和年底圣誕新年檔期將會是兩波 5G 手機上市潮，...
觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國防業(yè)務部門總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...
集成柵極驅(qū)動器的GaN ePower超快開關(guān)
氮化鎵場效應晶體管在許多電力電子應用中持續(xù)獲得關(guān)注，但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間，但GaN...
氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。
近年來，以SiC（SiC）、氮化鎵（GaN）等材料為代表的化合物半導體因其寬禁帶、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等優(yōu)異的性能而飽受關(guān)注。
線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析
傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級聯(lián)小信號增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...
2020-12-21 標簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3257 0
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通...
具有保護功能的GaN器件實現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計的挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
2020-12-20 標簽：開關(guān)電源場效應晶體管氮化鎵 3236 0
【全套國產(chǎn)芯片】亞成微65W高功率密度氮化鎵快充參考設(shè)計評測
對亞成微 65W氮化鎵快充參考設(shè)計進行溫升測試，在溫度約為25℃的恒溫箱內(nèi)以 功率持續(xù)輸出1小時，測得該方案正面最高溫度約為108℃，最高溫度點出現(xiàn)在變...
LED（發(fā)光二極管）已經(jīng)成為了現(xiàn)代照明和電子領(lǐng)域的主力軍，因為它們不僅具有高效能、長壽命和低能耗等優(yōu)點，還能夠發(fā)出多種不同的顏色的光。本文將從LED的類...
作者：Alex Lidow，Michael de Rooij，Andreas Reiter 氮化鎵（GaN）功率器件已投入生產(chǎn)10多年，除了性能和成本方...
提高能效一直是電源制造商的一個長期目標。這是真正的“雙贏”，因為這不僅降低運行成本，而且減少了以熱的形式浪費能量，意味著需要更少的散熱管理，從而減小了電...
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