氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別

氮化鎵芯片和硅芯片是兩種不同材料制成的半導(dǎo)體芯片，它們在性能、應(yīng)用領(lǐng)域和制備工藝等方面都有明顯的差異。本文將從多個方面詳細比較氮化鎵芯片和硅芯片的特點和...

2024-01-10 標簽：功率放大器氮化鎵硅芯片 2759 0

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體的區(qū)別

氮化鎵半導(dǎo)體和碳化硅半導(dǎo)體是兩種主要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在諸多方面都有明顯的區(qū)別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學(xué)性能以...

2023-12-27 標簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅半導(dǎo)體 2750 0

氮化鎵和碳化硅哪個有優(yōu)勢

氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）都是當前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者，它們各自具有獨特的優(yōu)勢，應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較： 氮化鎵（GaN）...

2024-09-02 標簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 2678 0

氮化鎵mos管驅(qū)動芯片有哪些

氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導(dǎo)體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...

2023-12-27 標簽：MOS管電子器件氮化鎵 2661 0

氮化鎵芯片的應(yīng)用及比較分析

隨著信息技術(shù)和通信領(lǐng)域的不斷發(fā)展，對高性能芯片的需求也越來越大。作為半導(dǎo)體材料中的重要組成部分，氮化鎵芯片因其優(yōu)異的性能在近年來受到了廣泛關(guān)注。本文將詳...

2024-01-10 標簽：芯片半導(dǎo)體材料氮化鎵 2660 0

碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務(wù)中的應(yīng)用

為了能夠滿足這些新應(yīng)用程序所需必要的網(wǎng)絡(luò)吞吐量和可靠性，則需要運用新的技術(shù)。實現(xiàn)下一層級互聯(lián)互通的部分問題在于，在為同一區(qū)域內(nèi)的一個量級或更多附加用戶設(shè)...

2020-06-11 標簽：功率放大器天線氮化鎵 2609 0

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲存系統(tǒng)、高頻與大功率之微波電子元件等商業(yè)用途。然而...

2013-06-06 標簽：LCD氮化鎵GaN 2606 0

氮化鎵技術(shù)的用處是什么

氮化鎵技術(shù)（GaN技術(shù)）是一種基于氮化鎵材料的半導(dǎo)體技術(shù)，被廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備、光電子器件、能源、通信和國防等領(lǐng)域。本文將詳細介紹氮化鎵技術(shù)的用途和應(yīng)用...

2024-01-09 標簽：功率放大器電子設(shè)備半導(dǎo)體技術(shù) 2578 0

氮化鎵材料為什么如此昂貴？

可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關(guān)頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...

2023-02-11 標簽：充電器電感氮化鎵 2557 0

氮化鎵芯片應(yīng)用前景如何

隨著半導(dǎo)體化合物持續(xù)發(fā)展，相較第一代硅基半導(dǎo)體和第二代砷化鎵等半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子遷移率、高工作溫度等優(yōu)點。以SiC和G...

2023-02-05 標簽：芯片氮化鎵GaN 2549 0