完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章：1577個(gè) 瀏覽：117729次 帖子：77個(gè)
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵(GaN)晶體管的VIPer器件
VIPERGAN50是VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是我們首款采用氮化鎵(GaN)晶體管...
2022-04-09 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 2068 0
ST推出內(nèi)置氮化鎵MOS的緊湊型控制芯片VIPERGAN65，尺寸為5*6mm，支持PD快充和緊湊型電源，提供OVP、OTP、OLP、Brown-in、...
氮化鎵晶體管簡(jiǎn)化大電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器設(shè)計(jì)
叉車應(yīng)用的逆變器由 24 V 至 120 V 之間的直流電壓供電，可提供高達(dá) 900 ARMS 電機(jī)相電流。通常，每個(gè)生產(chǎn)商都有一個(gè)平臺(tái)方法，并銷售按電...
2023-10-18 標(biāo)簽：逆變器微處理器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 2010 0
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計(jì)算機(jī)芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)...
2023-11-29 標(biāo)簽：集成電路MOSFET半導(dǎo)體材料 2004 0
氮化鎵（GaN）寬帶隙技術(shù)的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)
隨著世界希望電氣化有助于有效利用能源并轉(zhuǎn)向可再生能源，氮化鎵（GaN）等寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)的時(shí)機(jī)已經(jīng)成熟。傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT的性能現(xiàn)在接近材料的...
在第 8 部分，我們將探討隔離式 DC/DC 電路的共模噪聲抑制方法。工作在高輸入電壓下的轉(zhuǎn)換器（例如，電動(dòng)汽車車載充電系統(tǒng)、數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)和射頻功放...
2023-03-29 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 2000 0
在上周的推文中，我們回顧了半導(dǎo)體材料發(fā)展的前兩個(gè)階段：以硅(Si)和鍺(Ge)為代表的第一代和以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)為代表的第二代。（了...
2023-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料氮化鎵 1957 0
過去在電子工業(yè)中知名的普萊思半導(dǎo)體有限公司，已交付到能夠一次處理7個(gè)6英寸的晶片的Aixtron（愛思強(qiáng)）公司，并用于生產(chǎn)高亮度LED。普萊思正在利用自...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?；贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻，其性能明顯...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...
如今，圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn)，第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常...
一種是通過生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延，下游用于新能源汽車、光伏、工控、軌交等功率領(lǐng)域的導(dǎo)電型襯底，外延層上制造各類功率器件； 另一種是通過生長(zhǎng)氮化鎵異質(zhì)外延...
氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)
不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉(zhuǎn)換和功率放大的半導(dǎo)體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實(shí)...
本文研究了四個(gè)經(jīng)常被忽略的因素對(duì)基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時(shí)變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動(dòng)力學(xué)、殼...
2023-12-06 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1843 0
聚焦大功率氮化鎵（GaN）器件及其在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的相關(guān)熱問題
熱設(shè)計(jì)是一個(gè)至關(guān)重要的課題，其中的各種規(guī)則、縮略語和復(fù)雜方程時(shí)常讓人感到它似乎是個(gè)深不可測(cè)的神秘領(lǐng)域；
氮化鎵（GaN）為從RF-IC到眾多功率控制IC（例如通信，能源和軍事應(yīng)用中使用的大功率HEMT）等各種模擬微芯片提供了顯著的性能優(yōu)勢(shì)。GaN還是高能效...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一...
智融科技是國內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動(dòng)電源快充SOC芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動(dòng)電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
| 伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |
關(guān)注我們的微信
下載發(fā)燒友APP
電子發(fā)燒友觀察
版權(quán)所有 ? 湖南華秋數(shù)字科技有限公司
長(zhǎng)沙市望城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)航空路6號(hào)手機(jī)智能終端產(chǎn)業(yè)園2號(hào)廠房3層（0731-88081133）
電子發(fā)燒友 （電路圖） 湘公網(wǎng)安備43011202000918
工商網(wǎng)監(jiān)
湘ICP備2023018690號(hào)-1
