碳化硅功率器件的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)時(shí)，其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅（SiC）功率器件的出現(xiàn)，為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變，成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。

2024-01-06 標(biāo)簽：功率器件SiC氮化鎵 847 0

安規(guī)貼片Y電容有什么優(yōu)勢(shì)？

傳統(tǒng)的安規(guī)Y電容是插件形式的，體積較大，安裝很占用空間，同時(shí)還需要人工插件，安裝效率極低，為了解決這個(gè)難題，科雅推出了JK-ET系列貼片Y電容，什么是安...

2023-09-06 標(biāo)簽：電容電路板氮化鎵 805 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFETSiC氮化鎵 793 0

氮化鎵電源IC U8723AHS產(chǎn)品介紹

恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護(hù)等特性，適用于一些功率要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景，如充電器、LED驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...

2025-05-07 標(biāo)簽：氮化鎵GaN電源芯片 781 0

GaN高功率整流器的設(shè)計(jì) 氮化鎵整流器的電氣特性

報(bào)告內(nèi)容包含： 動(dòng)機(jī) 理論計(jì)算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)

2022-11-17 標(biāo)簽：整流器氮化鎵GaN 719 0

基于氮化鎵器件的集成化技術(shù)詳解

通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。

2023-04-07 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 652 0

什么是 GaN 氮化鎵？2

對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...

2023-02-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 646 0

氮化鎵快充芯片U8722SP的主要特征

在輕載和空載狀態(tài)下，當(dāng)FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時(shí)，系統(tǒng)進(jìn)入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動(dòng)作。當(dāng)FB電壓超過VSKIP_OUT(典...

2025-04-29 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充芯片 630 0

GaN如何在電子工程行業(yè)掀起一場(chǎng)革命

GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。

2023-01-29 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵GaN 626 0

關(guān)于碳化硅半導(dǎo)體的8大誤區(qū)有哪些

SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個(gè)工程術(shù)語，通常用來描述一個(gè)系統(tǒng)或部件在面對(duì)不確定性、干擾或異常條件時(shí)的穩(wěn)定性或可靠性。

2023-09-21 標(biāo)簽：IGBTSiC氮化鎵 593 0