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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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納微新一代GaNSense? Control合封芯片的應(yīng)用電路
GaNSense Control合封氮化鎵功率芯片具有單片集成的 GaN 功率 FET 和 GaN 驅(qū)動器的所有優(yōu)點，加上單個表面貼裝封裝中的控制和保護...
CS管腳通常用于采樣電感電流，實現(xiàn)峰值電流控制，并且可以限制最大輸入電流，從而實現(xiàn)過流保護功能。?此外，CS管腳還可以用于設(shè)定系統(tǒng)的最高工作頻率。通過連...
過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以...
報告內(nèi)容包含： 動機 理論計算 氮化鎵材料參數(shù) 固有載流子濃度 擊穿電壓 (VB) 通態(tài)電阻 (RON)
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 （GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
氮化鎵PD快充芯片U8722DAS集成輕載SR應(yīng)力優(yōu)化功能，在輕載模式下，芯片將原邊開通速度減半（如配置為特定驅(qū)動電流檔位時），減緩開關(guān)動作的瞬態(tài)變化，...
TPS7H6015-SEP 耐輻射 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
TPS7H60x5 系列抗輻射保證 （RHA） 氮化鎵 （GaN） 場效應(yīng)晶體管 （FET） 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率和大電流應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 ...
EMI性能為高頻交直流轉(zhuǎn)換器的設(shè)計難點，為此氮化鎵電源芯片U8726AHE通過DEM管腳集成了驅(qū)動電流分檔配置功能。通過配置DEM管腳分壓電阻值，可以選...
前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計并測試了第一個木制晶體管。團隊發(fā)表了一篇題為“木材電化學晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學晶體管...
商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號 關(guān)于對鎵、鍺相關(guān)物項實施出口管制的公告
恒功率電源芯片具有穩(wěn)壓、高效、過載保護等特性，適用于一些功率要求嚴格的應(yīng)用場景，如充電器、LED驅(qū)動器、電動工具等。今天推薦的深圳銀聯(lián)寶帶恒功率集成高壓...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當正柵壓增至大于閾值電壓時,將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導電溝道,器件呈導通狀態(tài)。
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應(yīng)用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應(yīng)用。
SiC的魯棒性不如硅IGBT在這里，“魯棒性”是一個工程術(shù)語，通常用來描述一個系統(tǒng)或部件在面對不確定性、干擾或異常條件時的穩(wěn)定性或可靠性。
在輕載和空載狀態(tài)下，當FB管腳電壓低于VSKIP_IN(典型值 0.4V)時，系統(tǒng)進入打嗝模式工作,，停止開關(guān)動作。當FB電壓超過VSKIP_OUT(典...
當 750V 第 4 代 SiC FET 與第 3 代 650V 的比較令人吃驚——例如，6 毫歐器件顯示兩個 R 的強度幾乎減半DS?品質(zhì)因數(shù)和體二極...
案例分析：米物140W 3C1A智顯秒充氮化鎵充電器CA514 Pro
前言最近充電頭網(wǎng)拿到了米物一款140W智顯秒充氮化鎵充電器CA514Pro，其配置有3C1A四個接口，不僅支持最高140WPD3.1高性能快充輸出，還支...
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