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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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德州儀器的默認過流保護方法被歸類為“電流鎖存”保護；這意味著，若在器件中檢測到任何過流故障，F(xiàn)ET將安全關(guān)斷，并在故障復位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
氮化鎵在任何功率級別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權(quán)衡，...
30W氮化鎵電源ic U8608集成E-GaN和驅(qū)動電流分檔功能，通過調(diào)節(jié)驅(qū)動電流檔位，可以減少電磁干擾（EMI），優(yōu)化系統(tǒng)的整體性能和待機功耗。具體來...
ADPA1106 46 dBm (40 W)、2.7 GHz至3.5 GHz GaN功率放大器技術(shù)手冊
ADPA1106是一款氮化鎵(GaN)寬帶功率放大器，在2.7 GHz至3.1 GHz的帶寬內(nèi)，可提供46 dBm (40 W)和56%的典型功率附加效...
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅(qū)動電源-常規(guī)雙極驅(qū)動程序 GaN GIT （G...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
如今，越來越多的設(shè)計人員在各種應(yīng)用中使用基于 GaN 的反激式 AC/DC 電源。氮化鎵很重要，因為它有助于提高功率晶體管的效率，從而減小電源的尺寸并降...
氮化鎵快充芯片U8722BAS復用CS管腳以設(shè)定系統(tǒng)最高工作頻率，CS管腳連接如圖所示。 芯片啟動時，U8722BAS通過檢測RSEL電阻從而決定芯片最...
寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著，當電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動時，具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運行，不...
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
MasterGaN 將硅與 GaN 相結(jié)合，以加速創(chuàng)建下一代緊湊型高效電池充電器和電源適配器，適用于高達 400 W 的消費和工業(yè)應(yīng)用。通過使用 GaN...
700V/165mΩ HV高壓啟動頻率可調(diào)氮化鎵快充芯片U8766，推薦功率為65W，代表機型有5V3A、9V3A、12V3A、15V3A、20V3.25A等。
谷底鎖定模式是一種應(yīng)用于開關(guān)電源如反激式拓撲、準諧振電源中的關(guān)鍵技術(shù)，其核心在于通過精確控制開關(guān)管的導通時機以降低損耗和提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。在深圳銀聯(lián)寶科技...
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
2025-02-21 標簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 909 0
當設(shè)備溫度超過設(shè)定閾值時，外置OTP功能會自動觸發(fā)，降低設(shè)備功率或關(guān)閉設(shè)備，以防止過熱，這對于保護設(shè)備內(nèi)部組件和延長設(shè)備壽命至關(guān)重要。在檢測到溫度升高時...
基于GaN的轉(zhuǎn)換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關(guān)頻率和死區(qū)時間的增加，基于硅的轉(zhuǎn)...
2023-02-08 標簽：轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 874 0
過壓保護和欠壓保護是維護芯片電路安全運行的關(guān)鍵功能。有些芯片會提供一個欠壓保護引腳，當欠壓保護被觸發(fā)時，該引腳會產(chǎn)生一個信號。通過檢測該引腳的狀態(tài)，可以...
LM5113-Q1系列 用于 GaNFET 的汽車級 1.2A/5A、100V 半橋柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊
LM5113-Q1 旨在以同步降壓、升壓或半橋配置驅(qū)動汽車應(yīng)用中的高壓側(cè)和低壓側(cè)增強型氮化鎵 （GaN） FET 或硅 MOSFET。該器件具有集成的 ...
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