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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱(chēng)Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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淺析氮化鎵器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)技術(shù)
Driver Supply - Conventional Bipolar Driver 驅(qū)動(dòng)電源-常規(guī)雙極驅(qū)動(dòng)程序 GaN GIT （G...
2022-11-14 標(biāo)簽：氮化鎵驅(qū)動(dòng)電源 876 0
用戶(hù)指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊，通過(guò)外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 875 0
目前GaN正逐漸廣泛應(yīng)用的四個(gè)主要中電壓領(lǐng)域
這篇技術(shù)文章由德州儀器（TEXAS INSTRUMENTS）的 Srijan Ashok 撰寫(xiě)，主要介紹了中電壓氮化鎵（GaN）在四種應(yīng)用領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)...
ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8GHz技術(shù)手冊(cè)
ADPA1122 是一款氮化鎵 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 頻率范圍內(nèi)，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 4...
具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...
今天看到一家剛成立3年，專(zhuān)做化合物半導(dǎo)體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專(zhuān)門(mén)生產(chǎn)碳化硅及氮化鎵相關(guān)外延片，同時(shí)提供包含GaN on Silicon、...
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過(guò)集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過(guò)充電、過(guò)放電、過(guò)電流等問(wèn)題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
氮化鎵半導(dǎo)體器件驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體技術(shù)和模塊式設(shè)計(jì)的進(jìn)步，使得微波頻率的高功率連續(xù)波(CW)和脈沖放大器成為可能。
2023-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體脈沖放大器 861 0
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過(guò)控制輸出電流...
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽：FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 845 0
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，使用增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 843 0
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無(wú)引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 841 0
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導(dǎo)通電阻（1/100 于Si），導(dǎo)通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...
U860X氮化鎵快充芯片系列在原有的U8607、U8608基礎(chǔ)上，升級(jí)增加U8609料號(hào)，同時(shí)具備了輸入欠壓及軟入過(guò)壓保護(hù)功能，有需求的小伙伴趕緊看過(guò)來(lái)！
2025-02-08 標(biāo)簽：氮化鎵功率開(kāi)關(guān)管快充芯片 835 0
基于氮化鎵的碳化硅功率MOSFET高頻諧振柵極驅(qū)動(dòng)器
對(duì)于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件而言，優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)尤為重要。此類(lèi)轉(zhuǎn)換器的快速開(kāi)關(guān)需仔細(xì)考量寄生參數(shù)、過(guò)沖/欠沖現(xiàn)象以及...
2025-05-08 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 833 0
氮化鎵（GaN）作為第三代半導(dǎo)體器件，憑借其優(yōu)異的性能，在PD快充領(lǐng)域被廣泛使用。
“后起之秀”氮化鎵未來(lái)幾大新的增長(zhǎng)點(diǎn)
來(lái)源：電子工程專(zhuān)輯 比碳化硅器件，氮化鎵功率器件在同時(shí)對(duì)效率、頻率、體積等綜合方面有要求的場(chǎng)景中，將更有優(yōu)勢(shì)，比如氮化鎵基器件已成功規(guī)模應(yīng)用于快充領(lǐng)域。...
帶恒功率、底部無(wú)PAD的氮化鎵芯片U872XAHS系列型號(hào)分別為U8722AHS、U8723AHS、U8724AHS。耐壓700V，內(nèi)阻1.0--1.2...
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載
氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì)總結(jié) 先上鏈接，感興趣的朋友可以直接下載： *附件：氮化鎵晶體管的并聯(lián)設(shè)計(jì).pdf 一、引言 ? 應(yīng)用場(chǎng)景 ?：并聯(lián)開(kāi)關(guān)管廣泛應(yīng)用...
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