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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 481 0
寬電壓范圍是指設(shè)備或系統(tǒng)能夠在較寬的電壓區(qū)間內(nèi)正常工作的能力。這意味著，當(dāng)電網(wǎng)電壓或供電電壓在一定范圍內(nèi)波動(dòng)時(shí)，具備寬電壓范圍的設(shè)備仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行，不...
海凌科40WACDC系列氮化鎵電源模塊，具有全球輸入電壓范圍、低溫升、低功耗、高效率、高可靠性、高安全隔離等優(yōu)點(diǎn)，轉(zhuǎn)換效率高達(dá)91%，應(yīng)用廣泛，性價(jià)比高...
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而，這些器件在長期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...
芯片?恒功率控制，意味著無論負(fù)載變化如何，系統(tǒng)都能保持恒定的輸出功率，確保設(shè)備在各種工作條件下都能穩(wěn)定運(yùn)行。當(dāng)檢測到系統(tǒng)溫度過高時(shí)，主動(dòng)降功率功能會(huì)啟動(dòng)...
通過凹槽切斷柵極下方的2DEG，使得器件在零柵壓下為關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)正柵壓增至大于閾值電壓時(shí),將在柵界面處形成電子積累層以作為器件的導(dǎo)電溝道,器件呈導(dǎo)通狀態(tài)。
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
商務(wù)部/海關(guān)總署發(fā)布對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制
商務(wù)部 海關(guān)總署公告2023年第23號(hào) 關(guān)于對(duì)鎵、鍺相關(guān)物項(xiàng)實(shí)施出口管制的公告
前不久，來自瑞典的研究人員就設(shè)計(jì)并測試了第一個(gè)木制晶體管。團(tuán)隊(duì)發(fā)表了一篇題為“木材電化學(xué)晶體管中的電流調(diào)制”的論文，討論了他們最近開發(fā)的木材電化學(xué)晶體管...
TIDA-010236：適用于電器的 4kW GaN 圖騰柱 PFC參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是一款 4kW 連續(xù)導(dǎo)通模式 （CCM） 圖騰柱功率因數(shù)校正 （PFC），具有頂部冷卻的氮化鎵 （GaN） 子板和TMS320F280025C...
TIDA-050074：140W 基于 GaN 的 USB PD3.1 USB-C? 適配器參考設(shè)計(jì)
此參考設(shè)計(jì)是基于氮化鎵 （GaN） 的 140W AC-DC 電源，具有高效率和功率密度。它支持寬輸入（90V~交流~至 264V ~交流~ ） 和輸出...
LMG342x 評(píng)估模塊LMG342X-BB-EVM概述
LMG342X-BB-EVM 是一款易于使用的分線板，可將任何 LMG342xR0x0 半橋板（如 LMG3422EVM-043）配置為同步降壓轉(zhuǎn)換器。...
2025-02-21 標(biāo)簽：降壓轉(zhuǎn)換器氮化鎵GaN 440 0
TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) ...
2025-02-21 標(biāo)簽：FET氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)器 439 0
隨著氮化鎵GaN技術(shù)在PD快充領(lǐng)域的普及，充電器正朝著更小巧、更高效的方向發(fā)展。不過工程師在設(shè)計(jì)GaN充電器時(shí)，卻面臨一些棘手挑戰(zhàn)： 在高頻狀態(tài)下，電磁...
硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進(jìn)一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
用戶指南#LMG3422EVM-043 LMG3422R030 600V 30mΩ 半橋子卡評(píng)估模塊
LMG342XEVM - 04X 包含兩個(gè)以半橋配置的 LMG342XR0X0 氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。所有的偏置和電平轉(zhuǎn)換組件都已集成，...
2025-02-21 標(biāo)簽：場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 427 0
氮化鎵技術(shù)驅(qū)動(dòng)的高效逆變器設(shè)計(jì)：硅與GaN器件的比較分析
通過重新設(shè)計(jì)基于氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案，DRS優(yōu)化的車輛逆變器性能使開關(guān)頻率提高了四倍，減少了體積和重量...
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
納芯微高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N產(chǎn)品介紹
納芯微發(fā)布專為增強(qiáng)型GaN設(shè)計(jì)的高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片NSD2622N，該芯片集成正負(fù)壓穩(wěn)壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強(qiáng)驅(qū)動(dòng)能力，可以顯著...
2025-06-09 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 410 0
深圳銀聯(lián)寶科技推出的氮化鎵快充芯片集成高頻高性能準(zhǔn)諧振模式，顯著降低磁性元件體積，同時(shí)通過?同步整流技術(shù)將效率翻番。比如今天介紹的65W全壓700V底部...
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