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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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集成的專業(yè)知識(shí)為X波段PA提供最佳的氮化鎵解決方案
氮化鎵是在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)行的無可爭議的技術(shù)，例如 X 波段 （8–12 GHz） 的應(yīng)用。SiC器件上的GaN可以為這些應(yīng)用提供急需的高溫可靠性和...
在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開了大門，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。
氮化鎵材料定義：氮化鎵(GaN)主要是由人工合成的一種半導(dǎo)體材料，禁帶寬度大于2.3eV，也稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。 氮化鎵材料為第三代半導(dǎo)體材料的典...
用戶指南：LMG2100EVM-097 LMG2100R026評(píng)估模塊介紹
LMG2100R026 評(píng)估模塊是一款緊湊且易于使用的功率級(jí)模塊，通過外部 PWM 信號(hào)進(jìn)行控制。該電路板可配置為降壓轉(zhuǎn)換器、升壓轉(zhuǎn)換器或其他使用半橋的...
2025-02-21 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1.3k 0
氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高，同時(shí)，氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，整體的功耗更低。在一些對(duì)功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場(chǎng)景中，進(jìn)一步...
德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場(chǎng)創(chuàng)新
一直以來，可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性，比如對(duì)于光伏而言，只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電，而無法根據(jù)需求而定。不過，隨著儲(chǔ)能技術(shù)的推進(jìn)，微型逆變器和串式逆變...
除了氮化鎵，快充技術(shù)還須關(guān)注哪些領(lǐng)域
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導(dǎo)體，其禁帶寬度約是硅器件的3倍，擊穿場(chǎng)強(qiáng)約是硅器件的10倍，因而具有更高的耐壓能力以及更...
用于CRPS應(yīng)用的采用氮化鎵功率集成電路的帶平面矩陣變壓器的高頻高效LLC模塊
隨著云計(jì)算和人工智能的快速發(fā)展，數(shù)據(jù)中心對(duì)電源的需求不斷增加，對(duì)其功率密度和效率也提出了更高要求。在數(shù)據(jù)中心中， Common Redundant Po...
氮化鎵GaN驅(qū)動(dòng)器的PCB設(shè)計(jì)策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動(dòng)器，能夠以高達(dá) 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動(dòng)氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只...
2023-02-20 標(biāo)簽：pcb驅(qū)動(dòng)器晶體管 1.3k 0
UCC28780 1MHz 高頻有源鉗位反激式控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)
UCC28780 是一款高頻有源鉗位反激式控制器，可實(shí)現(xiàn)高密度 AC-DC 電源，符合嚴(yán)格的全球能效標(biāo)準(zhǔn)，如 DoE VI 級(jí)和歐盟 CoC V5 Ti...
就像生活中的現(xiàn)實(shí)一樣，當(dāng)老年人離開年輕人的舞臺(tái)時(shí)，Silicon 正在鞠躬。氮化鎵 (GaN) 的出現(xiàn)和采用已成功地逐步淘汰了舊的可靠硅。四十多年來，隨...
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz
氮化鎵電源芯片U8733推薦工作頻率130KHz/220KHz氮化鎵電源芯片U8733集成恒功率控制與主動(dòng)降功率控制功能，在恒功率區(qū)間，通過控制輸出電流...
應(yīng)用資料#QFN12x12封裝600V GaN功率級(jí)熱性能總結(jié)
德州儀器（TI）提供的一種新的驅(qū)動(dòng)器集成氮化鎵（GaN）功率級(jí)產(chǎn)品系列已在一個(gè)低成本、緊湊的四扁平無引腳（QFN）封裝中實(shí)現(xiàn)，該封裝尺寸為12mm x ...
2025-02-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器封裝功率器件 1.2k 0
深圳銀聯(lián)寶氮化鎵快充芯片U8608具有多重故障保護(hù)機(jī)制，通過集成多維度安全防護(hù)，防止設(shè)備出現(xiàn)過充電、過放電、過電流等問題?，在電子設(shè)備中構(gòu)建起全方位的安...
對(duì)于 GaN，中文名氮化鎵，我們實(shí)在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個(gè)時(shí)間點(diǎn)開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
歐司朗新制造技術(shù)有望大幅降低LED生產(chǎn)成本
據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)近日?qǐng)?bào)道，一種新的制造技術(shù)有望大幅降低發(fā)光二極管（LED）的生產(chǎn)成本，進(jìn)一步推動(dòng)其普及進(jìn)程。
2012-05-31 標(biāo)簽：歐司朗氮化鎵藍(lán)寶石襯底 1.2k 0
產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，使用增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80...
2025-02-26 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器氮化鎵GaN 1.2k 0
氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片，內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、...
2025-02-07 標(biāo)簽：功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 1.2k 0
深圳銀聯(lián)寶科技最新上市的氮化鎵電源方案：U8607/U8609+同步整流芯片U7613，推薦輸出功率12V2A、12V3A，非標(biāo)共板，方案成熟，性能可靠...
在65W氮化鎵快充設(shè)計(jì)中，輸入欠壓保護(hù)與過壓保護(hù)協(xié)同工作，保障充電頭在電網(wǎng)波動(dòng)時(shí)仍能穩(wěn)定輸出，并避免因輸入異常導(dǎo)致次級(jí)電路損壞。今天介紹的65W全壓氮化...
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