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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

德州儀器高集成氮化鎵器件加速光伏市場創(chuàng)新

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一直以來,可再生能源利用的一大問題是缺乏彈性,比如對于光伏而言,只能根據(jù)光照進(jìn)行發(fā)電,而無法根據(jù)需求而定。不過,隨著儲能技術(shù)的推進(jìn),微型逆變器和串式逆變...

2024-11-09 標(biāo)簽:逆變器光伏氮化鎵 994 0

氮化鎵(GaN)無刷直流電機(jī)驅(qū)動 提升效率、減小尺寸和降低成本方面

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本文圍繞氮化鎵(GaN)功率IC在無刷直流(BLDC)電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中的優(yōu)勢展開研究,通過設(shè)計(jì)實(shí)例和實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),論證了其在提升效率、減小尺寸和降低成本方面的...

2025-04-24 標(biāo)簽:氮化鎵GaN無刷直流電機(jī)驅(qū)動 992 0

如何應(yīng)用GaN 提高功率密度和效率?

集成驅(qū)動器可減小解決方案尺寸,實(shí)現(xiàn)功率密集型系統(tǒng)。同時,集成降壓/升壓轉(zhuǎn)換器意味著 LMG3522R030-Q1 可在 9V 至 18V 的非穩(wěn)壓電源下...

2023-02-06 標(biāo)簽:場效應(yīng)晶體管氮化鎵GaN 990 0

影響Micro LED實(shí)現(xiàn)全彩顯示的因素有哪些

MICLEDI認(rèn)為,其Micro LED全彩顯示器制造方法具有獨(dú)特的優(yōu)勢,可滿足AR眼鏡最高性能標(biāo)準(zhǔn)。目前,相較用于戶外的AR眼鏡,用于室內(nèi)或較暗場景的...

2022-11-14 標(biāo)簽:氮化鎵Micro LEDAR眼鏡 987 0

GaN器件特性影響因素有哪些?

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GaN開始為人所知是在光電LED市場,廣為人知則是在功率半導(dǎo)體的消費(fèi)電子快充市場。但實(shí)際上,GaN最初在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的目標(biāo)據(jù)說是新能源汽車市場,而非消...

2023-06-29 標(biāo)簽:氮化鎵GaN華燦光電 973 0

高效電源管理系統(tǒng)設(shè)計(jì)的發(fā)展趨勢

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從智能手機(jī)和電動汽車 (EV) 到 EV 充電站和電信中心,電源管理已日益成為我們?nèi)粘J褂玫碾娮赢a(chǎn)品的關(guān)鍵因素。直到最近幾年,高效電源管理常常被其他設(shè)計(jì)...

2022-07-14 標(biāo)簽:電源管理emi氮化鎵 971 0

氮化鎵電源芯片方案介紹

氮化鎵電源芯片U8621是一款恒壓、恒功率、恒溫離線型電流模式PWM電源管理芯片,內(nèi)置1.9Ω/630V的超結(jié)硅功率MOS。U8621具有全負(fù)載高效率、...

2025-02-07 標(biāo)簽:功率開關(guān)氮化鎵電源芯片 968 0

InnoSwitch3-AQ無需12V電源就可助力電動汽車高效運(yùn)行

盡管車身裝備了最先進(jìn)的電池組,但目前的常規(guī)電動汽車仍然使用鉛酸電池在電機(jī)關(guān)閉時為所有電氣子系統(tǒng)提供12V電源。

2023-10-09 標(biāo)簽:電動汽車鉛酸電池氮化鎵 967 0

TI分享五大妙招,輕松應(yīng)對電源挑戰(zhàn)

“設(shè)計(jì)人員必須知道如何正確且安全地構(gòu)建這些產(chǎn)品,這也需要更高的專注度和更加嚴(yán)格的要求,因?yàn)橥ǔTO(shè)計(jì)人員面臨的不僅僅是一個電氣問題,”TI的電源管理專家D...

2016-07-21 標(biāo)簽:TI氮化鎵電源管理設(shè)計(jì) 965 0

如何解決服務(wù)器電源高頻損耗難題

隨著第三代半導(dǎo)體材料的逐步應(yīng)用,對頻率要求更高,據(jù)我們了解理想頻率應(yīng)達(dá)到300KHz以上。對磁芯來說,您認(rèn)為頻率應(yīng)達(dá)到多少才會滿足需求?對磁芯的選材有什么要求?

2023-05-10 標(biāo)簽:服務(wù)器氮化鎵 950 0

支持瓦特到千瓦級應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

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德州儀器的默認(rèn)過流保護(hù)方法被歸類為“電流鎖存”保護(hù);這意味著,若在器件中檢測到任何過流故障,F(xiàn)ET將安全關(guān)斷,并在故障復(fù)位前保持關(guān)斷狀態(tài)。在我們的70m...

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氮化鎵器件的性能優(yōu)勢

? ? ? 審核編輯:彭靜

2022-11-02 標(biāo)簽:氮化鎵 940 0

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

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2023-12-01 標(biāo)簽:氮化鎵GaN功率密度 938 0

45W氮化鎵電源IC U8722EE的簡單介紹

氮化鎵芯片熱穩(wěn)定性好、電子遷移速度更快、熱導(dǎo)率更高,同時,氮化鎵芯片還具有更低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗,整體的功耗更低。在一些對功耗要求嚴(yán)格的應(yīng)用場景中,進(jìn)一步...

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氮化鎵功率器就是電容嗎 氮化鎵功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

氮化鎵功率器以氮化鎵作為主要材料,具有優(yōu)異的電特性,例如高電子遷移率、高飽和漂移速度和高擊穿電場強(qiáng)度。這使得氮化鎵功率器具有低導(dǎo)通電阻、高工作頻率和高開...

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達(dá)摩院指出,近年來第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。

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充電器芯片SF1538DP產(chǎn)品介紹

相比傳統(tǒng)影視行業(yè),手機(jī)攝影的發(fā)展史確實(shí)非常短,不可能跟專業(yè)攝影一樣隨身攜帶遮光板遮光斗等專業(yè)設(shè)備,呈現(xiàn)出極致的攝影效果。但手機(jī)跟相機(jī)相比最大的優(yōu)勢,在于...

2024-11-05 標(biāo)簽:芯片充電器氮化鎵 910 0

恒壓恒流PSR 12V2A氮化鎵電源方案U8608+U7613A

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2025-06-05 標(biāo)簽:電源氮化鎵恒壓恒流 908 0

為什么GaN被譽(yù)為下一個主要半導(dǎo)體材料?

擁有能夠在高頻下高功率運(yùn)行的半導(dǎo)體固然很好,但盡管 GaN 提供了所有優(yōu)勢,但有一個主要缺點(diǎn)嚴(yán)重阻礙了其在眾多應(yīng)用中替代硅的能力:缺乏 P -類型。

2024-02-29 標(biāo)簽:CMOSNMOS半導(dǎo)體材料 888 0

技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵 (GaN) 功率級

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LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級,集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN) FET。該器件由兩個 ...

2025-02-21 標(biāo)簽:FET氮化鎵GaN 877 0

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TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
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