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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性,在沒有其它輔助的...
據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道,一種新的制造技術有望大幅降低發(fā)光二極管(LED)的生產(chǎn)成本,進一步推動其普及進程。
英諾賽科針對48V架構開發(fā)了兩款行業(yè)領先的降壓電源方案(四相2kW交錯降壓電源方案),為更高效、節(jié)能的數(shù)據(jù)中心賦能。 英諾賽科此次推出的兩款降壓電源方...
相信大家都清楚,輕載或空載狀態(tài)下,開關損耗在轉換效率中占主導地位。所以為了降低待機功耗,大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。而芯片的控制方式可以說是...
氮化鎵 (GaN) 或碳化硅 (SiC) 器件也被成為第三代半導體,其禁帶寬度約是硅器件的3倍,擊穿場強約是硅器件的10倍,因而具有更高的耐壓能力以及更...
對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內卷開始說起。好像從某個時間點開始,一夜之間,GaN 就如雨后春筍般...
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關。只...
在過去幾年中,氮化鎵(GaN)在半導體技術中顯示出巨大的潛力,適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比,氮化鎵是一種物理上堅硬且穩(wěn)定的寬帶隙(WBG)...
隨著技術的不斷進步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而,這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...
在消費類快充電源市場中,氮化鎵有著廣泛的應用,如今已有數(shù)十家主流電源廠商開辟了氮化鎵快充產(chǎn)品線,推出的氮化鎵快充新品多達數(shù)百款。氮化鎵電源芯片正呈現(xiàn)出蓬...
基于Cl2/BCl3電感偶聯(lián)等離子體的氮化鎵干蝕特性
氮化鎵(GaN)具有六方纖鋅礦結構,直接帶隙約為3.4eV,目前已成為實現(xiàn)藍光發(fā)光二極管(led)的主導材料。由于GaN的高化學穩(wěn)定性,在室溫下用濕法化...
第三代半導體氮化鎵65W快充芯片已經(jīng)成為行業(yè)主流?
氮化鎵(GaN)功率芯片將多個電力電子功能集成到一顆GaN芯片中,可有效提高產(chǎn)品充電速度、效率、可靠性和成本效益。在很多情況下,GaN功率芯片可以使先進...
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