2023年半導(dǎo)體企業(yè)相關(guān)收購案有哪些？

2023年，半導(dǎo)體市場的逆風(fēng)周期仍未過去，企業(yè)收并購的腳步卻不曾停歇。根據(jù)公開的信息，《中國電子報(bào)》記者梳理了23樁半導(dǎo)體領(lǐng)域的國際收并購案例，發(fā)現(xiàn)20...

2023-12-19 標(biāo)簽：英飛凌eda氮化鎵 1989 0

金剛石/氮化鎵薄膜生長工藝與熱物性表征領(lǐng)域研究進(jìn)展

氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMTs)因其優(yōu)異的大功率高頻性能在大功率射頻器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵偏置電壓 1513 0

Sumitomo射頻應(yīng)用氮化鎵 (GaN) 器件該怎么選？

氮化鎵器件用于通信基礎(chǔ)設(shè)施、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星通信、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電和其他應(yīng)用。

2023-12-15 標(biāo)簽：氮化鎵GaN砷化鎵 1066 0

氮化鎵助力快充小型化，聚合物鉭電容大顯身手

高功率快充在近幾年成為了充電市場的當(dāng)紅炸子雞。前段時(shí)間小米推出的新款氮化鎵快速充電器更是引爆了快充小型化的潮流。 通過選用 高功率體積小的氮化鎵芯片，搭...

2023-12-18 標(biāo)簽：鉭電容氮化鎵快充 781 0

英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件

在最近的IEDM大會(huì)上，英特爾表示，已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成，用于高度集成的48V設(shè)備。

2023-12-14 標(biāo)簽：CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 1596 0

?GaN半導(dǎo)體技術(shù)及其在電子領(lǐng)域的前景

當(dāng)前各種氮化鎵技術(shù)正在加速向200mm過渡，以期降低生產(chǎn)成本，使氮化鎵寬禁帶功率半導(dǎo)體技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造...

2023-12-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體晶體管 1408 0

羅姆、東芝聯(lián)合宣布將共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體

羅姆、東芝近日聯(lián)合宣布，雙方將于功率半導(dǎo)體事業(yè)進(jìn)行合作，共同生產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

2023-12-11 標(biāo)簽：晶圓SiC氮化鎵 968 0

基于深氮化鎵蝕刻的微米尺寸光子器件的研制

GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過程相關(guān)的成熟材料是有源/無源射頻光電子...

2023-12-11 標(biāo)簽：氮化鎵蝕刻光子器件 641 0

基于HVPE的氮化鎵單晶襯底設(shè)備與工藝技術(shù)

第三代半導(dǎo)體，具有寬禁帶、高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導(dǎo)率、高電子密度、高遷移率、良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)譽(yù)為固態(tài)光源、電力電子、微波射頻器件...

2023-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件氮化鎵 2615 0

Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景

氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強(qiáng)和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。

2023-12-09 標(biāo)簽：充電器氣體傳感器氮化鎵 1448 0

增強(qiáng)型功率氮化鎵器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)進(jìn)展

作為寬帶隙材料，GaN具有擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、開關(guān)頻率高，以及抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢。

2023-12-09 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 1980 0