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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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該外延片專為新能源汽車電驅(qū)系統(tǒng)開發(fā)，以適用目前更高效的800V電壓架構(gòu)。并且該外延片基于國產(chǎn)設(shè)備開發(fā)，完全自主可控。
2022-11-18 標(biāo)簽：氮化鎵 1736 0
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于ON Semiconductor產(chǎn)品的小型工業(yè)電源供應(yīng)器方案
GaN驅(qū)動器對性能至關(guān)重要，驅(qū)動器使驅(qū)動電壓保持在電壓最大限值內(nèi)并不是唯一的要求。
2021-06-16 標(biāo)簽：氮化鎵工業(yè)電源ON Semiconductor 1736 0
福布斯專訪納微半導(dǎo)體：談氮化鎵在電動汽車領(lǐng)域的廣闊應(yīng)用
納微半導(dǎo)體向福布斯詳細(xì)介紹了納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片的相關(guān)信息，并且介紹了氮化鎵功率芯片在電動汽車以及電動交通工具等方面的應(yīng)用。
OPPO超快閃充80W氮化鎵雙口充電器套裝上市，售價169元
據(jù)悉，該設(shè)備具備Type-C及USB-A兩接口，單接口均支持80W Max閃充，半小時內(nèi)即可將Find X7由1%充滿至100%。雙口同時輸出時，可達(dá)到...
Power Integrations發(fā)布新款I(lǐng)nnoSwitch?3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC
PowiGaN技術(shù)以優(yōu)異的效率而著稱 - 在任何輸入電壓和負(fù)載條件下效率均可高達(dá)94％，其極高的可靠性能夠保證電源在市電電壓不穩(wěn)的地區(qū)使用時耐受輸入浪涌...
GaN圈“掃地僧”譽(yù)鴻錦：身藏寶藏，初現(xiàn)鋒芒
10月13日，譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發(fā)布會，暨譽(yù)鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發(fā)布會活動...
復(fù)旦大學(xué)芯片院在高速低EMI功率集成電路設(shè)計領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
開關(guān)電源芯片被廣泛應(yīng)用于車載電子系統(tǒng)中，完成高效電能轉(zhuǎn)換。隨著智能駕駛技術(shù)的迅速發(fā)展，對開關(guān)電源芯片的電磁干擾（EMI）噪聲的要求也日益嚴(yán)苛。
Nexperia與聯(lián)合汽車電子有限公司就氮化鎵領(lǐng)域達(dá)成深度合作
隨著汽車電氣化、5G通信、工業(yè)4.0市場的不斷增長，基于GaN的主流設(shè)計正漸入佳境，勢必推動2021年及未來功率半導(dǎo)體的需求增長。
Other Parts Discussed in Post: LMG5200當(dāng)測定氮化鎵（GaN）晶體管的皮秒量級上升時間時，即使有1GHz的觀察儀器和...
Transphorm的GaN被用于AES供應(yīng)大型客機(jī)的最新電源
首家獲得JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證、具有最高可靠性的氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體的設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)者Transphorm Inc.今天確認(rèn)，其客戶AES ...
陳敬教授：面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器件技術(shù)
近日，在第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇開幕大會上，香港科技大學(xué)講席教授陳敬帶來了“面向功率、射頻和數(shù)字應(yīng)用的氮化鎵器...
氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商晶通半導(dǎo)體授權(quán)世強(qiáng)硬創(chuàng)代理
近日，世強(qiáng)先進(jìn)(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強(qiáng)先進(jìn)”)與國內(nèi)氮化鎵功率器件與驅(qū)動芯片領(lǐng)先廠商——晶通半導(dǎo)體(深圳)有限公司(下稱“晶通半導(dǎo)體”)簽署...
納微半導(dǎo)體GaNSense半橋芯片達(dá)到更高層級的效率和節(jié)能水平
GaNSense半橋氮化鎵功率芯片集成了兩個GaN FETs 和驅(qū)動器，以及控制、電平轉(zhuǎn)換、傳感和保護(hù)功能，為電子元件創(chuàng)建了一個易于使用的系統(tǒng)構(gòu)建塊。相...
“融合時代”即將來臨？手機(jī)內(nèi)置氮化鎵有哪些優(yōu)勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）氮化鎵作為第三代功率半導(dǎo)體，因其寬帶隙和高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，在電源、射頻領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，近年來也逐漸開始進(jìn)入消費(fèi)類市場，成為...
2023-07-12 標(biāo)簽：氮化鎵 1705 0
產(chǎn)品應(yīng)用 | 東科AHB氮化鎵芯片助力安克150W超強(qiáng)性能快充
前言近期充電頭網(wǎng)拿到了知名品牌ANKER安克推出的一款超強(qiáng)性能氮化鎵充電器A2655，產(chǎn)品由蘋果獨(dú)家提供，現(xiàn)已上架蘋果商城。產(chǎn)品配備多達(dá)四口USB-C快...
目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（SJMOSFET）來調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概1...
2020-11-05 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動氮化鎵工業(yè)電源 1695 0
納微半導(dǎo)體助力Redmi K50冠軍版電競手機(jī)發(fā)布，搭配120W氮化鎵神仙秒充，梅賽德斯F1手機(jī)震撼上市
納微半導(dǎo)體今天正式宣布，旗下新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片，已用于Redmi攜手梅賽德斯 AMG 馬石油 F1 車隊(duì)共...
2022-03-14 標(biāo)簽：充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1695 0
借助 GaN，智能手機(jī)制造商可以制造外殼尺寸更小且性價比更高的充電器。盡管基于 GaN 的器件的單價比硅貴，但更高的頻率和更高的功率密度值導(dǎo)致每瓦美元更...
杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應(yīng)用
杰華特推出JW1565氮化鎵合封芯片，滿足65W快充應(yīng)用伴隨著65W氮化鎵快充的發(fā)展，電源技術(shù)在不斷迭代。從傳統(tǒng)控制器+驅(qū)動器+氮化鎵開關(guān)管，多顆芯片的...
第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...
2024-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵GaN第三代半導(dǎo)體 1683 0
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