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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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2019年，氮化鎵（GaN）方案與技術(shù)掀起電源行業(yè)一波波“熱潮”
隨著2019年5G的正式布局，高效化和智能化已經(jīng)成為每一個照明企業(yè)都無法回避的問題，各大企業(yè)紛紛布局，通過技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)。其中氮化鎵（GaN）的方案與技術(shù)...
Nexperia將于2021年9月21日-23日舉辦“Power Live”
Nexperia新款MOSFET電熱模型的詳細(xì)預(yù)覽，該模型可以在仿真中準(zhǔn)確呈現(xiàn)器件的靜態(tài)和動態(tài)特性，并降低在設(shè)計過程后期發(fā)現(xiàn)EMC問題的風(fēng)險。
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達(dá)到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機(jī)（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 1824 0
氮化鎵應(yīng)用拓展加速，從快充跨步到數(shù)據(jù)中心
在廠商的推廣和終端產(chǎn)品的面世后，氮化鎵器件的優(yōu)勢大家也都有所耳聞了。更快的開關(guān)速度省去了更多的無源器件，從而實(shí)現(xiàn)了更小的體積和更低的成本；更小的開關(guān)損耗...
2023-03-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵 1820 0
貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器 高頻應(yīng)用的好選擇
TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動器，經(jīng)過特別設(shè)計，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。
商務(wù)部和海關(guān)總署發(fā)布公告，對鎵、鍺相關(guān)物限制出口
該公告規(guī)定了涉及金屬鎵、氮化鎵、氧化鎵、磷化鎵、砷化鎵、銦鎵砷、硒化鎵、銻化鎵，以及金屬鍺、區(qū)熔鍺錠、磷鍺鋅、鍺外延生長襯底、二氧化鍺、四氯化鍺等相關(guān)物...
2023-07-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵砷化鎵 1802 0
隨著新型AI算法的迭代及算力的突破，AI將有效解決疫苗/藥物研發(fā)周期長、成本高等難題，例如提升化合物篩選、建立疾病模型、發(fā)現(xiàn)新靶點(diǎn)、先導(dǎo)化合物發(fā)現(xiàn)及先導(dǎo)...
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎？ 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件，被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非...
量子光源芯片作為量子互聯(lián)網(wǎng)的“心臟”，在量子通信中扮演著至關(guān)重要的角色。而電子科技大學(xué)團(tuán)隊此次研發(fā)的氮化鎵量子光源芯片，在性能上取得了顯著的突破。
意法半導(dǎo)體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體無線網(wǎng)絡(luò)氮化鎵 1786 0
氮化鎵（GaN）如何應(yīng)對設(shè)計和可持續(xù)性挑戰(zhàn)
為了提高采用率，電動汽車必須提供安全性和便利性，在這種情況下，這主要與提高續(xù)航效率、更好的充電基礎(chǔ)設(shè)施和更快的充電時間有關(guān)。硅器件不太可能達(dá)到所需的水平...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23，下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
西電廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心通線，中國科學(xué)院院士郝躍領(lǐng)銜
西安電子科技大學(xué)表示，該項目竣工后，將具備6至8英寸氮化鎵晶片生長、工程準(zhǔn)備、密封測試等整個工程的研發(fā)和技術(shù)服務(wù)能力。接著革新中心是第三代半導(dǎo)體技術(shù)公共...
2023-09-25 標(biāo)簽：新能源汽車半導(dǎo)體技術(shù)氮化鎵 1768 0
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品，可助力提高功率密度，大幅提升系統(tǒng)效率，同時縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...
智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機(jī)降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢
動力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過多輪的產(chǎn)能狂飆后，擴(kuò)張增速進(jìn)入調(diào)整期。但新能源動儲賽道發(fā)展大勢仍為全球共識，或?qū)⑷匀皇俏磥碓鏊佥^快的行業(yè)之一。
納微十年，氮化鎵GaNSlim上新，持續(xù)引領(lǐng)集成之勢
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）十年前納微半導(dǎo)體作為氮化鎵行業(yè)的先鋒，成功地將氮化鎵功率器件帶入消費(fèi)電子市場，幫助客戶打造了許多氮化鎵充電器的爆款產(chǎn)品，也...
面向氮化鎵光電器件應(yīng)用的氮化鎵單晶襯底制備技術(shù)研發(fā)進(jìn)展
以氮化鎵（GaN）為代表的一系列具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的氮化物半導(dǎo)體是直接帶隙半導(dǎo)體材料，其組成的二元混晶或三元混晶在室溫下禁帶寬度從0.7 eV到6.28 e...
Anker推出全球首款采用氮化鎵材料的充電器 體積只比蘋果萬年5W充電器略大一些
氮化鎵（GaN）被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。
閃極Retro 35W氮化鎵充電器，重現(xiàn)經(jīng)典電腦造型
經(jīng)典麥金塔設(shè)計，充電狀態(tài)屏幕，挑戰(zhàn)充電器設(shè)計創(chuàng)新可能 5 月 20 日，閃極科技正式發(fā)布 Retro 35 充電器。該產(chǎn)品采用復(fù)古電腦設(shè)計，在第三代半導(dǎo)...
解決方案 | 全氮化鎵65W充電器充電寶二合一 大容量 大功率
智融科技是國內(nèi)較早進(jìn)入高集成移動電源快充SOC芯片設(shè)計領(lǐng)域的公司之一，所推出的移動電源芯片具有接口支持多，協(xié)議支持全面，內(nèi)部集成開關(guān)管等控制邏輯，支持?jǐn)?shù)...
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