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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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近年來，隨著移動設(shè)備的普及和科技的不斷進步，人們對于充電速度和電池續(xù)航能力的需求也越來越高。
納微半導(dǎo)體CTO登場SEMICON Taiwan 2021大會，介紹氮化鎵技術(shù)
氮化鎵（GaN）是下一代半導(dǎo)體技術(shù)，它的器件開關(guān)速度比傳統(tǒng)硅器件快20倍。
2021-09-08 標(biāo)簽：充電器氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 1558 0
格芯收購Tagore氮化鎵技術(shù)，加速GaN功率元件市場創(chuàng)新與發(fā)展
美國領(lǐng)先的純晶圓代工廠格芯(GlobalFoundries)于本周一宣布了一項重要戰(zhàn)略舉措，成功收購了Tagore公司專有的、經(jīng)過生產(chǎn)驗證的功率氮化鎵(...
蘇州高新區(qū)與水芯電子合作簽約儀式暨水芯與Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會開幕！
9月20日，蘇州高新區(qū)水芯電子合作簽約儀式暨水芯電子Baseus倍思聯(lián)合新品發(fā)布會在江蘇蘇州日航酒店成功舉辦。會議主要就消費類電子領(lǐng)域首次采用水芯數(shù)字電...
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...
RFMD高效率氮化鎵(GaN)射頻功率晶體管(UPT)RF3
日前，高性能射頻組件以及復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)設(shè)計和制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者RF Micro Devices, Inc.宣布已通過并生產(chǎn)RF3932，這種無與倫...
在當(dāng)今的高科技社會中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...
意法半導(dǎo)體與臺積電攜手合作，提高氮化鎵產(chǎn)品市場采用率
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，優(yōu)勢十分明顯，例如，在大功率工作時能效更高，使寄生功率損耗大幅降低。
2020-02-24 標(biāo)簽：臺積電意法半導(dǎo)體氮化鎵 1532 0
GaN器件是平面器件，與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強，因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成，進一步降低用戶的使用門檻，并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢，很有...
2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管氮化鎵 1529 0
北京冬奧會實現(xiàn)核心信息系統(tǒng)100%云上運行
當(dāng)不同行業(yè)數(shù)字化程度趨于成熟，智慧城市雛形初現(xiàn)。2022北京冬奧會通過引進智慧城市多種產(chǎn)品與模式，打造出微縮版城市空間，為全球展示著未來各個領(lǐng)域的可能樣...
技術(shù)創(chuàng)新的射頻解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商TriQuint半導(dǎo)體公司（納斯達克代碼：TQNT），今天發(fā)布了新型氮化鎵 （GaN） 集成功率倍增器，為快速增長的有線電...
本文要點氮化鎵是一種晶體半導(dǎo)體，能夠承受更高的電壓。氮化鎵器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化鎵技術(shù)可實現(xiàn)高功率密度和更小的...
POWI推出集成750V氮化鎵開關(guān)的高效準(zhǔn)諧振PFC IC
APEC 2022 – 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今天宣布推出內(nèi)部...
RFMD公司推出氮化鎵有線電視表面貼裝功率倍增模塊。RFCM2680 是業(yè)界首款專門針對有線電視網(wǎng)絡(luò)的表面貼裝氮化鎵功率倍增模塊。該器件同時采用了氮化鎵...
Si基GaN器件及系統(tǒng)研究與產(chǎn)業(yè)前景
氮化鎵具有優(yōu)異的材料特性，例如寬帶隙、高擊穿場強和高功率密度等。氮化鎵器件在高頻率、高效率、高功率等應(yīng)用中具有廣闊的應(yīng)用前景。
康佳欲加快Micro LED芯片研發(fā) 并以氮化鎵技術(shù)為突破
近日，康佳一則招募氮化鎵工程師的官方啟事引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注?？导迅笨偛美詈觏w在接受記者采訪時解釋，招募氮化鎵工程師是希望加快推進康佳在Micro LED芯...
科銳推出多款碳化硅基氮化鎵器件，助力大型雷達加速發(fā)展
有源電子掃描陣列（AESA）系統(tǒng)愈來愈受到研發(fā)的青睞，該系統(tǒng)主要運用于大型機載平臺上，同時在陸地和海事細(xì)分市場也有采用。
大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的65W PD電源方案
NCP1345是一款高度集成的準(zhǔn)諧振Flyback控制器，適用于多種類型的高性能電源轉(zhuǎn)換器。
2021-11-11 標(biāo)簽：控制器電源轉(zhuǎn)換器氮化鎵 1491 0
貿(mào)澤電子將備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板
貿(mào)澤電子 （Mouser Electronics） 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。
2020-03-16 標(biāo)簽：安森美半導(dǎo)體氮化鎵柵極驅(qū)動器 1487 0
一種可以實現(xiàn)太赫茲波前調(diào)控的超構(gòu)表面
近年來，太赫茲（THz）技術(shù)已經(jīng)成為第六代（6G）無線通信、雷達探測、光譜成像和生物醫(yī)學(xué)傳感等領(lǐng)域的研究熱點。
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