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標(biāo)簽 > 氮化鎵

氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

納微半導(dǎo)體發(fā)生新人事任命

氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級(jí)副總裁、首席財(cái)務(wù)官和財(cái)務(wù)主管。同時(shí),臨時(shí)首席財(cái)...

2022-06-02 標(biāo)簽:芯片氮化鎵納微半導(dǎo)體 1687 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應(yīng)晶體管

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2020-11-13 標(biāo)簽:適配器服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 1682 0

納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充

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氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9...

2021-12-30 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1677 0

Nexperia最新發(fā)布的GaN產(chǎn)品

__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引...

2022-09-27 標(biāo)簽:氮化鎵GaNNexperia 1676 0

納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片

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自氮化鎵進(jìn)軍快充市場以來,不過短短幾年時(shí)間,其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...

2023-03-28 標(biāo)簽:氮化鎵納微合封芯片 1675 0

在金剛石上制造出的氮化鎵晶體管散熱性能提高2.3倍

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氮化鎵(GaN)晶體管在工作過程中產(chǎn)生的熱量和由此引起的溫升會(huì)導(dǎo)致性能下降并縮短器件的壽命,因此亟需開發(fā)有效的散熱方法。

2023-12-22 標(biāo)簽:晶體管氮化鎵GaN 1675 0

氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用

本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比,氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...

2011-12-12 標(biāo)簽:氮化鎵射頻通信 1671 0

EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊——EPC9151

面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換,EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。

2020-12-22 標(biāo)簽:EPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1669 0

騰訊紅魔手機(jī)6將標(biāo)配120W氮化鎵充電器

騰訊紅魔游戲手機(jī)6將于3月4日正式發(fā)布,搭載高通驍龍888處理器,還可能是業(yè)界首款內(nèi)置風(fēng)扇的驍龍888旗艦游戲手機(jī)。

2021-02-22 標(biāo)簽:充電器氮化鎵騰訊 1663 0

說不完道不盡的氮化鎵,氮化鎵(GaN)具有哪些功能

希望昨晚舉行的2015 APEC(國際電力電子應(yīng)用會(huì)議暨展覽會(huì))座談會(huì)能夠最終將此話題確定下來。雖然參加的人很多,但似乎也過于夸大這一話題了。多少次,我...

2021-11-10 標(biāo)簽:控制器氮化鎵 1660 0

Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵(GaN)射頻功率器件產(chǎn)品組合

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與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣,新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造,提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合,可在高壓下運(yùn)行,255℃結(jié)溫下使...

2021-12-02 標(biāo)簽:射頻microchip無線通信 1660 0

數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU

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數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器,每個(gè)都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存,因此需要增加功率。為了支持...

2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1656 0

國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升

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隨著越來越多的中國設(shè)備企業(yè)在歐美地區(qū)設(shè)立分部或基地,國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升。

2023-12-22 標(biāo)簽:鋰電池電源模塊氮化鎵 1651 0

氮化鎵的十大關(guān)鍵要點(diǎn)

GaN 可為射頻應(yīng)用帶來獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。

2022-04-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體射頻氮化鎵 1646 0

韓國晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金,繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度

盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營利潤雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金,鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭奪日...

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制造成本可降低90%,日本信越開發(fā)新技術(shù)

據(jù)了解,此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù),可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合,可以從基板...

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納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿

納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿

2023-09-07 標(biāo)簽:emi靜電放電氮化鎵 1631 0

除碳可提高GaN電子遷移率?

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據(jù)日本研究人員報(bào)告,通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”,氮化鎵(GaN)的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。

2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器氮化鎵 1628 0

英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件

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在最近的IEDM大會(huì)上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設(shè)備。

2023-12-14 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 1628 0

Nexperia第二代650V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2kW或更高功率下運(yùn)行

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。

2021-04-27 標(biāo)簽:服務(wù)器功率器件氮化鎵 1627 0

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無刷電機(jī) FOC IGBT 逆變器 文心一言 5G 英飛凌 羅姆
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伺服電機(jī) SVPWM 光伏發(fā)電 UPS AR 智能電網(wǎng) 國民技術(shù) Microchip
瑞薩 沁恒股份 全志 國民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
德州儀器 Vishay Micron Skyworks AMS TAIYOYUDEN 納芯微 HARTING
adi Cypress Littelfuse Avago FTDI Cirrus LogIC Intersil Qualcomm
st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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