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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布已任命 Ron Shelton 為新任高級(jí)副總裁、首席財(cái)務(wù)官和財(cái)務(wù)主管。同時(shí),臨時(shí)首席財(cái)...
2022-06-02 標(biāo)簽:芯片氮化鎵納微半導(dǎo)體 1687 0
宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵(eGaN)功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本,最新推出EP...
2020-11-13 標(biāo)簽:適配器服務(wù)器場效應(yīng)晶體管 1682 0
納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9...
2021-12-30 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1677 0
__[導(dǎo)讀]__Nexperia 是基本半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,最近宣布其最新產(chǎn)品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側(cè)面可濕性側(cè)面 (SWF) 的無引...
納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解:更高效穩(wěn)定、成本更優(yōu)的氮化鎵功率芯片
自氮化鎵進(jìn)軍快充市場以來,不過短短幾年時(shí)間,其憑借著極高的電能轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)秀的高頻特性,使得采用氮化鎵功率芯片的充電器, 能在體積和重量只有傳統(tǒng)硅器件充...
本內(nèi)容講解了氮化鎵在射頻通信中應(yīng)用。氮化鎵并非革命性的晶體管技術(shù),與現(xiàn)有技術(shù)相比,氮化鎵(GaN)的優(yōu)勢(shì)在于更高的漏極效率、更大的帶寬、更高的擊穿電壓和...
EPC推出300W、雙向、1/16磚型轉(zhuǎn)換器評(píng)估模塊——EPC9151
面向高功率密度且低成本的DC/DC轉(zhuǎn)換,EPC9151功率模塊利用EPC2152 ePower?功率級(jí)實(shí)現(xiàn)性能更高和尺寸更小的解決方案。
2020-12-22 標(biāo)簽:EPCDC-DC轉(zhuǎn)換器場效應(yīng)晶體管 1669 0
騰訊紅魔手機(jī)6將標(biāo)配120W氮化鎵充電器
騰訊紅魔游戲手機(jī)6將于3月4日正式發(fā)布,搭載高通驍龍888處理器,還可能是業(yè)界首款內(nèi)置風(fēng)扇的驍龍888旗艦游戲手機(jī)。
希望昨晚舉行的2015 APEC(國際電力電子應(yīng)用會(huì)議暨展覽會(huì))座談會(huì)能夠最終將此話題確定下來。雖然參加的人很多,但似乎也過于夸大這一話題了。多少次,我...
Microchip持續(xù)擴(kuò)大氮化鎵(GaN)射頻功率器件產(chǎn)品組合
與所有Microchip 的GaN射頻功率產(chǎn)品一樣,新器件采用碳化硅基氮化鎵技術(shù)制造,提供了高功率密度和產(chǎn)量的最佳組合,可在高壓下運(yùn)行,255℃結(jié)溫下使...
數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器,每個(gè)都配備中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU) 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存,因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 1656 0
國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升
隨著越來越多的中國設(shè)備企業(yè)在歐美地區(qū)設(shè)立分部或基地,國產(chǎn)鋰電化成分容設(shè)備在海外市場滲透率將上升。
GaN 可為射頻應(yīng)用帶來獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。GaN 獨(dú)特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢(shì)和堅(jiān)固耐用等優(yōu)勢(shì)。
韓國晶圓代工廠DB HiTek發(fā)放20%獎(jiǎng)金,繼續(xù)加大電力半導(dǎo)體技術(shù)投資力度
盡管東晶圓的2023年銷售與運(yùn)營利潤雙雙大幅縮水,分別相較去年減少了31%和65%,但仍堅(jiān)持向員工發(fā)放高額獎(jiǎng)金,鼓勵(lì)團(tuán)隊(duì)士氣。在半導(dǎo)體領(lǐng)域高端人才爭奪日...
據(jù)了解,此次信越化學(xué)工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術(shù),可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長。信越化學(xué)工業(yè)的增厚晶體技術(shù)與OKI的接合技術(shù)相結(jié)合,可以從基板...
納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)新標(biāo)桿
納微半導(dǎo)體第四代高度集成氮化鎵平臺(tái)在效率、密度及可靠性要求嚴(yán)苛的大功率行業(yè)應(yīng)用內(nèi)樹立新標(biāo)桿
據(jù)日本研究人員報(bào)告,通過減少碳污染來避免碳污染源導(dǎo)致的“遷移率崩潰”,氮化鎵(GaN)的電子遷移率性能創(chuàng)下新高 。
2024-03-13 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器氮化鎵 1628 0
英特爾發(fā)力具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵GaN器件
在最近的IEDM大會(huì)上,英特爾表示,已將 CMOS 硅晶體管與氮化鎵 (GaN) 功率晶體管集成,用于高度集成的48V設(shè)備。
2023-12-14 標(biāo)簽:CMOS驅(qū)動(dòng)器英特爾 1628 0
Nexperia第二代650V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級(jí)電源可在2kW或更高功率下運(yùn)行
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
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