滿足全部高功率需求的氮化鎵放大器產(chǎn)品介紹

ADI提供GaN IC產(chǎn)品，滿足我們客戶的全部高功率需求。涵蓋從MMIC元件到RF和微波頻率范圍的全功率放大器。

2019-06-13 標(biāo)簽：放大器功率氮化鎵 3757 0

Plessey已開發(fā)出專有的二維平面硅基氮化鎵工藝

為了產(chǎn)生綠光，LED制造商通常將磷光體或量子點(diǎn)轉(zhuǎn)換材料應(yīng)用在天然藍(lán)色LED上。然后，這些材料將短波長(zhǎng)（通常為450nm）藍(lán)光轉(zhuǎn)換為紅色或綠色波長(zhǎng)，轉(zhuǎn)換效...

2019-04-16 標(biāo)簽：led顯示器氮化鎵 3347 0

陳小龍：碳化硅晶圓國(guó)產(chǎn)化先鋒

“創(chuàng)新從來(lái)都是九死一生”，道出了創(chuàng)新的不易。在碳化硅晶體產(chǎn)業(yè)做強(qiáng)的道路上，未來(lái)還充滿了許許多多的坎坷險(xiǎn)阻，還有很多需要解決的科學(xué)和技術(shù)難題。隨著碳化硅器...

2019-04-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵碳化硅 5078 0

射頻氮化鎵領(lǐng)域的知識(shí)產(chǎn)權(quán)現(xiàn)狀

目前，有30多家廠商申請(qǐng)了與GaN MMIC相關(guān)的專利，其中，東芝和科銳擁有最重要的專利組合?？其J在該領(lǐng)域擁有最強(qiáng)大的專利布局，但作為后來(lái)者的東芝是Ga...

2019-04-11 標(biāo)簽：射頻氮化鎵半導(dǎo)體器件 8285 0

浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目啟動(dòng) 計(jì)劃總投資達(dá)25億元

嘉興日?qǐng)?bào)消息稱，日前浙江博方嘉芯新一代半導(dǎo)體智能制造項(xiàng)目舉行啟動(dòng)典禮。

2019-04-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 6584 0

曝69W雙USB-C口氮化鎵充電器進(jìn)入試產(chǎn)階段 將支持VOOC等超級(jí)快充

此前，我們見過(guò)了30W、45W、65W的氮化鎵USB PD充電器，但都是單USB-C接口的，今天從供應(yīng)鏈獲悉了一款雙USB-C口氮化鎵充電器，總功率69W。

2019-03-31 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充 2951 0

AirFuel頒發(fā)技術(shù)領(lǐng)袖獎(jiǎng) 表彰無(wú)線電力行業(yè)杰出貢獻(xiàn)者

2019年3月12日，由新一代無(wú)線充電技術(shù)領(lǐng)軍者AirFuel無(wú)線充電聯(lián)盟與天地互連聯(lián)合舉辦的“第二屆無(wú)線充電大會(huì)暨開發(fā)者論壇”在深圳蛇口南海希爾頓酒店...

2019-03-22 標(biāo)簽：氮化鎵無(wú)線充電Energous 1256 0

可在25至300攝氏度的溫度范圍內(nèi)工作的氮化鎵存儲(chǔ)器

在可耐高溫的下一代電子產(chǎn)品方面，Zhao和他的團(tuán)隊(duì)最近在IEEE Electron Device Letters上介紹了他們研發(fā)的可在25至300攝氏度...

2019-03-21 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器電子器件氮化鎵 6141 0

美研究員設(shè)計(jì)出垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu),有助提升LED顯示器效率

美國(guó)羅徹斯特理工學(xué)院（Rochester Institute of Technology）的研究者新設(shè)計(jì)出一種垂直集成氮化鎵LED結(jié)構(gòu)，有助于提高M(jìn)ic...

2019-03-15 標(biāo)簽：led氮化鎵 4525 0

是時(shí)候采用氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)DC/DC轉(zhuǎn)換器了

很多工程師提問(wèn)關(guān)于氮化鎵(GaN)及碳化硅(SiC)的異同。GaN和SiC都是寬帶隙半導(dǎo)體，因此可以在更小、更快的器件中處理比硅更多的功率。GaN的一個(gè)...

2019-03-14 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器功率器件氮化鎵 6420 0

新型存儲(chǔ)設(shè)計(jì)方案出爐,耐受高溫,助力人類登陸火星

這種基于氮化鎵的新型存儲(chǔ)器件能夠在300攝氏度條件下保持運(yùn)行。

2019-03-13 標(biāo)簽：存儲(chǔ)器氮化鎵 3217 0

帶你走進(jìn)神奇的氮化鎵！

氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場(chǎng)多年，無(wú)論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強(qiáng)和良好...

2019-03-12 標(biāo)簽：氮化鎵 3.6萬(wàn) 0

濟(jì)寧高新區(qū)舉辦2019年第一批重大項(xiàng)目集中開工儀式

山大氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目由山東加睿晶欣新材料股份有限公司與山東大學(xué)進(jìn)行產(chǎn)學(xué)研合作，將氮化鎵單晶襯底實(shí)驗(yàn)室成果實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的重點(diǎn)項(xiàng)目。項(xiàng)目總投資15億元，總建...

2019-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈 1.0萬(wàn) 0

盤點(diǎn)國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體廠商

眾所周知，我國(guó)現(xiàn)在正在大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體作為下一代電子產(chǎn)品的重要材料和元件，自然也受到了重點(diǎn)關(guān)注。

2019-02-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.9萬(wàn) 0