貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動器高頻應(yīng)用的好選擇

2019年9月26 日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開始備貨Texas Instruments （TI） LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵（GaN）電源產(chǎn)品系列，與傳統(tǒng)硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統(tǒng)尺寸，并專門針對速度關(guān)鍵型功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進行了優(yōu)化。

TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動器，經(jīng)過特別設(shè)計，能與電壓高達200V的增強模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實現(xiàn)超高性能與高效運行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅(qū)動器。此器件還具有1 pF的低開關(guān)節(jié)點電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時間控制，可讓設(shè)計人員優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)的死區(qū)時間，進而改善效率。

LMG1210擁有3.4 ns高側(cè)/低側(cè)延遲匹配、4 ns最小脈寬和內(nèi)部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅(qū)動電壓。本驅(qū)動器還具備超過300 V/ns的業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTT），可實現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性。

TI LMG1210驅(qū)動器適用于高速DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機控制、D類音頻放大器、E類無線充電、RF包絡(luò)跟蹤以及其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

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氮化鎵(119343) 氮化鎵(119343)
半橋驅(qū)動器(14561) 半橋驅(qū)動器(14561)
貿(mào)澤電子(99654) 貿(mào)澤電子(99654)

德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。

2012-10-11 14:04:33

2029

TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器，擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動器，進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達（LIDAR）以及5G射頻

2018-03-12 10:44:00

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技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-24 09:18:47

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技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-24 10:21:01

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技術(shù)文檔：LMG3616 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-24 10:43:28

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技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中

2025-02-24 11:04:47

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技術(shù)文檔：LMG3626 650V 270mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)

LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中

2025-02-24 11:13:21

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技術(shù)資料#LMG3522R050 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG352xR050 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達

2025-02-24 11:24:00

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技術(shù)資料#LMG3526R030 具有集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測功能的650V 30mΩ GaN FET

LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG352xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達

2025-02-24 14:42:19

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技術(shù)資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋，具有集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)功能

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式（ACF）轉(zhuǎn)換器<。該LMG2610通過在 9mm x 7mm QFN 封裝

2025-02-24 15:07:01

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技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告的 600V 30mΩ GaN FET

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG342xR030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達

2025-02-25 14:07:16

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貿(mào)澤推出超高效率的Infineon CIPOS Tiny3相逆變器模塊

貿(mào)澤推出Infineon CIPOS Tiny逆變器模塊，為電機驅(qū)動器提供高功率密度。

2019-08-23 09:51:46

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TI LMG341xR050 GaN功率級在貿(mào)澤開售支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開關(guān)節(jié)點振鈴，以及可將開關(guān)損耗降低多達80%的零反向恢復(fù)。

2020-04-13 14:58:56

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1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計

(PFC)級。該 PFC 級具有配備集成式驅(qū)動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計還支持半橋 LLC 隔離式

2020-06-22 18:22:03

200V交流伺服驅(qū)動器的三相高PWM逆變器全部設(shè)計資料

開關(guān)頻率（高達 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動低電感電機帶有集成型柵極驅(qū)動器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開關(guān)轉(zhuǎn)換（小于

2018-10-31 17:33:14

GaN FET重新定義電源電路設(shè)計

5200混合多芯片模塊有助于防止過壓和欠壓。解決問題的一個設(shè)備是德州儀器的LMG5200。該混合多芯片模塊（MCM）包含兩個具有集成驅(qū)動器的半橋配置的80V，10-A GaN FET。功能框圖如圖3所示。請注意

2017-05-03 10:41:53

GaN HEMT在電機設(shè)計中有以下優(yōu)點

的MOSFET和IGBT會產(chǎn)生不可接受的損耗、WBG半導體晶體管比如GaN能夠克服這些問題集成GaN HEMT和驅(qū)動器方案現(xiàn)在已經(jīng)可以應(yīng)用于電機系統(tǒng)中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應(yīng)用到需要高壓高頻電機驅(qū)動電路的直流部分

2019-07-16 00:27:49

LMG1210

LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet

2022-11-04 17:22:44

LMG1210和EPC8010使用半橋斬波出問題了

當我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 發(fā)送 50% 的值周期、500KHz 互補脈沖信號，并將 epc8010 芯片添加到后端時，連續(xù)脈沖波形將輸出并閃爍。如何解決這個問題這個是視頻鏈接

2021-08-03 15:10:40

TI全集成式原型機助力GaN技術(shù)推廣應(yīng)用

領(lǐng)域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機由一個高頻驅(qū)動器和兩個半橋配置的GaN FET

2018-09-11 14:04:25

TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

正在與太空領(lǐng)域的客戶進行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處LMG5200原型機由一個高頻驅(qū)動器和兩個半橋配置

2018-09-10 15:02:53

驅(qū)動LMG5200的Hercules模塊設(shè)計

功能，并且有兩個模塊：一個監(jiān)聽滾輪的旋轉(zhuǎn)功能驅(qū)動器模塊，以及一個與LMG5200進行通信的GaN模塊。兩個模塊都依靠低電平Hercules外設(shè)驅(qū)動器運轉(zhuǎn)（圖5）。圖5：固件模塊操作我們先來看看輸出端

2018-06-01 11:31:35

PMP21440提供GaN與SI使用情況的對比研究

的 LMG1210（對于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設(shè)計將硅功率級與 GaN 功率級進行比較，以說明在使用 GaN 進行設(shè)計時的設(shè)計折衷和必要的優(yōu)化。主要特色PMBus 可編程

2019-01-02 16:17:21

什么是MOSFET驅(qū)動器？如何計算MOSFET的功耗？

什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？

2021-04-12 06:53:00

創(chuàng)建具有GaN速度，尺寸和功耗優(yōu)勢的LIDAR應(yīng)用

LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅(qū)動器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開發(fā)板：這是帶有最少外部組件的簡單應(yīng)用圖：LMG1210半橋GaN FET驅(qū)動器TI

2019-11-11 15:48:09

在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅(qū)動器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅(qū)動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負載瞬態(tài)響應(yīng)速度

2019-07-29 04:45:02

基于GaN的高效率CrM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器包括BOM及層圖

，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅(qū)動器和保護功能，可確保電路可靠性并簡化設(shè)計使用 TI

2018-10-25 11:49:58

如何用集成驅(qū)動器優(yōu)化氮化鎵性能

導讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動器集成在一起可以改進開關(guān)性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設(shè)計。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當

2022-11-16 06:23:29

根據(jù)電機控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET驅(qū)動器

最近在逛PIC官網(wǎng)的時候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊的時候挖到的一篇文章。根據(jù)電機控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動器.pdf (589.89 KB )

2019-05-30 22:17:43

正確驅(qū)動LMG5200 GaN功率級的步驟

可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅(qū)動它。圖1

2022-11-17 06:56:35

激光雷達納秒級激光驅(qū)動器設(shè)計包括BOM及層圖

描述此激光雷達（光距離和范圍探測）參考設(shè)計展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級 GaN 柵極驅(qū)動器 LMG1020，該驅(qū)動器能夠驅(qū)動 FET 產(chǎn)生功率超過 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路

2018-10-17 15:38:45

直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性

Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動器和保護功能的器件。它是一個

2023-02-14 15:06:51

集成氮化鎵改變將影響到電源電子產(chǎn)品

的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見。更嚴格的柵極環(huán)路設(shè)計要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對寄生和噪聲更敏感。當TI推出第一個600V GaN功率級樣品時，我驚嘆于該

2019-07-29 04:45:12

高速直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)兆赫茲GaN功率級參考設(shè)計

描述此參考設(shè)計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級設(shè)計。憑借高效的開關(guān)和靈活的死區(qū)時間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計不僅可以顯著

2018-10-17 15:39:59

TI半橋驅(qū)動器LMG1210

適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動器 Bus voltage (Max) (V) 300

2022-12-14 14:43:00

TI柵極驅(qū)動器LMG1210

適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動器 Bus voltage (Max) (V) 300

2022-12-20 15:04:36

針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器

針對應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器 　目前，現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。　　從功能上講，MOSFET

2010-01-22 11:37:37

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TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動器 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動器，

2010-02-23 09:26:57

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TI推出低側(cè)柵極驅(qū)動器LM5114

德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動器。

2012-02-11 09:59:08

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凌力爾特推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器

10 月 1 日 – 凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V

2013-10-09 15:41:27

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TI推出業(yè)界首款 100 V 高壓側(cè) FET 驅(qū)動器可驅(qū)動高電壓電池

近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。

2016-02-22 11:22:43

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用集成驅(qū)動器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵（GaN）晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。然而，當壓擺率很高時，特定的封裝類型會限制GaN FET的開關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動器集成在一個封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開關(guān)性能。集成驅(qū)動器還可以實現(xiàn)保護功能。

2016-05-09 17:06:56

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德儀LMG5200 GaN半橋功率級

本報告對德州儀器LMG5200器件進行詳細的逆向分析，包括器件設(shè)計、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動器的半橋氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）設(shè)計，并采用先進的多芯片封裝技術(shù)（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）

2018-03-05 13:56:18

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如何選擇適合應(yīng)用的MOSFET驅(qū)動器的詳細中文資料概述

目前 MOSFET 驅(qū)動器的主要用途之一是進行不同類型電機的驅(qū)動控制。此應(yīng)用筆記對一些基本概念進行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動器。

2018-06-20 10:26:00

LMG3410 LMG3410 Spitfire - 具有集成驅(qū)動器和安全開關(guān)的智能 GaN FET

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LMG3410的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG3410真值表，LMG3410管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2018-11-02 18:33:05

LMG1210 LMG1210 高級 eGaN FET 300V 半橋驅(qū)動器

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG1210相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有LMG1210的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，LMG1210真值表，LMG1210管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2018-11-02 18:00:05

貿(mào)澤LMG1020 GaN驅(qū)動器可用于高速LiDAR和TOF 達到最高功率密度

驅(qū)動器可為要求速度的應(yīng)用提供高效率、高性能的設(shè)計，適用于LiDAR、飛行時間激光貿(mào)澤電子供應(yīng)的Texas Instruments LMG1020低側(cè)GAN驅(qū)動器，專為高速驅(qū)動GaN FET和邏輯電平

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利用TI的600V GaN FET功率級實現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命

）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合

2019-08-07 10:17:06

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根據(jù)電機控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET驅(qū)動器

2021-05-10 11:28:45

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2022-10-28 12:00:20

全芯時代單通道低側(cè)GaN驅(qū)動器

該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時間、面部識別和低側(cè)驅(qū)動的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

2023-06-30 09:58:50

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具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成驅(qū)動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載

2024-03-21 10:20:58

具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:40:13

600V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 14:17:13

600V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 15:27:07

650V 50m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:41:30

650V 50m? 具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:40:05

具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 09:50:39

650V 30m?具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 11:31:11

具有集成驅(qū)動器、保護和溫度報告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 10:40:57

具有集成式驅(qū)動器和保護功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 11:02:33

具有集成驅(qū)動器和電流檢測功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表

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2024-03-29 09:18:53

PC1210高頻高效率半橋GaN驅(qū)動器

（LET）的抗干擾度：?≥75MeV*cm2/mg 2.?功能描述 PC1210是一款60V半橋GaN驅(qū)動器，專為高頻率、高效率的應(yīng)用而開發(fā)，具有可調(diào)節(jié)死區(qū)

2024-06-20 14:16:53

1184

如何使用LMG1210優(yōu)化RF放大器性能

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2024-09-19 11:14:42

利用LMG1210實現(xiàn)GaN半橋設(shè)計的散熱和功耗降低

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2024-10-14 10:13:51

使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動器

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2025-01-03 16:19:41

TI LMG3624 具有集成驅(qū)動器、保護和電流檢測功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動器，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-20 16:35:36

831

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動器和電流檢測仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

2025-02-20 16:54:57

883

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 100V GaN FET 組成，由一個高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動，采用半橋配置。

2025-02-21 09:19:40

908

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計

2025-02-21 09:28:21

1050

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)概述

LMG2652 是一個 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。

2025-02-21 10:46:25

773

LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測介紹

LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 10:54:37

798

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器介紹

Ω，LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個由高頻 GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此可以使用兩個 LMG3100 器件來形成一個半橋，而無需額外的電平轉(zhuǎn)換器。

2025-02-21 11:19:52

1063

LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅(qū)動器和保護介紹

LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 13:42:42

726

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化了設(shè)計，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。

2025-02-21 14:14:05

806

LMG3614 具有集成驅(qū)動器和保護功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過將 GaN FET 和柵極驅(qū)動器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡化了設(shè)計并減少了元件數(shù)量。

2025-02-21 14:37:23

728

應(yīng)用筆記：LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動器

2025-02-21 15:16:11

925

技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵（GaN）功率級

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個 GaN FET 組成，由一個采用半橋配置的高頻

2025-02-21 17:17:56

1047

技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動器、保護和零電流檢測

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 17:46:47

745

技術(shù)資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動器、保護和電流感應(yīng)

LMG2650 是一個 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器

2025-02-24 09:37:33

810

技術(shù)資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動器、保護和零電壓檢測報告的 650V 50mΩ GaN FET

2025-02-24 13:32:11

727

技術(shù)資料#LMG3425R030 具有集成驅(qū)動器、保護、溫度報告和理想二極管模式的 600V 30mΩ GaN FET

LMG3425R030 GaN FET 集成了驅(qū)動器和保護功能，針對開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3425R030 集成了一個硅驅(qū)動器，可實現(xiàn)高達

2025-02-25 13:51:37

683

技術(shù)資料#LMG3410R150 具有集成驅(qū)動器和過流保護功能的 600V 150mΩ GaN

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動器和保護功能，使設(shè)計人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢包括超低輸入和輸出電容、零

2025-02-25 14:16:45

702

技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動器和逐周期過流保護的 600V 150mΩ GaN

2025-02-25 14:44:30

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產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級

LMG5200器件是一個 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，使用增強型氮化鎵（GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個 80V GaN FET 組成，由一個采用半橋配置

2025-02-26 14:11:12

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LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時間數(shù)據(jù)手冊

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET） 驅(qū)動器，專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計，具有可調(diào)死區(qū)時間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配，可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個內(nèi)部 LDO，無論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅(qū)動電壓。

2025-05-24 15:53:00

893

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動器，設(shè)計用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動 GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時間、面部識別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動器的電源轉(zhuǎn)換器。LMG

2025-05-19 09:47:33

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Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動器，從而減少了元器件數(shù)量并簡化了設(shè)計?？删幊痰膶ㄞD(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。

2025-07-04 15:50:44

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Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉功能。兩個LGM3100器件可用來組成一

2025-07-06 16:41:07

2906

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級集成了柵極驅(qū)動器和增強型氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級包含兩個GaN FET，由

2025-07-11 14:40:22

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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級數(shù)據(jù)手冊

。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個100V GaN FET，由一個高頻90V GaN FET驅(qū)動器驅(qū)動。GaN FET為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著優(yōu)勢，例如零反向恢復(fù)和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。

2025-08-04 10:00:30

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德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)解析

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率

2025-08-06 11:20:47

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德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動技術(shù)深度解析

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動器和保護功能，適用于開關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計人員實現(xiàn)更高水平的功率密度和效率

2025-08-06 11:29:38

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LMG2656 650V、230mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動器、保護和電流檢測數(shù)據(jù)手冊

該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅(qū)動器、自舉FET和高側(cè)柵極驅(qū)動電平轉(zhuǎn)換器，簡化

2025-08-06 16:40:03

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LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在

2025-08-13 14:56:51

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LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計的集成驅(qū)動器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動器

2025-08-13 15:13:49

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