貿(mào)澤推出TI LMG1210 MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器高頻應(yīng)用的好選擇

2019年9月26 日 – 專注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）即日起開(kāi)始備貨Texas Instruments （TI） LMG1210 200 V半橋MOSFET和GaN FET驅(qū)動(dòng)器。LMG1210是TI性能出眾的氮化鎵（GaN）電源產(chǎn)品系列，與傳統(tǒng)硅替代方案相比，擁有更高的效率與功率密度，以及更小的整體系統(tǒng)尺寸，并專門針對(duì)速度關(guān)鍵型功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。

TI LMG1210是一款50 MHz半橋驅(qū)動(dòng)器，經(jīng)過(guò)特別設(shè)計(jì)，能與電壓高達(dá)200V的增強(qiáng)模式GaN FET搭配使用。LMG1210能實(shí)現(xiàn)超高性能與高效運(yùn)行，并具有10 ns的超短傳播延遲，優(yōu)于傳統(tǒng)硅半橋驅(qū)動(dòng)器。此器件還具有1 pF的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)電容和用戶可調(diào)的死區(qū)時(shí)間控制，可讓設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)內(nèi)的死區(qū)時(shí)間，進(jìn)而改善效率。

LMG1210擁有3.4 ns高側(cè)/低側(cè)延遲匹配、4 ns最小脈寬和內(nèi)部LDO，可確保在任何電源電壓下都能維持5V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。本驅(qū)動(dòng)器還具備超過(guò)300 V/ns的業(yè)內(nèi)超高共模瞬態(tài)抗擾度（CMTT），可實(shí)現(xiàn)較高的系統(tǒng)抗擾性。

TI LMG1210驅(qū)動(dòng)器適用于高速DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、D類音頻放大器、E類無(wú)線充電、RF包絡(luò)跟蹤以及其他功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

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氮化鎵(119343) 氮化鎵(119343)
半橋驅(qū)動(dòng)器(14561) 半橋驅(qū)動(dòng)器(14561)
貿(mào)澤電子(99654) 貿(mào)澤電子(99654)

評(píng)論

德州儀器(TI)推出面向IGBT與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，其速度比同等光學(xué)柵極驅(qū)動(dòng)器快40%。

2012-10-11 14:04:33

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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

德州儀器（TI）（NASDAQ： TXN）近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)（LIDAR）以及5G射頻

2018-03-12 10:44:00

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技術(shù)文檔#LMG3624 650V 170mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3624通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

2025-02-24 09:18:47

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技術(shù)資料#LMG3612 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 120mΩ GaN FET

LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3612 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

2025-02-24 10:21:01

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技術(shù)文檔：LMG3616 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 270mΩ GaN FET

LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3616 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

2025-02-24 10:43:28

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技術(shù)資料#LMG3622 650V 120mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3622 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3622 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中

2025-02-24 11:04:47

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技術(shù)文檔：LMG3626 650V 270mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG3626 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該 LMG3626 通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中

2025-02-24 11:13:21

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技術(shù)資料#LMG3522R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 650V 50mΩ GaN FET

LMG352xR050 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG352xR050 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)

2025-02-24 11:24:00

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技術(shù)資料#LMG3526R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)功能的650V 30mΩ GaN FET

LMG352xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG352xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)

2025-02-24 14:42:19

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技術(shù)資料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN 半橋，具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)功能

LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用中的 75W 有源鉗位反激式（ACF）轉(zhuǎn)換器<。該LMG2610通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝

2025-02-24 15:07:01

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技術(shù)資料#LMG3422R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告的 600V 30mΩ GaN FET

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健? LMG342xR030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)

2025-02-25 14:07:16

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貿(mào)澤推出超高效率的Infineon CIPOS Tiny3相逆變器模塊

貿(mào)澤推出Infineon CIPOS Tiny逆變器模塊，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器提供高功率密度。

2019-08-23 09:51:46

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TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開(kāi)售支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種優(yōu)勢(shì)，包括超低輸入和輸出容值、可降低EMI的低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴，以及可將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá)80%的零反向恢復(fù)。

2020-04-13 14:58:56

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1kW、80 Plus Titanium、GaN CCM 圖騰柱無(wú)橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計(jì)

(PFC)級(jí)。該 PFC 級(jí) 具有配備集成式驅(qū)動(dòng)器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式

2020-06-22 18:22:03

200V交流伺服驅(qū)動(dòng)器的三相高PWM逆變器全部設(shè)計(jì)資料

開(kāi)關(guān)頻率（高達(dá) 100kHz）支持以最低的電流紋波驅(qū)動(dòng)低電感電機(jī)帶有集成型柵極驅(qū)動(dòng)器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可減小 PCB 外形尺寸并降低布局復(fù)雜度極速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換（小于

2018-10-31 17:33:14

GaN FET重新定義電源電路設(shè)計(jì)

5200混合多芯片模塊有助于防止過(guò)壓和欠壓。解決問(wèn)題的一個(gè)設(shè)備是德州儀器的LMG5200。該混合多芯片模塊（MCM）包含兩個(gè)具有集成驅(qū)動(dòng)器的半橋配置的80V，10-A GaN FET。功能框圖如圖3所示。請(qǐng)注意

2017-05-03 10:41:53

GaN HEMT在電機(jī)設(shè)計(jì)中有以下優(yōu)點(diǎn)

的MOSFET和IGBT會(huì)產(chǎn)生不可接受的損耗、WBG半導(dǎo)體晶體管比如GaN能夠克服這些問(wèn)題集成GaN HEMT和驅(qū)動(dòng)器方案現(xiàn)在已經(jīng)可以應(yīng)用于電機(jī)系統(tǒng)中能夠承受高壓條件的高性能電容也可以應(yīng)用到需要高壓高頻電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的直流部分

2019-07-16 00:27:49

LMG1210

LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet

2022-11-04 17:22:44

LMG1210和EPC8010使用半橋斬波出問(wèn)題了

當(dāng)我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 發(fā)送 50% 的值周期、500KHz 互補(bǔ)脈沖信號(hào)，并將 epc8010 芯片添加到后端時(shí)，連續(xù)脈沖波形將輸出并閃爍。如何解決這個(gè)問(wèn)題這個(gè)是視頻鏈接

2021-08-03 15:10:40

TI全集成式原型機(jī)助力GaN技術(shù)推廣應(yīng)用

領(lǐng)域的客戶進(jìn)行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開(kāi)發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處 LMG5200原型機(jī)由一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的GaN FET

2018-09-11 14:04:25

TI助力GaN技術(shù)的推廣應(yīng)用

正在與太空領(lǐng)域的客戶進(jìn)行接洽，探討寬溫度范圍和輻射方面的應(yīng)用。 TI也將努力開(kāi)發(fā)出全新類型的轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和系統(tǒng)。 LMG5200與眾不同之處LMG5200原型機(jī)由一個(gè)高頻驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置

2018-09-10 15:02:53

驅(qū)動(dòng)LMG5200的Hercules模塊設(shè)計(jì)

功能，并且有兩個(gè)模塊：一個(gè)監(jiān)聽(tīng)滾輪的旋轉(zhuǎn)功能驅(qū)動(dòng)器模塊，以及一個(gè)與LMG5200進(jìn)行通信的GaN模塊。兩個(gè)模塊都依靠低電平Hercules外設(shè)驅(qū)動(dòng)器運(yùn)轉(zhuǎn)（圖5）。圖5：固件模塊操作我們先來(lái)看看輸出端

2018-06-01 11:31:35

PMP21440提供GaN與SI使用情況的對(duì)比研究

的 LMG1210（對(duì)于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設(shè)計(jì)將硅功率級(jí)與 GaN 功率級(jí)進(jìn)行比較，以說(shuō)明在使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)的設(shè)計(jì)折衷和必要的優(yōu)化。主要特色PMBus 可編程

2019-01-02 16:17:21

什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？如何計(jì)算MOSFET的功耗？

什么是MOSFET驅(qū)動(dòng)器？MOSFET驅(qū)動(dòng)器功耗包括哪些部分？如何計(jì)算MOSFET的功耗？

2021-04-12 06:53:00

創(chuàng)建具有GaN速度，尺寸和功耗優(yōu)勢(shì)的LIDAR應(yīng)用

LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅(qū)動(dòng)器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開(kāi)發(fā)板：這是帶有最少外部組件的簡(jiǎn)單應(yīng)用圖：LMG1210半橋GaN FET驅(qū)動(dòng)器TI

2019-11-11 15:48:09

在GaN解決方案門戶上查看TI完整的GaN直流/直流轉(zhuǎn)換產(chǎn)品組合

GaN單級(jí)解決方案——采用TPS53632G 無(wú)驅(qū)動(dòng)器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級(jí)（驅(qū)動(dòng)器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度

2019-07-29 04:45:02

基于GaN的高效率CrM圖騰柱PFC轉(zhuǎn)換器包括BOM及層圖

，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級(jí)具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可確保電路可靠性并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)使用 TI

2018-10-25 11:49:58

如何用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化氮化鎵性能

導(dǎo)讀：將GaN FET與它們的驅(qū)動(dòng)器集成在一起可以改進(jìn)開(kāi)關(guān)性能，并且能夠簡(jiǎn)化基于GaN的功率級(jí)設(shè)計(jì)。氮化鎵 (GaN) 晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)

2022-11-16 06:23:29

根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

最近在逛PIC官網(wǎng)的時(shí)候，查找相關(guān)應(yīng)用手冊(cè)的時(shí)候挖到的一篇文章。根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動(dòng)器.pdf (589.89 KB )

2019-05-30 22:17:43

正確驅(qū)動(dòng)LMG5200 GaN功率級(jí)的步驟

可以用很多種方法來(lái)控制GaN功率級(jí)。針對(duì)LMG5200 GaN半橋功率級(jí)的TI用戶指南使用了一個(gè)無(wú)源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會(huì)討論到如何用一個(gè)Hercules微控制器來(lái)驅(qū)動(dòng)它。圖1

2022-11-17 06:56:35

激光雷達(dá)納秒級(jí)激光驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

描述此激光雷達(dá)（光距離和范圍探測(cè)）參考設(shè)計(jì)展示了一款低側(cè)納秒 (ns) 級(jí) GaN 柵極驅(qū)動(dòng)器 LMG1020，該驅(qū)動(dòng)器能夠驅(qū)動(dòng) FET 產(chǎn)生功率超過(guò) 100W 的 1ns 激光光脈沖。主要特色電路

2018-10-17 15:38:45

直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性

Coss、Qrr和較低的柵極環(huán)路阻抗而具有較大的振鈴和硬開(kāi)關(guān)損耗。集成柵極驅(qū)動(dòng)的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的器件。它是一個(gè)

2023-02-14 15:06:51

集成氮化鎵改變將影響到電源電子產(chǎn)品

的轉(zhuǎn)換器。在氮化鎵（GaN）功率FET的早期階段，故障很常見(jiàn)。更嚴(yán)格的柵極環(huán)路設(shè)計(jì)要求，更高的dv/dt和共源電感的影響使得電路對(duì)寄生和噪聲更敏感。當(dāng)TI推出第一個(gè)600V GaN功率級(jí)樣品時(shí)，我驚嘆于該

2019-07-29 04:45:12

高速直流/直流轉(zhuǎn)換器數(shù)兆赫茲GaN功率級(jí)參考設(shè)計(jì)

描述此參考設(shè)計(jì)基于 LMG1210 半橋 GaN 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實(shí)現(xiàn)了一款數(shù)兆赫茲功率級(jí)設(shè)計(jì)。憑借高效的開(kāi)關(guān)和靈活的死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)，此參考設(shè)計(jì)不僅可以顯著

2018-10-17 15:39:59

TI半橋驅(qū)動(dòng)器LMG1210

適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 300

2022-12-14 14:43:00

TI柵極驅(qū)動(dòng)器LMG1210

適用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間的 1.5A、3A 200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器 Bus voltage (Max) (V) 300

2022-12-20 15:04:36

針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

針對(duì)應(yīng)用選擇正確的MOSFET驅(qū)動(dòng)器 　目前，現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器成了一個(gè)富有挑戰(zhàn)性的過(guò)程。　　從功能上講，MOSFET

2010-01-22 11:37:37

1977

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器

TI推出具備板載功率MOSFET的全集成型雙路功率驅(qū)動(dòng)器 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具備集成型功率 MOSFET、保護(hù)模塊以及監(jiān)控特性的數(shù)字雙路同步降壓功率驅(qū)動(dòng)器，

2010-02-23 09:26:57

1007

TI推出低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器LM5114

德州儀器(TI)宣布推出用于配合高密度電源轉(zhuǎn)換器中 MOSFET 與氮化鎵 (GaN) 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 使用的低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器。

2012-02-11 09:59:08

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凌力爾特推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

10 月 1 日 – 凌力爾特公司（Linear Technology Corporation）推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器 LTC4440A-5，該器件能以高達(dá) 80V

2013-10-09 15:41:27

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TI推出業(yè)界首款 100 V 高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器可驅(qū)動(dòng)高電壓電池

近日，德州儀器（TI）推出了首款面向高功率鋰離子電池應(yīng)用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動(dòng)器。該驅(qū)動(dòng)器可提供先進(jìn)的電源保護(hù)和控制。

2016-02-22 11:22:43

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用集成驅(qū)動(dòng)器優(yōu)化GaN性能

氮化鎵（GaN）晶體管的開(kāi)關(guān)速度比硅MOSFET快很多，從而有可能實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)損耗。然而，當(dāng)壓擺率很高時(shí)，特定的封裝類型會(huì)限制GaN FET的開(kāi)關(guān)性能。將GaN FET與驅(qū)動(dòng)器集成在一個(gè)封裝內(nèi)可以減少寄生電感，并且優(yōu)化開(kāi)關(guān)性能。集成驅(qū)動(dòng)器還可以實(shí)現(xiàn)保護(hù)功能。

2016-05-09 17:06:56

3382

德儀LMG5200 GaN半橋功率級(jí)

本報(bào)告對(duì)德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析，包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動(dòng)器的半橋氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）設(shè)計(jì)，并采用先進(jìn)的多芯片封裝技術(shù)（PCB帶有嵌入式通孔和倒裝芯片）

2018-03-05 13:56:18

11619

如何選擇適合應(yīng)用的MOSFET驅(qū)動(dòng)器的詳細(xì)中文資料概述

目前 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器的主要用途之一是進(jìn)行不同類型電機(jī)的驅(qū)動(dòng)控制。此應(yīng)用筆記對(duì)一些基本概念進(jìn)行討論以幫助用戶選擇適合應(yīng)用的 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器。

2018-06-20 10:26:00

LMG3410 LMG3410 Spitfire - 具有集成驅(qū)動(dòng)器和安全開(kāi)關(guān)的智能 GaN FET

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供TI(ti)LMG3410相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有LMG3410的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，LMG3410真值表，LMG3410管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。

2018-11-02 18:33:05

LMG1210 LMG1210 高級(jí) eGaN FET 300V 半橋驅(qū)動(dòng)器

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2018-11-02 18:00:05

貿(mào)澤LMG1020 GaN驅(qū)動(dòng)器可用于高速LiDAR和TOF 達(dá)到最高功率密度

驅(qū)動(dòng)器可為要求速度的應(yīng)用提供高效率、高性能的設(shè)計(jì)，適用于LiDAR、飛行時(shí)間激光貿(mào)澤電子供應(yīng)的Texas Instruments LMG1020低側(cè)GAN驅(qū)動(dòng)器，專為高速驅(qū)動(dòng)GaN FET和邏輯電平

2018-11-03 10:47:00

1969

利用TI的600V GaN FET功率級(jí)實(shí)現(xiàn)高性能功率轉(zhuǎn)換革命

）功率級(jí)工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開(kāi)提供高壓驅(qū)動(dòng)器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級(jí)與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合

2019-08-07 10:17:06

2913

根據(jù)電機(jī)控制應(yīng)用需求選擇合適的MOSFET驅(qū)動(dòng)器

2021-05-10 11:28:45

具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

2022-10-28 12:00:20

全芯時(shí)代單通道低側(cè)GaN驅(qū)動(dòng)器

該芯片是一款單通道低側(cè)GaN FET和邏輯電平MOSFET驅(qū)動(dòng)器，可應(yīng)用于LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別和低側(cè)驅(qū)動(dòng)的功率轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。

2023-06-30 09:58:50

967

具有集成驅(qū)動(dòng)器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:20:58

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)功能的650V 270m? GaN FET LMG3626數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 10:40:13

600V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR030數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 14:17:13

600V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG342xR050數(shù)據(jù)表

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2024-03-21 15:27:07

650V 50m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3522R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:41:30

650V 50m? 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R050數(shù)據(jù)表

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2024-03-22 10:40:05

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)功能的650V 170m? GaN FET LMG3624數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 09:50:39

650V 30m?具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的GaN FET LMG3526R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-25 11:31:11

具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和溫度報(bào)告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30m? GaN FET數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 10:40:57

具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表

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2024-03-28 11:02:33

具有集成驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)功能的650V 120m? GaN FET LMG3622數(shù)據(jù)表

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2024-03-29 09:18:53

PC1210高頻高效率半橋GaN驅(qū)動(dòng)器

（LET）的抗干擾度：?≥75MeV*cm2/mg 2.?功能描述 PC1210是一款60V半橋GaN驅(qū)動(dòng)器，專為高頻率、高效率的應(yīng)用而開(kāi)發(fā)，具有可調(diào)節(jié)死區(qū)

2024-06-20 14:16:53

1184

如何使用LMG1210優(yōu)化RF放大器性能

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2024-09-19 11:14:42

利用LMG1210實(shí)現(xiàn)GaN半橋設(shè)計(jì)的散熱和功耗降低

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2024-10-14 10:13:51

使用用于GaN的LMG1210EVM-012 300V半橋驅(qū)動(dòng)器

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2025-01-03 16:19:41

TI LMG3624 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170m? GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624 通過(guò)在 8mm × 5.3mm QFN 封裝中集成 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

2025-02-20 16:35:36

831

TI LMG3624 具有集成式驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)仿真功能的 650V 170m? GaN FET技術(shù)文檔

2025-02-20 16:54:57

883

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET

LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)，采用半橋配置。

2025-02-21 09:19:40

908

TI LMG2100R044 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 100V 4.4m? 半橋 GaN FET應(yīng)用與設(shè)計(jì)

2025-02-21 09:28:21

1050

LMG2652 650V、140mΩ GaN半橋，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2652 是一個(gè) 650V 140mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2652通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量，并減少了電路板空間。

2025-02-21 10:46:25

773

LMG3650R025 650V 25mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)介紹

LMG365xR025 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 10:54:37

798

LMG3100R017 100V 1.7mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動(dòng)器介紹

Ω，LMG3100R044為 46A/4.4mΩ。該器件由一個(gè)由高頻 GaN FET 驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的 100V GaN FET 組成。LMG3100 包含一個(gè)高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉電路，因此可以使用兩個(gè) LMG3100 器件來(lái)形成一個(gè)半橋，而無(wú)需額外的電平轉(zhuǎn)換器。

2025-02-21 11:19:52

1063

LMG3650R070 650V 70mΩ TOLL 封裝 GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)介紹

LMG365xR070 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 13:42:42

726

LMG2640 650V 105mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)概述

LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET 半橋，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG2640通過(guò)在 9mm x 7mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)，減少了元件數(shù)量并減少了電路板空間。

2025-02-21 14:14:05

806

LMG3614 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。該LMG3614通過(guò)將 GaN FET 和柵極驅(qū)動(dòng)器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封裝中，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)并減少了元件數(shù)量。

2025-02-21 14:37:23

728

應(yīng)用筆記：LMG3100R044 100V 4.4mΩ GaN FET，帶集成驅(qū)動(dòng)器

2025-02-21 15:16:11

925

技術(shù)資料#LMG2100R026 100V 2.6mΩ 半橋氮化鎵（GaN）功率級(jí)

LMG2100R026 器件是一款 93V 連續(xù)、100V 脈沖、53A 半橋功率級(jí)，集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN） FET。該器件由兩個(gè) GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置的高頻

2025-02-21 17:17:56

1047

技術(shù)資料#LMG3427R030 600V 30mΩ GaN FET，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電流檢測(cè)

LMG342xR030 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍嵘叫碌乃健?/div>

2025-02-21 17:46:47

745

技術(shù)資料#LMG2650 650V 95mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流感應(yīng)

LMG2650 是一個(gè) 650V 95mΩ GaN 功率 FET 半橋。該LMG2650通過(guò)在 6mm x 8mm QFN 封裝中集成半橋功率 FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉二極管和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器

2025-02-24 09:37:33

810

技術(shù)資料#LMG3526R050 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和零電壓檢測(cè)報(bào)告的 650V 50mΩ GaN FET

2025-02-24 13:32:11

727

技術(shù)資料#LMG3425R030 具有集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)、溫度報(bào)告和理想二極管模式的 600V 30mΩ GaN FET

LMG3425R030 GaN FET 集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，針對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，使設(shè)計(jì)人員能夠?qū)⒐β拭芏群托侍岣叩叫碌乃健? LMG3425R030 集成了一個(gè)硅驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)

2025-02-25 13:51:37

683

技術(shù)資料#LMG3410R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和過(guò)流保護(hù)功能的 600V 150mΩ GaN

LMG341xR150 GaN FET 具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零

2025-02-25 14:16:45

702

技術(shù)資料#LMG3411R150 具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN

2025-02-25 14:44:30

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產(chǎn)品介紹#LMG5200 80V GaN 半橋功率級(jí)

LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動(dòng)器和 GaN 半橋功率級(jí)，使用增強(qiáng)型氮化鎵（GaN） FET 提供集成功率級(jí)解決方案。該器件由兩個(gè) 80V GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置

2025-02-26 14:11:12

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LMG1210 GaNFET 和 MOSFET 的 1.5A、3A、200V 半橋柵極驅(qū)動(dòng)器、5V UVLO 和可編程死區(qū)時(shí)間數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1210 是一款 200V 半橋 MOSFET 和氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET） 驅(qū)動(dòng)器，專為超高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計(jì)，具有可調(diào)死區(qū)時(shí)間能力、非常小的傳播延遲和 3.4ns 高側(cè)低側(cè)匹配，可優(yōu)化系統(tǒng)效率。該器件還具有一個(gè)內(nèi)部 LDO，無(wú)論電源電壓如何，都能確保 5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓。

2025-05-24 15:53:00

893

LMG1020 具有 5V UVLO 的 7A/5A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

LMG1020 器件是一款單通道低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，設(shè)計(jì)用于在高速應(yīng)用中驅(qū)動(dòng) GaN FET 和邏輯電平 MOSFET，包括 LiDAR、飛行時(shí)間、面部識(shí)別以及任何涉及低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的電源轉(zhuǎn)換器。LMG

2025-05-19 09:47:33

911

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG3614 650V 170m? GaN功率FET設(shè)計(jì)用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封裝中集成了GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器，從而減少了元器件數(shù)量并簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)?？删幊痰膶?dǎo)通轉(zhuǎn)換率提供EMI和振鈴控制。

2025-07-04 15:50:44

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Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動(dòng)器的GaN FET數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG3100R0x具有集成驅(qū)動(dòng)器的氮化鎵 (GaN) FET是1.7mΩ GaN FET和驅(qū)動(dòng)器，帶高側(cè)電平轉(zhuǎn)換器和自舉功能。兩個(gè)LGM3100器件可用來(lái)組成一

2025-07-06 16:41:07

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Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments LMG2100R026 GaN半橋功率級(jí)集成了柵極驅(qū)動(dòng)器和增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）場(chǎng)效應(yīng)晶體管。93V連續(xù)、100V脈沖、53A半橋功率級(jí)包含兩個(gè)GaN FET，由

2025-07-11 14:40:22

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Texas Instruments LMG2100R044 GaN半橋功率級(jí)數(shù)據(jù)手冊(cè)

。LMG2100R044在半橋配置中集成了兩個(gè)100V GaN FET，由一個(gè)高頻90V GaN FET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)。GaN FET為功率轉(zhuǎn)換提供了顯著優(yōu)勢(shì)，例如零反向恢復(fù)和最小輸入電容CISS和輸出電容COSS。

2025-08-04 10:00:30

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德州儀器LMG3522R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)解析

Texas Instrument LMG3522R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率

2025-08-06 11:20:47

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德州儀器LMG3526R050 650V GaN FET集成驅(qū)動(dòng)技術(shù)深度解析

Texas Instrument LMG3526R050 650V GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器，可讓設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率

2025-08-06 11:29:38

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LMG2656 650V、230mΩ GaN 半橋，集成驅(qū)動(dòng)器、保護(hù)和電流檢測(cè)數(shù)據(jù)手冊(cè)

該LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET半橋。該LMG2656通過(guò)在6mm x 8mm QFN封裝中集成半橋功率FET、柵極驅(qū)動(dòng)器、自舉FET和高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)電平轉(zhuǎn)換器，簡(jiǎn)化

2025-08-06 16:40:03

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LMG3616 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)，適用于開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用。通過(guò)將GaN FET和柵極驅(qū)動(dòng)器集成在

2025-08-13 14:56:51

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LMG3612 650V GaN功率FET技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3612單通道GaN FET提供650V漏源電壓和120mΩ漏源電阻，以及專為開(kāi)關(guān)模式電源應(yīng)用設(shè)計(jì)的集成驅(qū)動(dòng)器。該 IC 將 GaN FET、柵極驅(qū)動(dòng)器

2025-08-13 15:13:49

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基于LMG352xR030 GaN功率模塊的技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments LMG3522R030/LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，適用于開(kāi)關(guān)模式電源轉(zhuǎn)換器

2025-09-08 09:38:55

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突破功率密度邊界：TI LMG342xR030 GaN FET技術(shù)解析與應(yīng)用

Texas Instruments LMG342xR030 GaN場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。

2025-09-19 11:06:08

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