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      標簽　>　派恩杰

      派恩杰

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      派恩杰半導體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導體功率器件設計銷售企業(yè)（Fabless模式），持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設計研發(fā)與產(chǎn)品銷售。

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      派恩杰簡介

      　　派恩杰半導體（杭州）有限公司成立于2018年9月，是第三代半導體功率器件設計銷售企業(yè)（Fabless模式），持續(xù)專注于碳化硅和氮化鎵功率器件設計研發(fā)與產(chǎn)品銷售。

      　　派恩杰產(chǎn)品有SiC SBD，SiC MOS以及GaN HEMT等，廣泛應用于服務器及數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)電機、逆變器等場景和領域。成立僅6個月即完成第一款可兼容驅動650V GaN功率器件；同年發(fā)布Gen3技術的1200V SiC MOS產(chǎn)品，技術指標國內(nèi)領先；2020年公司推出650V、1700V SiC MOS產(chǎn)品，完成三大產(chǎn)品系列布局；2021年公司推出650V、1200V SiC SBD全陣容產(chǎn)品，豐富了650V、1200V、1700V SiC MOS產(chǎn)品線，將發(fā)布100余款不同型號功率器件。

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      派恩杰技術

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      振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
      變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計 溫度傳感器 壓力傳感器
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