瞻芯電子比鄰驅動?SiC專用驅動支持多領域高效應用(下）

比鄰驅動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-25 標簽：MOSFET驅動芯片碳化硅 6.6k 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應用于工業(yè)、航空航天等領域，用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設備燃燒室內的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標簽：多晶硅mems壓力傳感器 6.6k 0

采用碳化硅功率器件的UPS更加高效節(jié)能 而冷卻需求卻在下降

合成的碳化硅粉末自1893年以來已經批量生產,采用碳化硅制造的IGBT最初的成本很高,但節(jié)能效果也很顯著,而且所有這些都不會將關鍵負荷轉移到電網(wǎng)中,不會...

2018-01-06 標簽：upsigbt碳化硅 6.6k 0

碳化硅在電機驅動中的應用

今天碳化硅器件已經在多種應用中取得商業(yè)的成功。碳化硅MOSFET已被證明是硅IGBT在太陽能、儲能系統(tǒng)、電動汽車充電器和電動汽車等領域的商業(yè)可行替代品。

2025-08-29 標簽：MOSFETIGBT碳化硅 6.5k 0

簡述碳化硅襯底類型及應用

碳化硅襯底 產業(yè)鏈核心材料，制備難度大碳化硅襯底制備環(huán)節(jié)主要包括原料合成、碳化硅晶體生長、晶錠加工、晶棒切割、切割片研磨、研磨片拋光、拋光片清洗等環(huán)節(jié)。

2023-05-09 標簽：SiC碳化硅 6.4k 0

從硅過渡到碳化硅，MOSFET的結構及性能優(yōu)劣勢對比

派恩杰半導體認為，Cascode結構只是從Si產品轉向SiC產品的一個過渡產品，因為Cascode結構完全無法發(fā)揮出SiC器件的獨特優(yōu)勢。

2022-02-23 標簽：MOSFET碳化硅 6.3k 0

碳化硅和硅的優(yōu)勢對比

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現(xiàn)的高功率應用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優(yōu)勢。

2023-10-30 標簽：二極管半導體SiC 6.1k 0

電機碳化硅技術指標是什么 碳化硅國家技術標準介紹

以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的發(fā)展開始受到重視，并在多個領域得到廣泛的應用，并且展現(xiàn)出了良好的發(fā)展前景。

2023-02-02 標簽：電動車SiC碳化硅 6.1k 0

晶圓靜電吸附（ESC）詳解

什么是真空吸盤？ 晶圓真空吸盤通常由堅硬的表面構成，表面上有許多小孔或通道。通過這些小孔，吸盤可以與真空泵連接，從而產生真空效應。

2023-09-08 標簽：晶圓溫度控制芯片封裝 6.1k 0

TaC涂層石墨件的應用與研發(fā)難點都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體材料具有優(yōu)異的光電轉換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標簽：新能源汽車半導體光電轉換 6.1k 0

終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

在現(xiàn)代電力電子技術中，集成功率模塊(IPM，IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能，廣泛用于電力電子轉換系統(tǒng)，如電機驅動...

2024-08-09 標簽：功率模塊IPM碳化硅 6k 0

聊一聊關于碳化硅雙脈沖測試中遇到的串擾問題

碳化硅具有更快的切換速度（更短的切換時間），較低的損耗，更高的開關頻率，更高的耐壓能力以及更好的溫度特性，相應地帶來效率的替身，系統(tǒng)磁性元器件減小，功率...

2023-08-27 標簽：二極管IGBTSiC 5.9k 0

英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對稱的布板設計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標簽：MOSFETIGBT碳化硅 5.8k 0

深度解讀第三代半導體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標簽：二極管MOSFET半導體 5.8k 0