碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

功率電子是基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè);所有電力設(shè)備都將使用某種形式的電源管理器件。因此，功率器件的進(jìn)步也推動(dòng)了大量應(yīng)用的進(jìn)展。這就是為何看到使用WBG材料的功率電子是很常...

2018-09-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電源管理碳化硅 5.8k 0

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對(duì)碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn)，探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長(zhǎng)及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對(duì)晶片表面粗糙度...

2023-05-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 CMP 5.7k 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究

作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...

2022-10-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅 5.7k 0

一款雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)方案解析

電池供電的便攜設(shè)備越來(lái)越多，在今日生活中扮演的角色也越來(lái)越重要。這個(gè)趨勢(shì)還取決于高能量?jī)?chǔ)存技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級(jí)電容器。這些...

2020-12-30 標(biāo)簽：鋰離子電池超級(jí)電容器電感器 5.7k 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽：SiC GaN 碳化硅 5.7k 0

激光器芯片封裝熱沉的選擇

半導(dǎo)體激光器又稱(chēng)激光二極管，是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長(zhǎng)，電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器激光二極管 5.7k 0

什么是Cu clip封裝？碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過(guò)封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴(lài)著封裝的支持，在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連（interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片功率器件碳化硅 5.7k 0

碳化硅MOSFET的開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題與TVS保護(hù)方案

在電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而，即使性能卓越，SiC MOSFET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中也可能面臨電壓尖...

2024-08-15 標(biāo)簽：MOSFET TVS 碳化硅 5.7k 0

理想i8的LPM功率模塊設(shè)計(jì)解析

理想汽車(chē)自研的LPM（Li Power Module）高壓碳化硅（SiC）功率模塊是其純電戰(zhàn)略的核心技術(shù)之一，于2025年6月首次公開(kāi)，搭載于旗艦純電車(chē)...

2025-08-16 標(biāo)簽：功率模塊 LPM 碳化硅 5.6k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)_出席參展今年度SEMICON China 2018

SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會(huì)，匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...

2018-03-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓碳化硅 5.6k 0

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標(biāo)簽：石英 SiC 碳化硅 5.6k 0

聊聊800V充電樁的充電原理

高壓800V充電系統(tǒng)如上所說(shuō)的需要增加外部主動(dòng)的液冷系統(tǒng)，傳統(tǒng)風(fēng)冷無(wú)論是主動(dòng)還是被動(dòng)冷卻均無(wú)法滿(mǎn)足要求，對(duì)于充電樁槍線到車(chē)端的熱管理也比以往要求更高，...

2023-12-19 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力電池充電系統(tǒng) 5.6k 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么碳化硅技術(shù)壁壘有哪些碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口，也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)，那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 5.5k 0

碳化硅是由分子還是原子組成的？

碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 5.5k 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類(lèi)型。一般來(lái)說(shuō)，MOSFET更適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.5k 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車(chē)究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶(hù)，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過(guò)，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場(chǎng)非常保守，適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽：MOSFET 氮化鎵碳化硅 5.5k 0

什么是半導(dǎo)體材料？半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路，促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體材料 SiC 5.5k 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5.4k 0

新能源汽車(chē)時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC（碳化硅）

新能源汽車(chē)相比于傳統(tǒng)燃油汽車(chē)，其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加，根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù)，傳統(tǒng)燃油車(chē)的車(chē)均半導(dǎo)體用量為338美元...

2023-06-15 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)半導(dǎo)體材料碳化硅 5.3k 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 5.3k 0

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Arduino

Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
FinFET

FinFET

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FinFET全稱(chēng)叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。
20nm

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村田

村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷(xiāo)售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶(hù)、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽(yáng)

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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷(xiāo)售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專(zhuān)注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
MHL

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Bourns

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體感控制

體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
模擬芯片

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閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿(mǎn)電子

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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車(chē)駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

研華

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華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
驍龍

驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱(chēng)。
Cortex-A

Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶(hù)端功能，例如車(chē)道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車(chē)輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車(chē)距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
STM32F4

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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類(lèi)筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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