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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

激光器芯片封裝熱沉的選擇

半導(dǎo)體激光器又稱激光二極管,是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的激光器。具有體積小、壽命長,電光轉(zhuǎn)化效率高、穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)

2023-05-16 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光器激光二極管 5.6k 0

半導(dǎo)體制造裝置之SiC涂層石墨基座介紹

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SiC涂層的制備方法主要有凝膠-溶膠法、包埋法、刷涂法、等離子噴涂法、化學(xué)氣相反應(yīng)法(CVR)和化學(xué)氣相沉積法(CVD)。

2023-05-11 標(biāo)簽:SiCGaN碳化硅 5.6k 0

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會_出席參展今年度SEMICON China 2018

SEMICON China規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,已是近6年全球最大、影響力最廣的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)盛會,匯集全球半導(dǎo)體晶圓廠商共襄盛舉。SEMICON China做為全...

2018-03-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓碳化硅 5.5k 0

終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

終于有人能把IPM模塊工作原理講明白了

在現(xiàn)代電力電子技術(shù)中,集成功率模塊(IPM,IntegratedPowerModule)憑借其高集成度和優(yōu)良的性能,廣泛用于電力電子轉(zhuǎn)換系統(tǒng),如電機(jī)驅(qū)動(dòng)...

2024-08-09 標(biāo)簽:功率模塊IPM碳化硅 5.5k 0

碳化硅MOSFET的開關(guān)尖峰問題與TVS保護(hù)方案

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在電力電子領(lǐng)域,碳化硅(SiC)MOSFET因其高效率、高頻率和高溫性能而備受青睞。然而,即使性能卓越,SiC MOSFET在開關(guān)過程中也可能面臨電壓尖...

2024-08-15 標(biāo)簽:MOSFETTVS碳化硅 5.5k 0

碳化硅晶片的超精密拋光工藝

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使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)方法對碳化硅晶片進(jìn)行了超精密拋光試驗(yàn),探究了滴液速率、拋光頭轉(zhuǎn) 速、拋光壓力、拋光時(shí)長及晶片吸附方式等工藝參數(shù)對晶片表面粗糙度...

2023-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝CMP 5.5k 0

什么是Cu clip封裝?碳化硅功率模塊鍵合方式

什么是Cu clip封裝?碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接,其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持,在大功率場合下通常功率芯片會被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連(interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽:芯片功率器件碳化硅 5.4k 0

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在...

2023-02-03 標(biāo)簽:石英SiC碳化硅 5.4k 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 5.4k 0

聊聊800V充電樁的充電原理

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高壓800V充電系統(tǒng)如上所說的 需要增加外部主動(dòng)的液冷系統(tǒng),傳統(tǒng)風(fēng)冷無論是主動(dòng)還是被動(dòng)冷卻均無法滿足要求,對于充電樁槍線到車端的熱管理也比以往要求更高,...

2023-12-19 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車動(dòng)力電池充電系統(tǒng) 5.4k 0

什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 5.3k 0

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)...

2023-02-03 標(biāo)簽:SiC襯底碳化硅 5.3k 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

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Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說,MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用,而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽:MOSFET逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 5.3k 0

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

基于GaN晶體管的500W電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案 GaN和汽車究竟是什么關(guān)系

電機(jī)是全球耗電大戶,盡管電壓很高,硅仍然是主流。不過,GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅(qū)動(dòng)的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)進(jìn)軍。但這個(gè)市場非常保守,適應(yīng)新技術(shù)的速度很...

2021-05-21 標(biāo)簽:MOSFET氮化鎵碳化硅 5.3k 0

碳化硅是由分子還是原子組成的?

碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

2023-02-12 標(biāo)簽:SiC碳化硅 5.3k 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

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GaN 和 SiC 器件在某些方面相似,但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽:SiCGaN半導(dǎo)體器件 5.3k 0

碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

相比硅二極管,GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗,并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

2018-07-06 標(biāo)簽:肖特基二極管碳化硅 5.2k 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體,分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3(β相氧化鎵)最為穩(wěn)定,當(dāng)加熱至一定高溫時(shí),其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相,在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵 5.1k 0

理想i8的LPM功率模塊設(shè)計(jì)解析

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理想汽車自研的LPM(Li Power Module)高壓碳化硅(SiC)功率模塊是其純電戰(zhàn)略的核心技術(shù)之一,于2025年6月首次公開,搭載于旗艦純電車...

2025-08-16 標(biāo)簽:功率模塊LPM碳化硅 5.1k 0

新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

新能源汽車時(shí)代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

新能源汽車相比于傳統(tǒng)燃油汽車,其中所使用的功率半導(dǎo)體器件成倍增加,根據(jù)Strategy Analytics的數(shù)據(jù),傳統(tǒng)燃油車的車均半導(dǎo)體用量為338美元...

2023-06-15 標(biāo)簽:新能源汽車半導(dǎo)體材料碳化硅 5.1k 0

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    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力,將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè),我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個(gè)國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過35個(gè)國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    廣州金升陽科技有限公司,成立于1998年7月,是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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    華星光電
    +關(guān)注
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    Cortex-A
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      Cortex-A 系列處理器是一系列處理器,支持ARM32或64位指令集,向后完全兼容早期的ARM處理器,包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
  • Mobileye
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    Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 的開發(fā)方面走在世界前列,提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能,例如車道偏離警告 (LDW)、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告 (FCW)、車距監(jiān)測 (HMW)、行人探測、智能前燈控制 (IHC)、交通標(biāo)志識別 (TSR)、僅視覺自適應(yīng)巡航控制 (ACC) 等。
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    STM32F4
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    PFM
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    壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號,通常會對探針施加某一固定頻率(遠(yuǎn)低于探針共振頻率)的激勵(lì)信號,通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
CAN CSI DSI DVI Ethernet HDMI I2C RS-485
SDI nas DMA HomeKit 閾值電壓 UART 機(jī)器學(xué)習(xí) TensorFlow
Arduino BeagleBone 樹莓派 STM32 MSP430 EFM32 ARM mbed EDA
示波器 LPC imx8 PSoC Altium Designer Allegro Mentor Pads
OrCAD Cadence AutoCAD 華秋DFM Keil MATLAB MPLAB Quartus
C++ Java Python JavaScript node.js RISC-V verilog Tensorflow
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