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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。

2023-08-07 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體材料SiC 4457 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)介紹

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對(duì)于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽:充電器SiC氮化鎵 4371 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng),外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白,研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4318 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn),因此正在逐漸成為電力變換系 統(tǒng)的核心器件,尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽:MOSFET功率器件功率模塊 4266 0

三種碳化硅外延生長爐的差異

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),...

2023-12-15 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 4256 0

汽車碳化硅逆變器的原理、作用和性能

  汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)車的電動(dòng)機(jī)。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器,將直...

2023-02-25 標(biāo)簽:電動(dòng)車逆變器碳化硅 4252 0

碳化硅的優(yōu)勢(shì)和難處

碳化硅的優(yōu)勢(shì)和難處

 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度,使其能夠承受更大的電流和電壓,同時(shí)實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4212 0

汽車碳化硅芯片原理、性能和用途

  汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,相比傳統(tǒng)的硅基功率器件,它具有更高的工作溫度、更低的開關(guān)損耗和更高的開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...

2023-02-25 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 4197 0

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

深度解讀第三代半導(dǎo)體—碳化硅

碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 4186 0

什么是SiC功率器件?它有哪些應(yīng)用?

SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導(dǎo)體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導(dǎo)體材料的重要應(yīng)用之一。SiC以其優(yōu)異...

2024-09-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4135 0

常見的碳化硅半導(dǎo)體器件

常見的碳化硅半導(dǎo)體器件

碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。

2019-10-24 標(biāo)簽:碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 4132 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理 在自然界中,晶體不勝枚舉,其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體;此外,半導(dǎo)體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標(biāo)簽:晶體SiC襯底 4090 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

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統(tǒng)的硅功率器件工藝中,高溫?cái)U(kuò)散和離子注入是最主要的摻雜控制方法,兩者各有優(yōu)缺點(diǎn)。一般來說,高溫?cái)U(kuò)散工藝簡單,設(shè)備便宜,摻雜分布輪廓為等向性,且高溫?cái)U(kuò)散工...

2023-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 4079 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

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連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽:纖維SiC復(fù)合材料 4076 0

從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 4070 0

碳化硅MOSFET工藝和芯片制造工藝

  碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFET晶圓碳化硅 4040 0

簡化電源管理的方法和技術(shù)指導(dǎo)

德州儀器的TPS7A39恰可滿足這種應(yīng)用需求,并能為設(shè)計(jì)人員提供適用于各種應(yīng)用的通用組件。這款150mA穩(wěn)壓器的最顯著功能在于它可為接地?cái)?shù)模轉(zhuǎn)換器任一端...

2019-08-05 標(biāo)簽:穩(wěn)壓器電源管理碳化硅 4027 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場(chǎng)景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 4026 0

SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)!

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

2023-02-21 標(biāo)簽:逆變器IGBTSiC 3991 0

什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V,取中間值400V,籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng);而伴...

2023-05-31 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 3963 0

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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
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數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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