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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅肖特基二極管降低能源成本和空間要求

相比硅二極管，GEN2碳化硅肖特基二極管可顯著降低開關(guān)損耗，并大幅提高電力電子系統(tǒng)的效率和可靠性。

2018-07-06 標簽：肖特基二極管碳化硅 5.2k 0

碳化硅功率模塊封裝及熱管理關(guān)鍵技術(shù)解析

碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導通損耗低等優(yōu)點，因此正在逐漸成為電力變換系統(tǒng)的核心器件，尤其在新能源汽車、可再生能源、儲能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標簽：MOSFET 功率器件功率模塊 5.2k 0

SiC碳化硅的基本概念、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域和發(fā)展趨勢

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有優(yōu)異的物理、化學和電學性能，在高溫、高頻、高壓等惡劣環(huán)境下具有很高的穩(wěn)定性和可靠性。本文將對SiC碳化硅的基...

2023-09-12 標簽：MOSFET 半導體 SiC 5.2k 0

碳化硅晶體的生長原理

碳化硅晶體的生長原理在自然界中，晶體不勝枚舉，其分布及應(yīng)用都十分廣泛。例如日常生活中隨處可見的鹽、糖、鉆石、雪花都是晶體；此外，半導體晶體、激光晶體、...

2024-08-03 標簽：晶體 SiC 襯底 5.1k 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。

2023-06-28 標簽：新能源汽車轉(zhuǎn)換器逆變器 5.1k 0

碳化硅離子注入和退火工藝介紹

統(tǒng)的硅功率器件工藝中，高溫擴散和離子注入是最主要的摻雜控制方法，兩者各有優(yōu)缺點。一般來說，高溫擴散工藝簡單，設(shè)備便宜，摻雜分布輪廓為等向性，且高溫擴散工...

2023-12-22 標簽：半導體功率器件 SiC 5.1k 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強共價鍵，是一種堅固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導體特性。

2023-02-22 標簽：氮化鎵碳化硅 5k 0

碳化硅VS硅基IGBT：誰才是功率半導體之王？

在半導體技術(shù)的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...

2025-04-02 標簽：IGBT 芯片封裝功率半導體 5k 0

三種碳化硅外延生長爐的差異

碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工，需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓，這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn)，...

2023-12-15 標簽：芯片半導體碳化硅 5k 0

深度解析碳化硅功率器件原理和優(yōu)勢

SiC市場格局仍由海外巨頭主導，市占率排名依次是：意法半導體、英飛凌、wolfspeed、羅姆、安森美、三菱電機等。

2024-04-01 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 5k 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別是什么

相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關(guān)關(guān)斷時的損耗，實現(xiàn)了高頻率工作，有助于應(yīng)用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減...

2023-09-11 標簽：MOSFET 元器件導通電阻 5k 0

碳化硅和晶體硅誰的熔點高

1.碳化硅和晶體硅的熔點比較，碳化硅的熔點更高。具體來說，碳化硅的熔點大于2700℃，并且其沸點高于3500℃。而晶體硅的熔點則為1410℃（也有資料...

2024-08-08 標簽：金屬晶體硅碳化硅 4.9k 0

碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

在航天電子產(chǎn)品中，電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要，有時甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標。

2020-10-02 標簽：功率器件碳化硅 4.9k 0

3300V SiC MOSFET柵氧可靠性研究

摘要：碳化硅 SiC功率器件因其卓越的材料性能，表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景，其中金屬-氧化物-場效應(yīng)晶體管 MOSFET是最重要的器件。3300 V SiC...

2024-01-04 標簽：MOSFET 光伏晶體管 4.8k 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

　碳化硅（SiC）具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度，使其能夠承受更大的電流和電壓，同時實現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計和更高的效率。

2023-12-11 標簽：功率器件 SiC 碳化硅 4.8k 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。

2023-02-22 標簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導體 4.8k 0

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標簽：變壓器功率器件 Rohm 4.8k 0

連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料研究與應(yīng)用進展

連續(xù)纖維增強陶瓷基復合材料(以下簡稱陶瓷基復合材料)發(fā)明于20世紀70年代，歷經(jīng)近40年的發(fā)展，陶瓷基復合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料，許多國外機構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標簽：纖維 SiC 復合材料 4.8k 0

驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

相較于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導通電阻更低、開啟電壓更低的特點，越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標簽：MOSFET 驅(qū)動芯片碳化硅 4.8k 0

寬禁帶半導體材料氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）介紹

對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。

2023-06-12 標簽：充電器 SiC 氮化鎵 4.7k 0

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