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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅對(duì)比硅材料器件有哪些優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代,目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。業(yè)界普遍認(rèn)為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù),有助于對(duì)抗全球氣候...

2020-10-02 標(biāo)簽:硅材料碳化硅 1.0萬(wàn) 0

碳化硅材料及其特性和加工工藝研究

半導(dǎo)體器件是現(xiàn)代工業(yè)整機(jī)設(shè)備的核心,廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、消費(fèi)類電子、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子等核心領(lǐng)域,半導(dǎo)體器件產(chǎn)業(yè)主要由四個(gè)基本部分組成:集成電路、光電器件...

2018-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體碳化硅 1.0萬(wàn) 0

碳化硅功率半導(dǎo)體器件的制造工藝

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似,主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升...

2022-10-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件碳化硅 9.9k 0

溝槽就是戰(zhàn)壕:英飛凌碳化硅CoolSiC?

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戰(zhàn)爭(zhēng)在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù),而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說(shuō),前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師,本文的讀者就...

2023-03-13 標(biāo)簽:英飛凌二極管MOSFET 9.9k 0

英飛凌全碳化硅模塊實(shí)例

具體來(lái)說(shuō),在新能源發(fā)電系統(tǒng)中,采用碳化硅技術(shù)能夠達(dá)到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...

2018-05-04 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC器件 9.9k 0

碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù),它可以用于控制電流和電壓,以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

2023-02-15 標(biāo)簽:MOSFETIGBT碳化硅 9.7k 0

電力電子器件的概念及分類

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電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中,實(shí)現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

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碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

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晶體結(jié)構(gòu)是通過原子(或離子/分子)組的周期性分布來(lái)實(shí)現(xiàn)的。理想情況下,考慮到在空間坐標(biāo)中延伸到無(wú)窮大的晶體,周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性(或平移對(duì)稱性)。因此...

2022-07-29 標(biāo)簽:晶體氮化鎵碳化硅 9.6k 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

  碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成,密度是3.2g/cm3,天然碳化硅非常罕見,主要通過人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 9.4k 0

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

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隨著電動(dòng)汽車 (EV) 制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車型方面的競(jìng)爭(zhēng)日益激烈,電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力,...

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瞻芯電子比鄰驅(qū)動(dòng)系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片介紹

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比鄰驅(qū)動(dòng)(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動(dòng)芯片,具有緊湊、高速和智能的特點(diǎn)。

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碳化硅功率器件,助力OBC提升功率密度降低重量,讓新能源汽車充電更快,續(xù)航更長(zhǎng)

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瑞森半導(dǎo)體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場(chǎng)和客戶認(rèn)可,廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽(yáng)能逆變、UPS電源、電機(jī)驅(qū)...

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SiC如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理?SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用?

碳化硅(SiC)是由硅(Si)和碳(C)組成的半導(dǎo)體化合物,屬于寬帶隙(WBG)系列材料。它的物理鍵非常牢固,使半導(dǎo)體具有很高的機(jī)械,化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 8.5k 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

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采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率,還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點(diǎn)。

2023-09-27 標(biāo)簽:SiC電磁感應(yīng)硅晶片 8.4k 0

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外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...

2023-05-31 標(biāo)簽:MOSFET晶圓工藝 8.2k 0

認(rèn)識(shí)碳化硅晶錠切割

眾所周知單晶材料是SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ),依據(jù)器件的使用,還會(huì)要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量

2022-10-25 標(biāo)簽:SiC碳化硅 8k 0

深入了解Soitec的SmartSiC技術(shù)

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在電動(dòng)汽車的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統(tǒng)的硅基逆變器時(shí),SiC 解決方案將帶來(lái)約 5-10% 的效率提升。

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一種智能的碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)核

近年來(lái),以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件越來(lái)越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管,以其寬帶隙,高電場(chǎng)強(qiáng)度...

2018-09-24 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅 7.8k 0

MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因

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SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì),在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。

2023-05-19 標(biāo)簽:MOSFETMOS管SiC 7.7k 0

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