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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅對比硅材料器件有哪些優(yōu)勢

碳化硅功率器件的研發(fā)始于20世紀90年代，目前已成為新型功率半導體器件研究開發(fā)的主流。業(yè)界普遍認為碳化硅功率器件是一種真正的創(chuàng)新技術(shù)，有助于對抗全球氣候...

2020-10-02 標簽：硅材料碳化硅 1.0萬 0

英飛凌全碳化硅模塊實例

具體來說，在新能源發(fā)電系統(tǒng)中，采用碳化硅技術(shù)能夠達到的更高的效率意味著其能夠更早地替代傳統(tǒng)的石化燃料發(fā)電。英飛凌為光伏串組串逆變器的升壓和逆變部分提供量...

2018-05-04 標簽：英飛凌碳化硅 SiC器件 9653 0

溝槽就是戰(zhàn)壕：英飛凌碳化硅CoolSiC?

戰(zhàn)爭在戰(zhàn)壕中決出勝負，而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說，前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計工程師，本文的讀者就...

2023-03-13 標簽：英飛凌二極管 MOSFET 9646 0

碳化硅功率半導體器件的制造工藝

碳化硅器件制造環(huán)節(jié)與硅基器件的制造工藝流程大體類似，主要包括光刻、清洗、摻雜、蝕刻、成膜、減薄等工藝。不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進行產(chǎn)線升...

2022-10-24 標簽：半導體器件碳化硅 9601 0

碳化硅MOSFET和IGBT的區(qū)別與聯(lián)系

碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFET技...

2023-02-15 標簽：MOSFET IGBT 碳化硅 9484 0

碳化硅和氮化鎵的晶體結(jié)構(gòu)

晶體結(jié)構(gòu)是通過原子（或離子/分子）組的周期性分布來實現(xiàn)的。理想情況下，考慮到在空間坐標中延伸到無窮大的晶體，周期性轉(zhuǎn)化為平移不變性（或平移對稱性）。因此...

2022-07-29 標簽：晶體氮化鎵碳化硅 9314 0

碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較

Si-MOSFET根據(jù)制造工藝可分為平面柵極MOSFET和超結(jié)MOSFET。平面柵極MOSFET在提高額定電壓時，漂移層會變厚，導致導通電阻增加的問題。

2024-03-19 標簽：二極管 IGBT MOS 9252 0

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

隨著電動汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，...

2023-02-27 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 9098 0

電力電子器件的概念及分類

電力電子器件(Power Electronic Device)是指可直接用于處理電能的主電路中，實現(xiàn)電能的變換或控制的電子器件。廣義上電力電子器件可分為...

2023-04-04 標簽：電力電子器件驅(qū)動電路 SiC 8910 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點及主要用途

　　碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見，主要通過人工合...

2023-02-06 標簽：半導體功率器件 SiC 8820 0

碳化硅功率器件解讀碳化硅與車載充電器(OBC)

碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，讓新能源汽車充電更快，續(xù)航更長

2022-09-23 標簽：新能源汽車充電器 SiC 8451 0

SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導體具有很高的機械，化學和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標簽：MOSFET 功率器件 SiC 8283 0

瞻芯電子比鄰驅(qū)動系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片介紹

比鄰驅(qū)動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創(chuàng)新開發(fā)的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅(qū)動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-21 標簽：MOSFET SiC 驅(qū)動芯片 8145 0

碳化硅MOS四引腳封裝在應(yīng)用中的優(yōu)勢

瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā)，推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品，目前已得到市場和客戶認可，廣泛應(yīng)用于高端服務(wù)器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)...

2022-09-01 標簽：封裝 MOS 引腳 7992 0

SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進...

2023-05-31 標簽：MOSFET 晶圓工藝 7773 0

一種智能的碳化硅MOSFET驅(qū)動核

近年來，以碳化硅、氮化鎵材料為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件越來越受到客戶的追捧。特別是碳化硅材料的MOSFET、肖特基二極管，以其寬帶隙，高電場強度...

2018-09-24 標簽：MOSFET 碳化硅 7644 0

認識碳化硅晶錠切割

眾所周知單晶材料是SiC功率半導體技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，依據(jù)器件的使用，還會要求SiC單晶片要有高的表面質(zhì)量

2022-10-25 標簽：SiC 碳化硅 7506 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點。

2023-09-27 標簽：SiC 電磁感應(yīng)硅晶片 7468 0

探討碳化硅在電動汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

隨著電動汽車、智能電網(wǎng)、核電、太陽能、風能等能源領(lǐng)域以及航海、航空、航天、高速軌道交通等技術(shù)的不斷發(fā)展，對功率器件的性能提出了更高的要求。

2018-10-15 標簽：電動汽車碳化硅 7407 0

深入了解Soitec的SmartSiC技術(shù)

在電動汽車的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統(tǒng)的硅基逆變器時，SiC 解決方案將帶來約 5-10% 的效率提升。

2023-07-11 標簽：電動汽車 MOSFET 逆變器 7335 0

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