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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

驅(qū)動碳化硅MOSFET使用米勒鉗位功能的必要性分析

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相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn),越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...

2024-06-21 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動芯片碳化硅 5k 0

氮化鎵和碳化硅哪個有優(yōu)勢

氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢,應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較: 氮化鎵(GaN)...

2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5k 0

連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展

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連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...

2023-05-18 標(biāo)簽:纖維SiC復(fù)合材料 5k 0

碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域

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在航天電子產(chǎn)品中,電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要,有時甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。

2020-10-02 標(biāo)簽:功率器件碳化硅 5k 0

采用先進(jìn)碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性

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眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動著對高性能功率器件的需求不斷增長,應(yīng)用場景日益多樣,這也給電源設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料,如碳化硅 (SiC) 和氮化...

2025-12-22 標(biāo)簽:封裝技術(shù)功率器件碳化硅 4.9k 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng),外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白,研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4.9k 0

碳化硅的優(yōu)勢和難處

碳化硅的優(yōu)勢和難處

 碳化硅(SiC)具有更低的阻抗和更寬的禁帶寬度,使其能夠承受更大的電流和電壓,同時實(shí)現(xiàn)更小尺寸的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和更高的效率。

2023-12-11 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 4.9k 0

一文解析無芯變壓器柵極驅(qū)動器

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功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-05-10 標(biāo)簽:變壓器功率器件Rohm 4.9k 0

寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)介紹

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對于 GaN,中文名氮化鎵,我們實(shí)在是聽得太多了。

2023-06-12 標(biāo)簽:充電器SiC氮化鎵 4.9k 0

碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析

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碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動能力要求相對低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。

2024-04-01 標(biāo)簽:MOSFET變換器電源供電 4.9k 0

碳化硅的性能和應(yīng)用場景

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

2023-08-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 4.9k 0

碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別是什么

以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...

2024-08-08 標(biāo)簽:晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 4.8k 0

什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?

SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。

2024-04-18 標(biāo)簽:SiC熱處理碳化硅 4.8k 0

汽車碳化硅芯片原理、性能和用途

  汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,相比傳統(tǒng)的硅基功率器件,它具有更高的工作溫度、更低的開關(guān)損耗和更高的開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...

2023-02-25 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體碳化硅 4.8k 0

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅器件封裝技術(shù)解析

碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大,難以匹配 SiC 器件...

2023-12-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 4.8k 0

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

碳化硅單晶襯底的常用檢測技術(shù)

碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...

2024-01-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管SiC 4.8k 0

碳化硅(SiC)二極管的種類及優(yōu)勢

以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...

2023-02-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 4.7k 0

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

SiC MOSFET和SiC IGBT的區(qū)別

  在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...

2023-02-12 標(biāo)簽:MOSFETIGBTPN結(jié) 4.6k 0

從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 4.6k 0

汽車碳化硅逆變器的原理、作用和性能

  汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動電動車的電動機(jī)。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器,將直...

2023-02-25 標(biāo)簽:電動車逆變器碳化硅 4.6k 0

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電機(jī)驅(qū)動器 步進(jìn)驅(qū)動器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
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