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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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相較于硅MOSFET和硅IGBT,碳化硅MOSFET具有更快的開關(guān)速度、導(dǎo)通電阻更低、開啟電壓更低的特點(diǎn),越來越廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)、交通、醫(yī)療等...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當(dāng)前半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的佼佼者,它們各自具有獨(dú)特的優(yōu)勢,應(yīng)用領(lǐng)域也有所不同。以下是對兩者優(yōu)勢的比較: 氮化鎵(GaN)...
2024-09-02 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 5k 0
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料研究與應(yīng)用進(jìn)展
連續(xù)纖維增強(qiáng)陶瓷基復(fù)合材料(以下簡稱陶瓷基復(fù)合材料)發(fā)明于20世紀(jì)70年代,歷經(jīng)近40年的發(fā)展,陶瓷基復(fù)合材料已成為戰(zhàn)略性尖端材料,許多國外機(jī)構(gòu)已具備了...
碳化硅功率器件在航天電子產(chǎn)品中的應(yīng)用領(lǐng)域
在航天電子產(chǎn)品中,電子設(shè)備的功耗、體積和重量比地面設(shè)備更加重要,有時甚至是衡量該產(chǎn)品的主要指標(biāo)。
采用先進(jìn)碳化硅封裝技術(shù)有效提升系統(tǒng)耐久性
眾多行業(yè)領(lǐng)域的電氣化推動著對高性能功率器件的需求不斷增長,應(yīng)用場景日益多樣,這也給電源設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。寬禁帶材料,如碳化硅 (SiC) 和氮化...
氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域
我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng),外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白,研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。
2023-02-22 標(biāo)簽:碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4.9k 0
功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間,ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器,以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健...
碳化硅MOSFET與硅MOSFET的應(yīng)用對比分析
碳化硅 MOSFET 具有導(dǎo)通電壓低、 開關(guān)速度極快、 驅(qū)動能力要求相對低等特點(diǎn), 是替代高壓硅MOSFET 的理想器件之一。
碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性,突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制,是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...
以下是關(guān)于碳化硅晶圓和硅晶圓的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使...
2024-08-08 標(biāo)簽:晶圓逆變器半導(dǎo)體材料 4.8k 0
什么是SiC boat?SiC boat有幾種不同的制作工藝?
SiC boat,即碳化硅舟。碳化硅舟是用在爐管中,裝載載晶圓進(jìn)行高溫處理的耐高溫配件。
汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,相比傳統(tǒng)的硅基功率器件,它具有更高的工作溫度、更低的開關(guān)損耗和更高的開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn),因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...
碳化硅 ( SiC )具有禁帶寬、臨界擊穿場強(qiáng)大、熱導(dǎo)率高、高壓、高溫、高頻等優(yōu)點(diǎn)。應(yīng)用于硅基器件的傳統(tǒng)封裝方式寄生電感參數(shù)較大,難以匹配 SiC 器件...
2023-12-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)封裝技術(shù)SiC 4.8k 0
碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料,因其寬禁帶寬度、高擊穿電場強(qiáng)度和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能,在眾多高端應(yīng)用領(lǐng)域表現(xiàn)出色,已成為半導(dǎo)體材料技術(shù)的重要發(fā)展方向...
以碳化硅(silicon carbide,SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件,受到了廣泛的關(guān)注。SiC中存在各種多型體(結(jié)晶多系),它們的物性值也各不相...
2023-02-04 標(biāo)簽:SiC碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 4.7k 0
從晶體到系統(tǒng)之路:關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析
由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大,所以我單獨(dú)把這兩個流程拿出來和大家分享,接下來的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...
汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電,以驅(qū)動電動車的電動機(jī)。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器,將直...
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