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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。

      文章：2844個(gè) 瀏覽：51965次 帖子：38個(gè)

      碳化硅技術(shù)

      IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法

      IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法

      本篇文章簡(jiǎn)單介紹IGBT工作時(shí)序及門(mén)極驅(qū)動(dòng)計(jì)算方法，引入大電流驅(qū)動(dòng)IC以及門(mén)極保護(hù)TVS，同時(shí)羅列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驅(qū)動(dòng)電壓，借此介紹非...

      2023-12-21 標(biāo)簽：MOSFETTVSIGBT 4.6k 0

      車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

      車載充電機(jī)OBC的技術(shù)方向與碳化硅應(yīng)用方案

      車載充電機(jī)（On-Board Charger，簡(jiǎn)稱為OBC）的基本功能是：電網(wǎng)電壓經(jīng)由地面交流充電樁、交流充電口，連接至車載充電機(jī)，給車載動(dòng)力電池進(jìn)行慢...

      2022-07-20 標(biāo)簽：SiC碳化硅OBC 4.6k 0

      SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

      在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

      2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器IGBTSiC 4.6k 0

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      碳化硅外延設(shè)備技術(shù)研究

      與傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料硅、鍺相比，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅 (Silicon Carbide, SiC) 具有禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率高、高溫穩(wěn)定性好以及...

      2023-12-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體材料SiC 4.6k 0

      什么是800V高壓系統(tǒng)?800V高壓系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)力和系統(tǒng)架構(gòu)分析

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      800V高壓系統(tǒng)的稱呼源自于整車電氣角度。當(dāng)前主流新能源整車高壓電氣系統(tǒng)電壓范圍一般為230V-450V，取中間值400V，籠統(tǒng)稱之為400V系統(tǒng)；而伴...

      2023-05-31 標(biāo)簽：MOSFET碳化硅 4.5k 0

      數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

      數(shù)明半導(dǎo)體SiLM27531H柵極驅(qū)動(dòng)器在碳化硅器件中的應(yīng)用

      碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)，在許多大功率應(yīng)用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅(qū)動(dòng)電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開(kāi)關(guān)性能。盡管碳化硅...

      2025-09-03 標(biāo)簽：柵極驅(qū)動(dòng)器碳化硅數(shù)明半導(dǎo)體 4.5k 0

      常見(jiàn)的碳化硅半導(dǎo)體器件

      常見(jiàn)的碳化硅半導(dǎo)體器件

      碳化硅（SiC）又叫金剛砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成，其實(shí)碳化硅很久以前就被發(fā)現(xiàn)了。

      2019-10-24 標(biāo)簽：碳化硅碳化硅半導(dǎo)體 4.5k 0

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

      ?第三代半導(dǎo)體之碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

      半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...

      2023-12-21 標(biāo)簽：晶體管功率器件氮化鎵 4.5k 0

      碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

      碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案

      對(duì)于可再生能源設(shè)備，如太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能設(shè)備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。

      2021-01-08 標(biāo)簽：MOSFET導(dǎo)通電阻晶體管 4.5k 0

      銀燒結(jié)技術(shù)在功率模塊封裝的應(yīng)用

      作為高可靠性芯片連接技術(shù)，銀燒結(jié)技術(shù)得到了功率模塊廠商的廣泛重視，一些功率半導(dǎo)體頭部公司相繼推出類似技術(shù)，已在功率模塊的封裝中取得了應(yīng)用。

      2023-03-31 標(biāo)簽：IGBT氮化鎵功率模塊 4.4k 0

      SiC外延層的缺陷控制研究

      SiC外延層的缺陷控制研究

      探索SiC外延層的摻雜濃度控制與缺陷控制，揭示其在高性能半導(dǎo)體器件中的關(guān)鍵作用。

      2024-01-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體半導(dǎo)體技術(shù)SiC 4.4k 0

      碳化硅MOSFET工藝和芯片制造工藝

      　　碳化硅MOSFET技術(shù)是一種半導(dǎo)體技術(shù)，它可以用于控制電流和電壓，以及檢測(cè)電阻、電容、電壓和電流等參數(shù)，以確定電子設(shè)備是否正常工作。

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET晶圓碳化硅 4.4k 0

      碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

      碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是...

      2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 4.4k 0

      切割工藝參數(shù)對(duì)6英寸N型碳化硅晶片的影響

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      采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進(jìn)給速度等切割參數(shù)對(duì)晶片切割表面的影響。通過(guò)優(yōu)...

      2023-08-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件晶片 4.4k 0

      碳化硅MOSFET的工作原理 與igbt相比的差別

      　碳化硅MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一種半導(dǎo)體器件，它的工作原理...

      2023-02-15 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體碳化硅 4.4k 0

      碳化硅肖特基二極管的原理及應(yīng)用

      碳化硅肖特基二極管（Silicon Carbide Schottky Diode）是一種高性能半導(dǎo)體器件，具有低開(kāi)啟電壓、高速開(kāi)關(guān)、高溫性能等優(yōu)點(diǎn)，廣泛...

      2023-06-04 標(biāo)簽：肖特基二極管半導(dǎo)體器件碳化硅 4.4k 0

      什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選？

      什么是碳化硅功率模塊？為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選？

      如今，功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉，而且該技術(shù)廣為人知。

      2023-11-25 標(biāo)簽：MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 4.4k 0

      基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

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      工程師對(duì)電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過(guò)渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí)，需要多加注意。 芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...

      2021-04-06 標(biāo)簽：電磁干擾SiC氮化鎵 4.3k 0

      關(guān)于碳化硅你了解多少

      關(guān)于碳化硅你了解多少

      碳和硅的原子序數(shù)分別為6和14，在元素周期表中處于碳族元素的第二和第三周期，即上下相鄰的位置。這種位置關(guān)系，表明它們?cè)谀承┓矫婢哂蓄愃频男再|(zhì)。

      2023-02-02 標(biāo)簽：SiC金剛石碳化硅 4.3k 0

      基于碳化硅的PIN紫外光電探測(cè)器仿真介紹

      基于碳化硅的PIN紫外光電探測(cè)器仿真介紹

      隨著碳化硅等第三代半導(dǎo)體材料的制備和研究工作取得巨大的進(jìn)展，對(duì)基于碳化硅材料的紫外探測(cè)器件的研究得到了業(yè)界更多的關(guān)注。

      2023-04-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體PIN管光電探測(cè)器 4.2k 0

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      • 超級(jí)本
        超級(jí)本
        +關(guān)注
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