碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)

碳化硅（SiC）和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體（Si）是兩種常見的半導(dǎo)體材料，它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而，碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)...

2024-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料器件碳化硅 3.6k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖...

2023-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.5k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對碳化硅功率...

2023-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 3.5k 0

碳化硅二極管是什么意思 碳化硅二極管如何測量好壞

　　碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管，號(hào)稱反向恢復(fù)時(shí)間為零，是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...

2023-02-10 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體開關(guān)電源 3.4k 0

高功率半導(dǎo)體激光器過渡熱沉封裝技術(shù)研究

摘要：近些年，在市場應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下，半導(dǎo)體激光器的輸出功率越來越高，器件產(chǎn)生的熱量也在增加，同時(shí)封裝結(jié)構(gòu)要求也更加緊湊，這對半導(dǎo)體激光器的熱管理提出了更高的...

2023-01-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器封裝 3.4k 0

氮化鋁的研究歷史、特征及應(yīng)用

近幾年，碳化硅作為一種無機(jī)材料，其熱度可與“半導(dǎo)體”、“芯片”、“集成電路”等相提并論，它除了是制造芯片的戰(zhàn)略性半導(dǎo)體材料外，因其獨(dú)有的特性和優(yōu)勢受到其...

2022-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻陶瓷材料 3.4k 0

寬禁帶半導(dǎo)體概述 碳化硅壽命面臨什么挑戰(zhàn)

寬禁帶半導(dǎo)體，指的是價(jià)帶和導(dǎo)帶之間的能量偏差(帶隙)大，決定了電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶所需要的能量。更寬的帶隙允許器件能夠在更高的電壓、溫度和頻率下工作。

2022-12-19 標(biāo)簽：碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 3.4k 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體，或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化...

2023-12-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體SiC碳化硅 3.3k 0

氮化鎵的應(yīng)用及如何制備

進(jìn)入90年代以后，第二代半導(dǎo)體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導(dǎo)體材料逐漸出現(xiàn)，使得有線通訊技術(shù)迅速發(fā)展。隨后在本世紀(jì)初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3.3k 0

SiC二極管概述和技術(shù)參數(shù)

SiC二極管，全稱SiC碳化硅勢壘二極管，也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管（SiC SBD），是碳化硅（SiC）功率器件的一種，屬于第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)...

2024-09-10 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 3.3k 0