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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級(jí)1200 V碳化硅MOSFET
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級(jí)碳化硅(SiC) MOSFET,其RDS(on)值分別...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 258 0
近日,PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025,在德國(guó)紐倫堡迎來(lái)展會(huì)首日盛況。本屆展會(huì)聚焦電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源與能源...
近日,基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品,產(chǎn)品性能進(jìn)一步提升,封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...
2025-05-09 標(biāo)簽:MOSFET碳化硅基本半導(dǎo)體 204 0
基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025
近日,全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?;景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動(dòng)解決方案...
2025-05-09 標(biāo)簽:功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 190 0
納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)
納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計(jì)的2025年第一季度財(cái)務(wù)業(yè)績(jī)。
2025-05-08 標(biāo)簽:氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 163 0
英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù),實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電
為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)正在擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出了新型Coo...
國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器(APF)中的革新應(yīng)用
傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管,SiC碳化硅MOSFET模塊,碳化硅SiC-MOSFET...
此前,2025年4月23日至5月2日,第二十一屆上海國(guó)際汽車工業(yè)展覽會(huì)(Auto Shanghai 2025)在國(guó)家會(huì)展中心(上海)盛大舉行。本屆車展以...
碳化硅何以英飛凌?—— SiC MOSFET性能評(píng)價(jià)的真相
在碳化硅(SiC)技術(shù)的應(yīng)用中,許多工程師對(duì)SiC的性能評(píng)價(jià)存在誤解,尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻(Rsp)”和“高溫漂移”的問(wèn)題。作為“碳化硅何以英飛...
2025-04-30 標(biāo)簽:英飛凌碳化硅SiC MOSFET 76 0
SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡
碳化硅(SiC)MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓限制的根本原因源于其柵氧化層(通常為SiO?)的電場(chǎng)耐受能力和界面特性,需在柵氧可靠性與器件性能之間進(jìn)行...
國(guó)產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)
國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進(jìn)展,但面對(duì)英飛凌等國(guó)際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢(shì),仍需從多個(gè)維...
深度分析650V國(guó)產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力
深度分析B3M040065Z和B3M040065L的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力 傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(...
基本半導(dǎo)體碳化硅(SiC)MOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech...
基于國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案
基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳...
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的優(yōu)勢(shì)
三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲(chǔ)能變流器PCS的優(yōu)勢(shì) 三相四橋臂拓?fù)浣Y(jié)合碳化硅(SiC)功率模塊的工商業(yè)儲(chǔ)能變流器(PCS),在新能源和電力電子領(lǐng)...
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能
2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)板:解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動(dòng)板不僅是SiC MOSFET的“智...
破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬
破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬 值此五一勞動(dòng)節(jié)之際,我們向奮戰(zhàn)在國(guó)產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...
碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性
在碳化硅(SiC)MOSFET橋式電路應(yīng)用中,米勒鉗位功能至關(guān)重要,主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面: 在SiC MOSFET橋式電路(如充電樁LLC拓?fù)洹⒐夥?..
2025瑞能半導(dǎo)體大中國(guó)區(qū)經(jīng)銷商大會(huì)成功舉辦
日前,2025瑞能半導(dǎo)體(大中國(guó)區(qū))經(jīng)銷商大會(huì)在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會(huì)以“瑞光照芯力·能量啟未來(lái)”為主題,匯聚了瑞能半導(dǎo)體布局大中國(guó)區(qū)的...
2025-04-28 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅瑞能半導(dǎo)體 312 0
隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加,能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實(shí)現(xiàn)低碳經(jīng)濟(jì)的重要一環(huán)。碳化硅(SiC)功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能,正逐...
2025-04-27 標(biāo)簽:功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 194 0
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