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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅資訊

Nexperia推出行業(yè)領(lǐng)先的D2PAK-7封裝車規(guī)級1200 V碳化硅MOSFET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出一系列高效耐用的車規(guī)級碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分別...

2025-05-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 280 0

派恩杰半導(dǎo)體亮相PCIM Europe 2025

近日，PNJ(PNJunction)亮相PCIM Europe 2025，在德國紐倫堡迎來展會首日盛況。本屆展會聚焦電力電子、智能運動、可再生能源與能源...

2025-05-09 標(biāo)簽：晶圓碳化硅派恩杰 177 0

基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET

近日，基本半導(dǎo)體正式推出新一代碳化硅MOSFET系列新品，產(chǎn)品性能進一步提升，封裝形式更加豐富。首發(fā)規(guī)格包括面向車用主驅(qū)等領(lǐng)域的1200V/13.5mΩ...

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基本半導(dǎo)體攜碳化硅功率器件亮相PCIM Europe 2025

近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?；景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案...

2025-05-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅基本半導(dǎo)體 203 0

納微半導(dǎo)體公布2025年第一季度財務(wù)業(yè)績

納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。

2025-05-08 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅納微半導(dǎo)體 187 0

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

為推動下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）正在擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型Coo...

2025-05-07 標(biāo)簽：英飛凌 JFET 碳化硅 63 0

國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET在有源濾波器（APF）中的革新應(yīng)用

傾佳電子(Changer Tech)-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET...

2025-05-10 標(biāo)簽：MOSFET 有源濾波器碳化硅 89 0

派恩杰亮相2025上海國際車展

此前，2025年4月23日至5月2日，第二十一屆上海國際汽車工業(yè)展覽會（Auto Shanghai 2025）在國家會展中心（上海）盛大舉行。本屆車展以...

2025-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件碳化硅 136 0

碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價的真相

在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛...

2025-04-30 標(biāo)簽：英飛凌碳化硅 SiC MOSFET 78 0

SiC碳化硅MOSFET驅(qū)動電壓的限制源于柵氧可靠性與器件性能之間的權(quán)衡

碳化硅（SiC）MOSFET的Vgs正負(fù)驅(qū)動電壓限制的根本原因源于其柵氧化層（通常為SiO?）的電場耐受能力和界面特性，需在柵氧可靠性與器件性能之間進行...

2025-05-05 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 143 0

國產(chǎn)SiC模塊企業(yè)如何向英飛凌功率模塊產(chǎn)品線借鑒和學(xué)習(xí)

國產(chǎn)碳化硅（SiC）模塊在技術(shù)性能、成本控制及產(chǎn)業(yè)鏈整合方面已取得顯著進展，但面對英飛凌等國際巨頭在技術(shù)積累、全球化布局和產(chǎn)品生態(tài)上的優(yōu)勢，仍需從多個維...

2025-05-05 標(biāo)簽：英飛凌 SiC 碳化硅 110 0

深度分析650V國產(chǎn)碳化硅MOSFET的產(chǎn)品力及替代高壓GaN器件的潛力

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2025-05-04 標(biāo)簽：GaN 碳化硅 94 0

基本半導(dǎo)體碳化硅（SiC）MOSFET低關(guān)斷損耗（Eoff）特性的應(yīng)用優(yōu)勢

BASiC基本股份半導(dǎo)體的碳化硅（SiC）MOSFET憑借其低關(guān)斷損耗（Eoff）特性，在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢：傾佳電子（Changer Tech...

2025-05-04 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 87 0

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基于BASIC Semiconductor基本半導(dǎo)體股份有限公司碳化硅SiC MOSFET的高效熱泵與商用空調(diào)系統(tǒng)解決方案 BASiC基本股份SiC碳...

2025-05-03 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 93 0

三相四橋臂SiC碳化硅功率模塊工商業(yè)儲能變流器PCS的優(yōu)勢

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2025-05-06 標(biāo)簽：SiC 功率模塊儲能 73 0

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板：解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能

2CD0210T12x0 SiC MOSFET驅(qū)動板：解鎖SiC碳化硅功率模塊的極限性能 2CD0210T12x0驅(qū)動板不僅是SiC MOSFET的“智...

2025-05-06 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 86 0

破浪前行追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬

破浪前行追光而上——向國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動者致敬值此五一勞動節(jié)之際，我們向奮戰(zhàn)在國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)業(yè)一線的科研人員、...

2025-05-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 88 0

碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應(yīng)用中米勒鉗位功能的重要性

在碳化硅（SiC）MOSFET橋式電路應(yīng)用中，米勒鉗位功能至關(guān)重要，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：在SiC MOSFET橋式電路（如充電樁LLC拓?fù)洹⒐夥?..

2025-04-30 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 163 0

2025瑞能半導(dǎo)體大中國區(qū)經(jīng)銷商大會成功舉辦

日前，2025瑞能半導(dǎo)體（大中國區(qū)）經(jīng)銷商大會在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會以“瑞光照芯力·能量啟未來”為主題，匯聚了瑞能半導(dǎo)體布局大中國區(qū)的...

2025-04-28 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體碳化硅瑞能半導(dǎo)體 315 0

碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

隨著全球?qū)沙掷m(xù)能源的需求不斷增加，能源轉(zhuǎn)換技術(shù)的提升已成為實現(xiàn)低碳經(jīng)濟的重要一環(huán)。碳化硅（SiC）功率器件因其在高溫、高電壓和高頻率下優(yōu)越的性能，正逐...

2025-04-27 標(biāo)簽：功率器件碳化硅能源轉(zhuǎn)換 199 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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美國Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來專注于48V電源解決方案。Vicor帶來了全新的配電架構(gòu)、零電流開關(guān) （ZCS）及零電壓開關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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　　柵極驅(qū)動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時，使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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CC2541 是一款針對低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進行提取。

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