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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)
UnitedSiC宣布與益登科技(TWSE: 3048)簽署代理協(xié)議,將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng),為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...
納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)即將召開(kāi)
來(lái)自中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)通知,10月28-30日,一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將隆重召開(kāi)! 不管您是來(lái)自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...
科銳正在推進(jìn)從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型
在科銳 (Cree, Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼: CREE),我們正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...
第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析
第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時(shí)代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 ...
汽車、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力,模塊化是其主要發(fā)展趨勢(shì)
據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),到2022年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10億美元。電源的功率因數(shù)校正(PFC)、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...
2020-09-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 8.8k 0
碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
今天政策層面有一個(gè)大消息,特大消息,那就是我國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...
科銳在美國(guó)紐約建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠
美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進(jìn)從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...
“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“
碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。
2020-09-02 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 1.8k 0
Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動(dòng)器和功率模塊工具包,助力開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)投產(chǎn)
Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開(kāi)發(fā)人員從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的步伐。
科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能
科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。
2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.3k 0
羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件
通過(guò)使用TO-247-4L封裝,驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。
2020-08-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器碳化硅羅姆 1.4k 1
從產(chǎn)品及財(cái)務(wù)角度分析天科合達(dá)
據(jù)招股書(shū)顯示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓...
2020-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料晶片碳化硅 3.1k 0
在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門(mén)技術(shù),我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外,在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入,有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...
博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品
博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問(wèn)世開(kāi)始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...
5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略
可是最近的一篇報(bào)道,引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗,節(jié)約電費(fèi),中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...
除了定時(shí)開(kāi)關(guān)機(jī),5G基站還可以這樣節(jié)省電費(fèi)
最近,一篇關(guān)于中國(guó)聯(lián)通在每天21:00到次日9:00關(guān)閉5G基站,以減少能耗,節(jié)約電費(fèi)的新聞,引起了大量的關(guān)注。很多人是在看到這樣的報(bào)道后才知道,原來(lái)5...
2020-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì)高頻 1.3萬(wàn) 1
華潤(rùn)微電子SiC二極管量產(chǎn)!覆蓋充電樁、通信、服務(wù)器電源等熱門(mén)領(lǐng)域
近日,華潤(rùn)微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽(yáng)能、UPS、通信和服務(wù)器電...
2020-07-21 標(biāo)簽:功率器件華潤(rùn)微電子碳化硅 1.4萬(wàn) 0
英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域
該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。
博世作為在汽車與智能交通領(lǐng)域深耕多年的產(chǎn)業(yè)巨擘,在家居和工業(yè)領(lǐng)域也能看到他們的身影。在智慧出行的迅速推行下,博世提出了哪些革新技術(shù)和解決方案呢?電子發(fā)燒...
三安集成:6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)
葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案;本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù);SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況,以及三安集成在...
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