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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅資訊

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議 加速業(yè)界采用碳化硅技術(shù)

UnitedSiC宣布與益登科技(TWSE: 3048)簽署代理協(xié)議,將產(chǎn)品推向亞洲市場(chǎng),為包括電動(dòng)汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等...

2020-09-17 標(biāo)簽:碳化硅益登科技UnitedSiC 2.6k 0

納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)即將召開(kāi)

來(lái)自中國(guó)微米納米技術(shù)學(xué)會(huì)通知,10月28-30日,一年一度的納米技術(shù)領(lǐng)域最盛大的博覽會(huì)中國(guó)國(guó)際納米技術(shù)產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)即將隆重召開(kāi)! 不管您是來(lái)自學(xué)術(shù)界、企業(yè)...

2020-09-16 標(biāo)簽:納米技術(shù)mems碳化硅 2.9k 0

科銳正在推進(jìn)從硅向碳化硅的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型

在科銳 (Cree, Inc., 美國(guó)納斯達(dá)克上市代碼: CREE),我們正在推進(jìn)從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...

2020-09-15 標(biāo)簽:科銳碳化硅 2.9k 0

第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

第三代半導(dǎo)體寫(xiě)入十四五 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈與第三代半導(dǎo)體材料企業(yè)分析

第一代材料是硅(Si),大家通俗理解的硅谷,就是第一代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)園。 第二代材料是砷化鎵(GaAs),為4G時(shí)代而生,目前的大部分通信設(shè)備的材料。 ...

2020-09-04 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體摩爾定律 7.8k 0

汽車、5G電源和光伏是SiC發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力,模塊化是其主要發(fā)展趨勢(shì)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì),到2022年SiC的市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10億美元。電源的功率因數(shù)校正(PFC)、太陽(yáng)能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高...

2020-09-04 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車SiC碳化硅 8.8k 0

碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來(lái)政策東風(fēng) 中國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

今天政策層面有一個(gè)大消息,特大消息,那就是我國(guó)擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫(xiě)入十四五規(guī)劃,利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大...

2020-09-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 6.9k 0

科銳在美國(guó)紐約建造全球最大的碳化硅(SiC)制造工廠

美國(guó)北卡羅萊納州達(dá)勒姆訊––Cree,Inc.(Nasdaq:CREE)宣布,科銳正在推進(jìn)從硅(Si)向碳化硅(SiC)的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。為了滿足日益增長(zhǎng)的對(duì)...

2020-09-02 標(biāo)簽:LEDSic碳化硅 2.8k 0

“新一輪產(chǎn)業(yè)升級(jí),全球進(jìn)入第三代半導(dǎo)體時(shí)代“

碳化硅,作為發(fā)展的最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,其寬禁帶,高臨界擊穿電場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),是制造高壓高溫功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體材料。

2020-09-02 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)SiC半導(dǎo)體器件 1.8k 0

Microchip推出AgileSwitch柵極驅(qū)動(dòng)器和功率模塊工具包,助力開(kāi)發(fā)人員設(shè)計(jì)投產(chǎn)

Microchip的AgileSwitch?數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SP6LI SiC功率模塊工具包解決方案可加快開(kāi)發(fā)人員從設(shè)計(jì)到投產(chǎn)的步伐。

2020-09-01 標(biāo)簽:microchip逆變器功率模塊 2.1k 0

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國(guó)紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 (SiC) 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽:氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.3k 0

羅姆推出具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)的碳化硅MOSFET器件

通過(guò)使用TO-247-4L封裝,驅(qū)動(dòng)器和電流源引腳得以分離,從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。

2020-08-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器碳化硅羅姆 1.4k 1

從產(chǎn)品及財(cái)務(wù)角度分析天科合達(dá)

從產(chǎn)品及財(cái)務(wù)角度分析天科合達(dá)

據(jù)招股書(shū)顯示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料是繼硅材料之后最有前景的半導(dǎo)體材料之一,與硅材料相比,以碳化硅晶片為襯底制造的半導(dǎo)體器件具備高功率、耐高壓...

2020-08-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料晶片碳化硅 3.1k 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心,研發(fā)成果有哪些?

在材料方面,除了硅基,第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門(mén)技術(shù),我國(guó)除了在硅基方面進(jìn)行追趕外,在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入,有了不少的創(chuàng)新研究。國(guó)家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽:射頻氮化鎵碳化硅 1.9萬(wàn) 1

博世入局碳化硅 博世致力于研發(fā)符合車規(guī)級(jí)的碳化硅產(chǎn)品

博世集團(tuán)是世界先進(jìn)的技術(shù)及服務(wù)供應(yīng)商。從MEMS技術(shù)問(wèn)世開(kāi)始,博世始終處于MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))技術(shù)的前沿位置。如今,博世已成為全球的MEMS傳感器的頭...

2020-08-07 標(biāo)簽:MOSFETmems碳化硅 5.3k 0

5G基站電源設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報(bào)道,引起了人們對(duì)5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗,節(jié)約電費(fèi),中國(guó)聯(lián)通在洛陽(yáng)某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽:電源氮化鎵功率密度 1.2萬(wàn) 0

除了定時(shí)開(kāi)關(guān)機(jī),5G基站還可以這樣節(jié)省電費(fèi)

最近,一篇關(guān)于中國(guó)聯(lián)通在每天21:00到次日9:00關(guān)閉5G基站,以減少能耗,節(jié)約電費(fèi)的新聞,引起了大量的關(guān)注。很多人是在看到這樣的報(bào)道后才知道,原來(lái)5...

2020-08-03 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源電源設(shè)計(jì)高頻 1.3萬(wàn) 1

華潤(rùn)微電子SiC二極管量產(chǎn)!覆蓋充電樁、通信、服務(wù)器電源等熱門(mén)領(lǐng)域

近日,華潤(rùn)微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級(jí)SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品,并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽(yáng)能、UPS、通信和服務(wù)器電...

2020-07-21 標(biāo)簽:功率器件華潤(rùn)微電子碳化硅 1.4萬(wàn) 0

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊,為碳化硅開(kāi)辟新應(yīng)用領(lǐng)域

該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實(shí)現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗可以最大限度地減少冷卻器件的尺寸。

2020-07-14 標(biāo)簽:英飛凌柵極電阻碳化硅 1.9k 0

博世:新一代碳化硅技術(shù)助力智慧出行

博世作為在汽車與智能交通領(lǐng)域深耕多年的產(chǎn)業(yè)巨擘,在家居和工業(yè)領(lǐng)域也能看到他們的身影。在智慧出行的迅速推行下,博世提出了哪些革新技術(shù)和解決方案呢?電子發(fā)燒...

2020-07-14 標(biāo)簽:汽車電子碳化硅博世 4.5k 0

三安集成:6英寸車規(guī)級(jí)碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計(jì)在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案;本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù);SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況,以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽:氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.6萬(wàn) 0

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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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