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標(biāo)簽 > 薄膜
薄膜是一種薄而軟的透明薄片。用塑料、膠粘劑、橡膠或其他材料制成。薄膜科學(xué)上的解釋為:由原子,分子或離子沉積在基片表面形成的2維材料。例:光學(xué)薄膜、復(fù)合薄膜、超導(dǎo)薄膜、聚酯薄膜、尼龍薄膜、塑料薄膜等等。薄膜被廣泛用于電子電器,機(jī)械,印刷等行業(yè)。
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非局域四探針?lè)ǎ撼瑢?dǎo)薄膜顆粒度對(duì)電阻特性的影響機(jī)制解析
技術(shù)支持:4009926602超導(dǎo)薄膜的微觀不均勻性(顆粒度)是影響其宏觀性能的關(guān)鍵因素。在接近臨界溫度(T??)時(shí),傳統(tǒng)四探針?lè)ǔS^測(cè)到異常電阻峰,這...
消除接觸電阻的四探針改進(jìn)方法:精確測(cè)量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率
方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一,尤其在傳感器設(shè)計(jì)中,不同條件下的方塊電阻變化是感知測(cè)量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會(huì)顯著影響測(cè)量精度,甚...
四探針薄膜測(cè)厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測(cè)量實(shí)踐
平板顯示(FPD)制造過(guò)程中,薄膜厚度的實(shí)時(shí)管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機(jī)械觸針?lè)?、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材...
四探針?lè)?| 測(cè)量射頻(RF)技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻
SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料,廣泛用于太陽(yáng)能電池、觸摸屏等電子器件,其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻(RF)濺射技術(shù)制備的Sn...
大面積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池薄膜制備:從實(shí)驗(yàn)室到規(guī)模化量產(chǎn)
鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSCs)憑借高效率、低成本及廣泛的應(yīng)用潛力,已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),在光伏領(lǐng)域顯示出巨大的商業(yè)化潛力。然而,大面積鈣鈦礦太陽(yáng)能電池...
2025-09-24 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池薄膜鈣鈦礦 253 0
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中,若濕法去膠第一次未能完全去除干凈,可能引發(fā)一系列連鎖反應(yīng),對(duì)后續(xù)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量造成顯著影響。以下是具體后果及分析:殘留物導(dǎo)致后續(xù)工藝...
2025-09-16 標(biāo)簽:薄膜濕法半導(dǎo)體制造 179 0
橢偏儀在半導(dǎo)體薄膜厚度測(cè)量中的應(yīng)用:基于光譜干涉橢偏法研究
薄膜厚度的測(cè)量在芯片制造和集成電路等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。橢偏法具備高測(cè)量精度的優(yōu)點(diǎn),利用寬譜測(cè)量方式可得到全光譜的橢偏參數(shù),實(shí)現(xiàn)納米級(jí)薄膜的厚度測(cè)量。...
薄膜測(cè)厚選臺(tái)階儀還是橢偏儀?針對(duì)不同厚度范圍提供技術(shù)選型指南
在現(xiàn)代工業(yè)與科研中,薄膜厚度是決定材料腐蝕性能、半導(dǎo)體器件特性以及光學(xué)與電學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵參數(shù)。精準(zhǔn)測(cè)量此參數(shù)對(duì)于工藝優(yōu)化、功能材料理解及反向工程都至關(guān)重要...
2025-08-29 標(biāo)簽:薄膜半導(dǎo)體器件測(cè)厚 2k 0
橢偏儀薄膜測(cè)量原理和方法:光學(xué)模型建立和仿真
橢偏技術(shù)是一種非接觸式、高精度、多參數(shù)等光學(xué)測(cè)量技術(shù),是薄膜檢測(cè)的最好手段。本文以橢圓偏振基本原理為基礎(chǔ),重點(diǎn)介紹了光學(xué)模型建立和仿真,為橢偏儀薄膜測(cè)量...
半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異:定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征:在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的...
臺(tái)階儀測(cè)量膜厚:揭示氫離子遷移對(duì)磁性薄膜磁性的調(diào)控規(guī)律
磁性薄膜材料是電子器件小型化的基礎(chǔ),被廣泛應(yīng)用在生物、化學(xué)、環(huán)境和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。本文聚焦電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)的氫離子(H?)調(diào)控磁性薄膜的磁性,對(duì)Pt/Co、Pt/...
DLC薄膜厚度可精準(zhǔn)調(diào)控其結(jié)構(gòu)顏色,耐久性和環(huán)保性協(xié)同提升
類金剛石碳(DLC)薄膜因高硬度、耐磨損特性,廣泛應(yīng)用于刀具、模具等工業(yè)領(lǐng)域,其傳統(tǒng)顏色為黑色或灰色。近期,日本研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD...
薄膜厚度測(cè)量技術(shù)的綜述:從光譜反射法(SR)到光譜橢偏儀(SE)
薄膜在半導(dǎo)體、顯示和二次電池等高科技產(chǎn)業(yè)中被廣泛使用,其厚度通常小于一微米。對(duì)于這些薄膜厚度的精確測(cè)量對(duì)于質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而,能夠測(cè)量薄膜厚度的技術(shù)...
四探針?lè)ㄘ瓕?dǎo)電薄膜薄層電阻的精確測(cè)量、性能驗(yàn)證與創(chuàng)新應(yīng)用
薄層電阻(SheetResistance,Rs)是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù),直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針?lè)ㄒ云涓呔群涂煽啃猿?..
在指甲蓋大小的芯片上集成數(shù)百億晶體管,需要經(jīng)歷數(shù)百道嚴(yán)苛工藝的淬煉。每一道工序的參數(shù)波動(dòng),都可能引發(fā)蝴蝶效應(yīng),最終影響芯片的良率與可靠性。半導(dǎo)體制造的本...
本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測(cè)的重要性,介紹了量測(cè)納米級(jí)薄膜的原理,并介紹了如何在制造過(guò)程中融入薄膜量測(cè)技術(shù)。
2025-02-26 標(biāo)簽:薄膜芯片制造量測(cè)技術(shù) 1.9k 0
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢(shì)和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...
半導(dǎo)體薄膜沉積技術(shù)的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用
在半導(dǎo)體制造業(yè)這一精密且日新月異的舞臺(tái)上,每一項(xiàng)技術(shù)都是推動(dòng)行業(yè)躍進(jìn)的關(guān)鍵舞者。其中,原子層沉積(ALD)技術(shù),作為薄膜沉積領(lǐng)域的一顆璀璨明星,正逐步成...
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