橢偏儀在精密薄膜中的應(yīng)用：基于單驅(qū)動(dòng)變角結(jié)構(gòu)的高重復(fù)性精度控制系統(tǒng)

橢偏測試技術(shù)具有非接觸、高靈敏、無樣品破壞優(yōu)勢，廣義橢偏儀因可測各向同性與異性樣品成研究熱點(diǎn)，但需變角結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)多角度測量。當(dāng)前立式橢偏儀存在雙電機(jī)配合難...

2025-10-15 標(biāo)簽：薄膜控制系統(tǒng) 50 0

非局域四探針法：超導(dǎo)薄膜顆粒度對(duì)電阻特性的影響機(jī)制解析

技術(shù)支持：4009926602超導(dǎo)薄膜的微觀不均勻性（顆粒度）是影響其宏觀性能的關(guān)鍵因素。在接近臨界溫度（T??）時(shí)，傳統(tǒng)四探針法常觀測到異常電阻峰，這...

2025-09-29 標(biāo)簽：薄膜測量電阻特性 158 0

消除接觸電阻的四探針改進(jìn)方法：精確測量傳感器薄膜方塊電阻和電阻率

方塊電阻是薄膜材料的核心特性之一，尤其在傳感器設(shè)計(jì)中，不同條件下的方塊電阻變化是感知測量的基礎(chǔ)。但薄膜材料與金屬電極之間的接觸電阻會(huì)顯著影響測量精度，甚...

2025-09-29 標(biāo)簽：傳感器薄膜接觸電阻 244 0

四探針薄膜測厚技術(shù) | 平板顯示FPD制造中電阻率、方阻與厚度測量實(shí)踐

平板顯示（FPD）制造過程中，薄膜厚度的實(shí)時(shí)管理是確保產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵因素。傳統(tǒng)方法如機(jī)械觸針法、顯微法和光學(xué)法存在破壞樣品、速度慢、成本高或局限于特定材...

2025-09-29 標(biāo)簽：薄膜FPD測厚 209 0

四探針法 | 測量射頻（RF）技術(shù)制備的SnO2:F薄膜的表面電阻

SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的Sn...

2025-09-29 標(biāo)簽：電阻薄膜RF 266 0

大面積鈣鈦礦太陽能電池薄膜制備：從實(shí)驗(yàn)室到規(guī)模化量產(chǎn)

鈣鈦礦太陽能電池（PSCs）憑借高效率、低成本及廣泛的應(yīng)用潛力，已成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)，在光伏領(lǐng)域顯示出巨大的商業(yè)化潛力。然而，大面積鈣鈦礦太陽能電池...

2025-09-24 標(biāo)簽：太陽能電池薄膜鈣鈦礦 263 0

濕法去膠第一次去不干凈會(huì)怎么樣

在半導(dǎo)體制造過程中，若濕法去膠第一次未能完全去除干凈，可能引發(fā)一系列連鎖反應(yīng)，對(duì)后續(xù)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量造成顯著影響。以下是具體后果及分析：殘留物導(dǎo)致后續(xù)工藝...

2025-09-16 標(biāo)簽：薄膜濕法半導(dǎo)體制造 180 0

橢偏儀在半導(dǎo)體薄膜厚度測量中的應(yīng)用：基于光譜干涉橢偏法研究

薄膜厚度的測量在芯片制造和集成電路等領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用。橢偏法具備高測量精度的優(yōu)點(diǎn)，利用寬譜測量方式可得到全光譜的橢偏參數(shù)，實(shí)現(xiàn)納米級(jí)薄膜的厚度測量。...

2025-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜厚度測量 1k 0

薄膜測厚選臺(tái)階儀還是橢偏儀？針對(duì)不同厚度范圍提供技術(shù)選型指南

在現(xiàn)代工業(yè)與科研中，薄膜厚度是決定材料腐蝕性能、半導(dǎo)體器件特性以及光學(xué)與電學(xué)性質(zhì)的關(guān)鍵參數(shù)。精準(zhǔn)測量此參數(shù)對(duì)于工藝優(yōu)化、功能材料理解及反向工程都至關(guān)重要...

2025-08-29 標(biāo)簽：薄膜半導(dǎo)體器件測厚 2k 0

橢偏儀薄膜測量原理和方法：光學(xué)模型建立和仿真

橢偏技術(shù)是一種非接觸式、高精度、多參數(shù)等光學(xué)測量技術(shù)，是薄膜檢測的最好手段。本文以橢圓偏振基本原理為基礎(chǔ)，重點(diǎn)介紹了光學(xué)模型建立和仿真，為橢偏儀薄膜測量...

2025-08-15 標(biāo)簽：薄膜測量光學(xué)模組 2.9k 0

半導(dǎo)體外延和薄膜沉積有什么不同

半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的...

2025-08-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜外延片 871 0

臺(tái)階儀測量膜厚：揭示氫離子遷移對(duì)磁性薄膜磁性的調(diào)控規(guī)律

磁性薄膜材料是電子器件小型化的基礎(chǔ)，被廣泛應(yīng)用在生物、化學(xué)、環(huán)境和計(jì)算機(jī)等領(lǐng)域。本文聚焦電場驅(qū)動(dòng)的氫離子（H?）調(diào)控磁性薄膜的磁性，對(duì)Pt/Co、Pt/...

2025-08-08 標(biāo)簽：薄膜電子器件測量 836 0

DLC薄膜厚度可精準(zhǔn)調(diào)控其結(jié)構(gòu)顏色，耐久性和環(huán)保性協(xié)同提升

類金剛石碳（DLC）薄膜因高硬度、耐磨損特性，廣泛應(yīng)用于刀具、模具等工業(yè)領(lǐng)域，其傳統(tǒng)顏色為黑色或灰色。近期，日本研究團(tuán)隊(duì)通過等離子體化學(xué)氣相沉積（CVD...

2025-07-22 標(biāo)簽：薄膜測量 648 0

薄膜厚度測量技術(shù)的綜述：從光譜反射法（SR）到光譜橢偏儀（SE）

薄膜在半導(dǎo)體、顯示和二次電池等高科技產(chǎn)業(yè)中被廣泛使用，其厚度通常小于一微米。對(duì)于這些薄膜厚度的精確測量對(duì)于質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而，能夠測量薄膜厚度的技術(shù)...

2025-07-22 標(biāo)簽：薄膜測量光譜 1.3k 0

四探針法丨導(dǎo)電薄膜薄層電阻的精確測量、性能驗(yàn)證與創(chuàng)新應(yīng)用

薄層電阻（SheetResistance,Rs）是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成...

2025-07-22 標(biāo)簽：電阻薄膜精確測量 598 0

芯片制造中的薄膜測量方法

在指甲蓋大小的芯片上集成數(shù)百億晶體管，需要經(jīng)歷數(shù)百道嚴(yán)苛工藝的淬煉。每一道工序的參數(shù)波動(dòng)，都可能引發(fā)蝴蝶效應(yīng)，最終影響芯片的良率與可靠性。半導(dǎo)體制造的本...

2025-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜芯片制程 1.7k 0

淺談半導(dǎo)體薄膜制備方法

本文簡單介紹一下半導(dǎo)體鍍膜的相關(guān)知識(shí)，基礎(chǔ)的薄膜制備方法包含熱蒸發(fā)和濺射法兩類。

2025-06-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜 893 0

芯片制造中薄膜厚度量測的重要性

本文論述了芯片制造中薄膜厚度量測的重要性，介紹了量測納米級(jí)薄膜的原理，并介紹了如何在制造過程中融入薄膜量測技術(shù)。

2025-02-26 標(biāo)簽：薄膜芯片制造量測技術(shù) 1.9k 0

LPCVD氮化硅薄膜生長的機(jī)理

可以看出, SiH4提供的是Si源，N2或NH3提供的是N源。但是由于LPCVD反應(yīng)溫度較高，氫原子往往從氮化硅薄膜中去除，因此反應(yīng)物中氫的含量較低。氮...

2025-02-07 標(biāo)簽：芯片薄膜氮化硅 907 0

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜工藝 1.5k 0