一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法

本文提供了用于蝕刻膜的方法和設備。一個方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點燃等離子體以a形成含氟蝕刻...

2022-04-24 標簽：多晶硅蝕刻襯底 1457 0

利用原子力顯微鏡測量硅蝕刻速率

本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測量硅蝕刻速率的簡單方法，應用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過無損摩擦化學去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。...

2022-04-22 標簽：蝕刻測量顯微鏡 1745 0

詳解微機械中的各向異性刻蝕技術

單晶硅， 作為IC、LSI的電子材料， 用于微小機械部件的材料，也就是說，作為結構材料的新用途已經開發(fā)出來了。其理由是， 除了單晶SI或機械性強之外，還...

2022-04-22 標簽：晶圓蝕刻微機械 4001 0

通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透研究

本文研究了通過光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非常快速地響應選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護下面的膜不被降解。如今，大多數材料圖案化是用等離子蝕刻...

2022-04-22 標簽：蝕刻晶片光致抗蝕劑 933 0

詳解微加工過程中的蝕刻技術

微加工過程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過程中的一個重要步驟。術語蝕刻指的是在制造時從晶片表面去除層。這是一個非常重要的過程，每個晶片都要經歷許多蝕刻過...

2022-04-20 標簽：工藝蝕刻加工 3016 0

單晶硅片與蝕刻時間的關系研究

本文研究了用金剛石線鋸切和標準漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時間的關系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，...

2022-04-18 標簽：蝕刻單晶硅片 740 0

臭氧輔助硅蝕刻技術的研究

本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-18 標簽：半導體臭氧蝕刻 520 0

硅晶片的化學刻蝕和動力學效應

硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學效應的研究已經完成。由反應形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，表面的一部分被反應物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應被模擬為...

2022-04-15 標簽：蝕刻硅晶片 1255 0

一種制備PS層的超聲增強化學蝕刻方法

本文采用超聲增強化學蝕刻技術制備了多孔硅層，利用高頻溶液和硝酸技術在p型取向硅中制備了多孔硅層。超聲檢測發(fā)現p型硅多孔硅層的結構，用該方法可以制備質量因...

2022-04-15 標簽：工藝超聲波蝕刻 609 0

半導體清洗液中溶解氫氣對晶圓清洗的影響

在最近的半導體清潔方面，以生物堿為基礎的RCA清潔法包括大量的超純和化學液消耗量以及清潔時多余薄膜的損失； 由于環(huán)境問題，對新的新精液和清潔方法的研究正...

2022-04-14 標簽：半導體蝕刻清洗 790 0

噴霧特性與蝕刻特性的相互關系

本研究根據蝕刻條件的變化，對蝕刻特性——蝕刻率和蝕刻系數進行了球面分析，并使用速度、液滴大小、沖擊力(PDA)系統(tǒng)分析了噴嘴、噴射壓力、線短距離、工質物...

2022-04-14 標簽：特性蝕刻噴霧 750 0

一種強有力的各向異性濕法化學刻蝕技術

我們展示了在c平面藍寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結晶蝕刻，蝕刻速率高達3.2mm/min。晶體...

2022-04-14 標簽：工藝氮化鎵蝕刻 1631 0

第一原理化學反應流模型的開發(fā)和應用

本研究的目的是開發(fā)和應用一個數值模型來幫助設計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學模型，通過與實驗蝕刻速率數據...

2022-04-13 標簽：蝕刻模型 570 0

硅晶片的蝕刻預處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進行SC-...

2022-04-13 標簽：蝕刻清洗硅晶片 1251 0

硅晶圓蝕刻過程中的化學反應研究

硅晶圓作為硅半導體制造的基礎材料，是極其重要的，將作為鑄錠成長的硅單晶加工成晶圓階段的切斷、研磨、研磨中，晶圓表面會產生加工變質層。為了去除該加工變質層...

2022-04-12 標簽：硅晶圓蝕刻 1339 0

硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用

本文研究了硅的氧化物和氮化物的氣相氟化氫蝕刻作用，新的氧化物選擇性模式，概述了通過將無水高頻與控制量的水蒸汽混合而產生高頻蒸汽蝕刻劑的實現方法，描述了一...

2022-04-11 標簽：晶硅蝕刻氧化物 1607 0

操作參數對蝕刻速率和均勻性的影響

本研究的目的是開發(fā)和應用一個數值模型來幫助設計和操作CDE工具，為此，我們編制了第一個已知的NF3/02氣體的等離子體動力學模型，通過與實驗蝕刻速率數據...

2022-04-08 標簽：蝕刻晶片CDE 1355 0

不同蝕刻時間對多孔硅結構和光學性能的影響

硅在歷史上一直是電子產品的主要材料，而光電子領域的工作幾乎完全依賴于GaAs和磷化銦等ⅲ-ⅴ族化合物材料。這種材料系統(tǒng)二分法的主要原因是硅的間接帶隙結構...

2022-04-08 標簽：蝕刻多孔硅 765 0

一種新的半導體超鹵素深度分析方法

本文章提出了一種新的半導體超鹵素深度分析方法，在通過臭氧氧化去除一些硅原子層，然后用氫氟酸蝕刻氧化物后，重復測量，然后確定了成分和表面電位的深度分布，因...

2022-04-07 標簽：半導體蝕刻 1264 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應用了幾種分析方...

2022-03-31 標簽：傳感器蝕刻GaAs 1161 0