在本文中，我們?cè)敿?xì)研究了AlGaN的濕法刻蝕特性。特別地，我們研究了m面刻面形成和AlN摩爾分?jǐn)?shù)對(duì)蝕刻速率的依賴(lài)關(guān)系。我們還研究了氮化鋁摩爾分?jǐn)?shù)差異較大的紫外發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的濕法刻蝕特性。
2021-12-13 14:58:12
1270 
這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢(shì)壘凹陷應(yīng)用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設(shè)備功率設(shè)置的優(yōu)化允許獲得寬范圍的蝕刻速率~0.6至~11納米/周期，而相對(duì)于未蝕刻的表面，表面粗糙度沒(méi)有任何可觀察到的增加。
2021-12-13 16:07:582195 
不同的蝕刻劑(氯化鐵和氯化銅)進(jìn)行化學(xué)蝕刻。研究了選擇的蝕刻劑和加工條件對(duì)蝕刻深度和表面粗糙度的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明，氯化鐵產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快，但氯化銅產(chǎn)生的化學(xué)腐蝕速率最快最光滑的表面質(zhì)量。 關(guān)鍵詞:化學(xué)蝕刻；銅
2021-12-29 13:21:462087 
，硫可以用來(lái)鈍化III-V表面。本研究通過(guò)SRPES研究了濕化學(xué)處理后的一個(gè)(nh4)2s鈍化步驟的影響。此外，我們還分別用接觸角(CA)、掃描隧道顯微鏡(STM)和電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)對(duì)各種處理后的表面潤(rùn)濕性能、形態(tài)和蝕刻速率進(jìn)行了研究。 實(shí)
2022-01-12 16:27:331604 
摘要 我們?nèi)A林科納對(duì)h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進(jìn)行了詳細(xì)的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對(duì)蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結(jié)果中，蝕刻浴組成的吉布斯三角形
2022-01-25 10:32:242215 
的全面的物理和化學(xué)模型尚未建立。隨著MEMS應(yīng)用程序的不斷增加，近年來(lái)人們對(duì)用來(lái)預(yù)測(cè)蝕刻表面剖面的過(guò)程建模、仿真和軟件工具的興趣越來(lái)越大。
2022-03-08 14:07:251768 
在本研究中，我們?cè)O(shè)計(jì)了一個(gè)150mm晶片的濕蝕刻槽來(lái)防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒(méi)有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計(jì)，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
為了闡明蝕刻殘留物的形成機(jī)理，研究了氯/氦-氧、溴化氫/氦-氧和溴化氫/氯等不同氣體混合物的影響，我們發(fā)現(xiàn)在氧的存在下，蝕刻殘留物形成良好，這表明蝕刻殘留物是由氧和非揮發(fā)性乳化硅化合物的反應(yīng)
2022-05-06 15:49:501012 
的電子和光電子器件的制造中對(duì)高選擇性濕法化學(xué)蝕刻劑的額外需求，還進(jìn)行了廣泛的研究以檢驗(yàn)多種蝕刻溶液。列出了這些蝕刻劑的蝕刻速率、選擇性和表面粗糙度，以驗(yàn)證它們對(duì)預(yù)期應(yīng)用的適用性。盡管頻繁使用GaSb
2022-05-11 14:00:421024 
在濕法各向異性蝕刻中，底切凸角的蝕刻輪廓取決于蝕刻劑的類(lèi)型。已經(jīng)進(jìn)行了大量的研究來(lái)解釋這種凸角底切并確定底切平面的方向。然而，還不清楚為什么不同蝕刻劑會(huì)出現(xiàn)不同形狀的底切前沿。
2022-05-24 14:27:261571 
。二氧化硅通過(guò)分別用于微米和納米鰭的光和電子束光刻形成圖案，隨后在氫氟酸中進(jìn)行濕法蝕刻。使用用異丙醇(IPA)稀釋的四甲基氫氧化銨(TMAH)以及具有表面活性劑(Triton-X-100)的硅摻雜TMAH
2022-07-08 15:46:161092 
本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素
2022-07-12 14:01:131364 
本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-07-13 16:55:042263 
引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其
2022-07-14 16:06:062774 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學(xué)物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對(duì)于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學(xué)溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因?yàn)樗没瘜W(xué)藥品可以非常精確地適應(yīng)各個(gè)薄膜。對(duì)于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
我司是做濕法蝕刻藥水的，所以在濕法這塊有很多年的研究。所以有遇到濕法蝕刻問(wèn)題歡迎提問(wèn)，很愿意為大家解答。謝謝！QQ：278116740
2017-05-08 09:58:09
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開(kāi)始時(shí)，金屬板表面被圖形保護(hù)，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時(shí)蝕刻垂直向深度進(jìn)行。當(dāng)金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬面，這時(shí)蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
為了在基板上形成功能性的MEMS結(jié)構(gòu)，必須蝕刻先前沉積的薄膜和/或基板本身。通常，蝕刻過(guò)程分為兩類(lèi)：浸入化學(xué)溶液后材料溶解的濕法蝕刻干蝕刻，其中使用反應(yīng)性離子或氣相蝕刻劑濺射或溶解材料在下文中，我們將簡(jiǎn)要討論最流行的濕法和干法蝕刻技術(shù)。
2021-01-09 10:17:20
的距離的同時(shí)，還必須同噴淋的壓力結(jié)合在一起進(jìn)行研究和設(shè)計(jì)，即要達(dá)到蝕刻的高質(zhì)量還必須符合經(jīng)濟(jì)性、適應(yīng)性、可制造性、可維修性和可更換性?！ ? 壓力：在設(shè)計(jì)時(shí)要考慮到壓力對(duì)蝕刻液噴淋效果，對(duì)基板表面能否形成
2018-09-11 15:19:38
在一起進(jìn)行研究和設(shè)計(jì)，即要達(dá)到蝕刻的高質(zhì)量還必須符合經(jīng)濟(jì)性、適應(yīng)性、可制造性、可維修性和可更換性?！ ? 壓力：在設(shè)計(jì)時(shí)要考慮到壓力對(duì)蝕刻液噴淋效果，對(duì)基板表面能否形成均勻的蝕刻液流動(dòng)和蝕刻液的流動(dòng)量的均衡性
2013-10-31 10:52:34
有效地將蝕刻表面上的舊溶液沖掉而保持新溶液與其接觸。在噴淋面的邊緣處，這種情況尤其突出。其噴射力比垂直方向的要小得多。 這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn),最新的設(shè)計(jì)參數(shù)是65磅/平方英寸（即4+Bar）。每個(gè)蝕刻過(guò)程和每種
2018-11-26 16:58:50
/index.html 摘要：在 GaAs 傳感梁表面的適當(dāng)位置通過(guò)空氣橋技術(shù)形成薄膜，它們本身固定在端部的剛性框架上，如圖 1 所示。當(dāng)外部加速度施加到加速度計(jì)時(shí)，地震塊將發(fā)生位移由于慣性力。地震質(zhì)量的這種運(yùn)動(dòng)
2021-07-07 10:22:15
使用化學(xué)溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過(guò)程在整個(gè)工藝流程中重復(fù)多次。一些清潔過(guò)程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機(jī)和/或無(wú)機(jī)表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導(dǎo)損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
重要材料的濕法腐蝕，即氧化鋅、氮化鎵和碳化硅。雖然氧化鋅很容易在許多酸溶液中蝕刻，包括硝酸/鹽酸和氫氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很難濕法蝕刻，通常使用干法蝕刻。已經(jīng)研究了用于氮化
2021-10-14 11:48:31
已經(jīng)報(bào)道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。濕法蝕刻也已被證明用于蝕刻氮化鎵，蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷小等優(yōu)點(diǎn)，但目前還沒(méi)有找到生產(chǎn)光滑垂直側(cè)壁的方法。還報(bào)道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
濕法蝕刻 InGaP 和 GaAs 的結(jié)果。以前，發(fā)現(xiàn)這些蝕刻劑產(chǎn)生令人滿意的效果。 然而，這些解決方案的一個(gè)嚴(yán)重缺點(diǎn)是它們會(huì)侵蝕金，金隨后可能會(huì)重新沉積在 MESA 結(jié)構(gòu)的斜面和蝕刻表面本身上。因此
2021-07-09 10:23:37
://www.wetsemi.com/index.html 關(guān)鍵詞：光刻膠附著力，砷化鎵，濕蝕刻，表面處理，輪廓 概要報(bào)告了幾個(gè)旨在修復(fù) InGaP/GaAs NPN HBT 噴霧濕法化學(xué)蝕刻期間光刻膠粘附失效
2021-07-06 09:39:22
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會(huì)導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細(xì)研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
摘要：在印制電路制作過(guò)程中，蝕刻是決定電路板最終性能的最重要步驟之一。所以，研究印制電路的蝕刻過(guò)程具有很強(qiáng)的指導(dǎo)意義，特別是對(duì)于精細(xì)線路。本文將在一定假設(shè)的基礎(chǔ)上建立模型，并以流體力學(xué)為理論基礎(chǔ)
2018-09-10 15:56:56
分的噴射力就會(huì)降低而不能有效地將蝕刻表面上的舊溶液沖掉使新溶液與其接觸。在噴淋面的邊緣處,這種情況尤為突出,其噴射力比垂直噴射要小得多。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)﹐最新的設(shè)計(jì)參數(shù)是65磅/平方英寸(即4+Bar
2017-06-23 16:01:38
濕蝕刻是光刻之后的微細(xì)加工過(guò)程，該過(guò)程中使用化學(xué)物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱(chēng)為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見(jiàn)的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
其中國(guó)市場(chǎng)的開(kāi)發(fā)、推廣。公司自有產(chǎn)品包括半導(dǎo)體前段、后段、太陽(yáng)能、平板顯示FPD、LED、MEMS應(yīng)用中的各種濕制程設(shè)備，例如硅片濕法清洗、蝕刻，硅芯硅棒濕法化學(xué)處理，液晶基板清洗，LED基片顯影脫膜等
2015-04-02 17:23:36
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：?jiǎn)尉У?b class="flag-6" style="color: red">濕法蝕刻和紅外吸收 編號(hào)：JFKJ-21-206 作者：炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長(zhǎng)AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118 低損耗硅波導(dǎo)和有效的光柵耦合器來(lái)將光耦合到其中。通過(guò)使用各向異性濕法蝕刻技術(shù)，我們將側(cè)壁粗糙度降低到1.2納米。波導(dǎo)沿[112]方向在絕緣體上硅襯底上形成圖案。
2021-12-22 10:17:21712 )、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對(duì)硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計(jì)、光學(xué)傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實(shí)驗(yàn) KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜研究了氫氟酸對(duì)GaAs晶片的腐蝕。發(fā)現(xiàn)在蝕刻
2021-12-28 16:34:37627 
引言 我們?nèi)A林科納研究了溶劑和清洗劑的濕法清洗工藝對(duì)沉積氧化鎂(001)襯底表面化學(xué)性質(zhì)的影響。比較了使用溶劑和洗滌劑的六種不同的濕法清洗工藝。通過(guò)示例系統(tǒng)ScN研究了對(duì)薄膜生長(zhǎng)的影響。用X射線
2022-01-04 17:12:21517 
的光學(xué)特性。樣品的全反射系數(shù)低于未經(jīng)處理的硅太陽(yáng)能電池。硅太陽(yáng)能電池的整體效率取決于所選的銀離子濃度制備條件和濕法蝕刻時(shí)間。太陽(yáng)能電池的紋理化表面顯示出效率的提高，電路光電流高于沒(méi)有紋理化的參考硅太陽(yáng)能電池。給出了
2022-01-04 17:15:35629 
不可預(yù)測(cè)地改變了蝕刻劑的質(zhì)量。 為了解決成分變化的問(wèn)題，研究開(kāi)始了確定一種可靠的分析蝕刻劑的方法。當(dāng)分析程序最終確定時(shí)，將建立一個(gè)控制程序，其中蝕刻劑成分將保持盡可能接近一個(gè)固定的值。經(jīng)過(guò)嘗試的各種分析技術(shù)，
2022-01-07 16:47:46840 
方法來(lái)解釋在(NH4)2cr 2o 7–HBr–EG蝕刻溶液中InAs、InSb和GaAs、GaSb半導(dǎo)體溶解過(guò)程的特征。蝕刻動(dòng)力學(xué)數(shù)據(jù)表明，晶體溶解具有擴(kuò)散決定的性質(zhì)。溶劑濃度從80體積降低到0體積。根據(jù)溶液的組成，我們研究了兩種類(lèi)型的晶體表面形態(tài)，拋光和鈍化的薄膜
2022-01-11 16:17:33689 
上降低了(100)和(h11)面的蝕刻速率。 為了在低氫氧化鉀濃度下獲得低粗糙度的(100)表面，蝕刻溶液必須含有飽和水平的異丙醇。在我們的研究中，我們研究了異丙醇濃度對(duì)具有不同晶體取向的硅襯底的蝕刻速率和表面形態(tài)的影響。還研究了氫氧化鉀濃度對(duì)(
2022-01-13 13:47:261156 
蝕刻的濕法蝕刻技術(shù)的方法。本文分析了玻璃濕法刻蝕工藝的基本要素，如:玻璃成分的影響、刻蝕速率、掩膜層殘余應(yīng)力的影響、主要掩膜材料的表征、濕法刻蝕工藝產(chǎn)生的表面質(zhì)量。通過(guò)分析的結(jié)果，提出了一種改進(jìn)的玻璃深度濕
2022-01-19 16:13:401873 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過(guò)程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241860 
摘要 我們?nèi)A林科納用同步光電發(fā)射光譜法研究了無(wú)氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結(jié)果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子，分別形成弱可溶性氯化鎵和可溶性氫化鎵。因此
2022-01-24 15:07:301071 
的磷酸和氫氧化鉀溶液中，氮化鎵上可以觀察到氧化鎵的形成。這歸因于兩步反應(yīng)過(guò)程并且在此過(guò)程中，紫外線照射可以增強(qiáng)氮化鎵的氧化溶解。 實(shí)驗(yàn)中，我們使用深紫外紫外光照射來(lái)研究不同酸堿度電解質(zhì)中的濕法蝕刻過(guò)程。因此，我們能夠首次在PEC蝕
2022-01-24 16:30:31948 
摘要 FeCl3·6h2o用于單晶氧化鋅薄膜的濕法蝕刻。該方法對(duì)抑制用酸蝕刻氧化鋅薄膜時(shí)通常觀察到的“W”形蝕刻輪廓有很大的影響。通過(guò)觸控筆輪廓儀和掃描電子顯微鏡證實(shí)，在廣泛的蝕刻速率下獲得了
2022-01-26 14:46:48307 
化學(xué)蝕刻是一種技術(shù)，其中材料中電子和空穴的光生增強(qiáng)了材料的化學(xué)蝕刻。本文已經(jīng)對(duì)各種半導(dǎo)體材料進(jìn)行了濕法PEC蝕刻研究，結(jié)果表明，濕法PEC蝕刻可以產(chǎn)生高蝕刻速率、良好的各向異性，以及不同摻雜和帶隙材料之間的高選擇性 。明斯基等
2022-02-07 14:35:421479 
蝕刻或離子注入，會(huì)導(dǎo)致高達(dá)10i2-1013 atom/em2的金屬污染。濕法工藝對(duì)于去除干法加工過(guò)程中引入的這些：金屬雜質(zhì)變得越來(lái)越重要。
2022-02-10 15:49:18537 
我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來(lái)表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面，同時(shí)通過(guò)原子力顯微鏡測(cè)量的表面粗糙度降低最小
2022-02-14 16:14:55716 
的組成，我們研究了兩種類(lèi)型的晶體表面形態(tài)，拋光和鈍化的薄膜，形成后的化學(xué)動(dòng)態(tài)(CDP)和/或化學(xué)機(jī)械拋光(化學(xué)機(jī)械拋光)在溶液中，飽和的溶劑和氧化劑，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，在拋光蝕刻劑中，CDP和CMP工藝均能形成
2022-02-14 16:47:05447 
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR
2022-02-17 16:41:521351 
電感耦合等離子體反應(yīng)離子蝕刻獲得的高蝕刻速率和高度各向異性的輪廓。光增強(qiáng)濕法蝕刻提供了一種獲得高蝕刻速率而沒(méi)有離子誘導(dǎo)損傷的替代途徑。該方法適用于器件制造以及n-氮化鎵中位錯(cuò)密度的估算。這有可能發(fā)展成為一種快速評(píng)估材料的方法。
2022-02-23 16:20:242208 
引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤(pán))等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕刻，以提高熔融石英光學(xué)器件在351 nm波長(zhǎng)
2022-02-24 16:26:032429 
性，單片濕法刻蝕法是一種有用的技術(shù)。其進(jìn)一步推進(jìn)應(yīng)得到理論計(jì)算的支持。 因此，在我們之前的研究中開(kāi)發(fā)了使用單晶片濕法蝕刻機(jī)進(jìn)行二氧化硅膜蝕刻的數(shù)值計(jì)算模型。首先，通過(guò)水流可視化獲得旋轉(zhuǎn)晶片上的整個(gè)水運(yùn)動(dòng)，并進(jìn)行評(píng)估
2022-03-02 13:58:36750 
在 KOH 水溶液中進(jìn)行濕法化學(xué)蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對(duì)蝕刻速率已通過(guò)光學(xué)干涉測(cè)量法使用掩膜樣品進(jìn)行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0.07 μm/h 且與 60
2022-03-04 15:07:09845 
各向異性蝕刻劑通過(guò)掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產(chǎn)生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過(guò)無(wú)掩模濕法各向異性蝕刻工藝蝕刻整個(gè)表面，則上部拐角變圓。例如
2022-03-07 15:26:14372 
摘要 幾個(gè)旨在補(bǔ)救的實(shí)驗(yàn)結(jié)果在噴濕化學(xué)品時(shí)，光刻膠粘附失效報(bào)道了InGaP/GaAs NPN hbt的刻蝕。 幾個(gè)確定了影響?zhàn)じ胶宛じ降囊蛩夭捎脤?shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法研究選定因素的影響和相互作用
2022-03-07 16:28:03984 
高效薄膜太陽(yáng)能電池需要具有高吸收、低缺陷、透明導(dǎo)電的吸收層 氧化物(TCO)薄膜，透過(guò)率超過(guò)80%，導(dǎo)電率高。 此外，光可以通過(guò)玻璃捕獲并送至光吸收層以提高效率。 本文研究了玻璃表面形貌的形式利用
2022-03-08 11:52:411213 
提高10倍的吞吐量。 雖然大多數(shù)公司使用干式蝕刻工藝來(lái)創(chuàng)建圖案表面，但干式蝕刻的缺點(diǎn)并不小，包括加工設(shè)備的成本高，吞吐量低，擴(kuò)展性差等等。 這種不利因素促使許多人重新燃起對(duì)濕法蝕刻的興趣。歷史上，標(biāo)準(zhǔn)
2022-03-08 13:34:36528 我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘被蝕刻劑中的銅雜質(zhì)穩(wěn)定，銅雜質(zhì)吸附在表面上并作
2022-03-10 16:15:56228 
我們開(kāi)發(fā)了一種改進(jìn)的各向異性濕法蝕刻工藝，通過(guò)在晶片上使用單個(gè)蝕刻掩模來(lái)制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺(tái)面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長(zhǎng)AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN
2022-03-14 14:40:34286 
微加工過(guò)程中有很多加工步驟。蝕刻是微制造過(guò)程中的一個(gè)重要步驟。術(shù)語(yǔ)蝕刻指的是在制造時(shí)從晶片表面去除層。這是一個(gè)非常重要的過(guò)程，每個(gè)晶片都要經(jīng)歷許多蝕刻過(guò)程。用于保護(hù)晶片免受蝕刻劑影響的材料被稱(chēng)為掩模
2022-03-16 16:31:581134 
本文我們?nèi)A林科納半導(dǎo)體有限公司研究了類(lèi)似的現(xiàn)象是否發(fā)生在氫氧化鉀溶液中添加的其他醇，詳細(xì)研究了丁基醇濃度對(duì)（100）和（110）Si平面表面形貌和蝕刻速率的影響，并給出了異丙醇對(duì)氫氧化鉀溶液的蝕刻結(jié)果，為了研究醇分子在蝕刻溶液中的行為機(jī)理，我們還對(duì)溶液的表面張力進(jìn)行了測(cè)量。
2022-03-18 13:53:01288 
本研究為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中金屬雜質(zhì)的方法。
2022-03-21 16:15:07338 
本文章將對(duì)表面組織工藝優(yōu)化進(jìn)行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時(shí)間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽(yáng)能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化
2022-03-25 16:33:49516 
本文研究了通過(guò)光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來(lái)進(jìn)行的。事實(shí)上，與通常
2022-04-06 13:29:19666 
關(guān)于在進(jìn)行這種濕法或干法蝕刻過(guò)程中重要的表面反應(yīng)機(jī)制，以Si為例，以基礎(chǔ)現(xiàn)象為中心進(jìn)行解說(shuō)。蝕刻不僅是在基板上形成的薄膜材料的微細(xì)加工、厚膜材料的三維加工和基板貫通加工，而且是通過(guò)研磨和研磨等機(jī)械
2022-04-06 13:31:254183 
，并添加化學(xué)物質(zhì)來(lái)調(diào)整粘度和單晶圓旋轉(zhuǎn)加工的表面潤(rùn)濕性。 當(dāng)硅被蝕刻并并入蝕刻溶液時(shí)，蝕刻速率將隨時(shí)間而降低。 這種變化已經(jīng)建模。 這些模型可以延長(zhǎng)時(shí)間，補(bǔ)充化學(xué)物質(zhì)，或者兩者兼而有之。
2022-04-07 14:46:33751 
本文研究了用金剛石線鋸切和標(biāo)準(zhǔn)漿料鋸切制成的180微米厚5英寸半寬直拉單晶硅片與蝕刻時(shí)間的關(guān)系，目的是確定FAS晶片損傷蝕刻期間蝕刻速率降低的根本原因，無(wú)論是與表面結(jié)構(gòu)相關(guān)，缺陷相關(guān)，由于表面存在的氧化層，還是由于有機(jī)殘差。
2022-04-18 16:36:05406 
的大規(guī)模集成電路密度，已經(jīng)研究了顆粒和微污染對(duì)晶片的影響，以提高封裝產(chǎn)量。濕法清洗/蝕刻工藝的濕法站配置有晶片裝載器/卸載器、化學(xué)槽、溢流沖洗槽和干燥器。
2022-04-21 12:27:43589 
本文研究了通過(guò)光敏抗蝕劑的濕蝕刻劑滲透。后者能夠非?？焖俚仨憫?yīng)選擇濕蝕刻劑/聚合物的兼容性，以保護(hù)下面的膜不被降解。如今，大多數(shù)材料圖案化是用等離子蝕刻而不是濕法蝕刻來(lái)進(jìn)行的。事實(shí)上，與通常
2022-04-22 14:04:19591 
為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對(duì)硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特定區(qū)域中消除金屬雜質(zhì)的方法。
2022-04-24 14:59:23497 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無(wú)需使無(wú)電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍
2022-04-29 15:09:06464 
的晶面具有更低的表面粗糙度。還研究了溝道底部的溝槽和斜面(長(zhǎng)方體)，攪動(dòng)長(zhǎng)方體的去除或晶面刻蝕速率的提高。最后，研究了有無(wú)紫外光照射下，紫外光對(duì)三甲基氯化銨中m和a-GaN晶面刻蝕速率的影響。因此，發(fā)現(xiàn)用紫外光將m-GaN平面蝕刻速率從0.69納米
2022-05-05 16:38:031394 
氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是說(shuō)，它們?cè)谀承┓较蛏系?b class="flag-6" style="color: red">蝕刻速度比在其他方向上的蝕刻
2022-05-09 15:09:201419 本次在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素，并使用實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)(DOE)方法來(lái)研究所選因素的影響和相互作用。確定
2022-05-10 15:58:32504 
在使用低溫卡盤(pán)的低壓高密度等離子體反應(yīng)器中研究了硅結(jié)構(gòu)的深且窄的各向異性蝕刻。我們?nèi)A林科納以前已經(jīng)證明了這種技術(shù)在這種結(jié)構(gòu)上的可行性。已經(jīng)研究了蝕刻速率和輪廓的改進(jìn)，并且新的結(jié)果顯示
2022-05-11 15:46:19730 
我們?nèi)A林科納研究探索了一種新的濕法腐蝕方法和減薄厚度在100 μm以下玻璃的解決方案，為了用低氫氟酸制備蝕刻溶液，使用NH4F或nh4hf 2作為主要成分并加入硫酸或硝酸是有效的，研究了混合酸溶液
2022-05-20 16:20:243160 已全部加載完成
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