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3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。

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3d nand資訊

Gartner：2016年全球半導體晶圓級制造設備年增11%

在3D NAND與尖端邏輯芯片制程設備支出成長推動下，調(diào)研機構(gòu)Gartner表示，2016全年全球半導體晶圓級制造設備市場規(guī)模年增11.3%，達374....

2017-04-25 標簽：半導體晶圓 3D NAND 885 0

從華為P10閃存芯片事件，你看到了什么？

日前，網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)華為P10不同批次手機采用了不同規(guī)格的閃存芯片。網(wǎng)上對此眾說紛紜。華為官方也因此發(fā)表聲明，華為手機跟國內(nèi)外多家優(yōu)秀的閃存供應商合作，同時為...

2017-04-21 標簽：3d nand 華為p10 6248 0

慧榮科技FerriSSD 嵌入式引導加載應用

相較而言，大眾市場 SSD 是專為成本敏感的消費領(lǐng)域（消費娛樂音頻/視頻應用程序）而設計，可能允許一定的數(shù)據(jù)錯誤。

2017-04-19 標簽：SSD 3D NAND 慧榮科技 1652 0

蘋果閃存芯供應商推出256Gb 3D NAND 或用于未來iPhone

據(jù)報道，蘋果供應商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過堆疊，這比以前的 48...

2017-04-12 標簽：海力士蘋果 3d nand 1208 0

臺積電或競標東芝股案藉此進入3DNAND芯片代工

近日，東芝(Toshiba)出售NANDFlash事業(yè)群的競標案炒得熱鬧，近期臺灣經(jīng)濟部工業(yè)局也找臺灣多家存儲器相關(guān)業(yè)者密談應對之策，將再找晶圓代工業(yè)者...

2017-03-03 標簽：東芝臺積電 3d nand 645 0

臺積電敲門東芝3D NAND代工擊破三星補貼政策

據(jù)臺灣媒體報道，東芝（Toshiba）出售NAND Flash事業(yè)群的競標案炒得熱鬧，近期臺灣經(jīng)濟部工業(yè)局也找臺灣多家存儲器相關(guān)業(yè)者密談應對之策，將再找...

2017-03-02 標簽：三星電子臺積電 3D NAND 747 0

3D NAND良率是NAND Flash市場最大變數(shù)

據(jù)海外媒體報道，去年下半年以來NAND Flash市場供不應求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進3D NAND，但3D N...

2017-02-27 標簽：存儲器 NAND Flash 3D NAND 1595 0

長江存儲在3D NAND存儲器研發(fā)領(lǐng)域取得標志性進展

近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D NAND存儲器研發(fā)項目取得新進展。

2017-02-17 標簽：存儲器 3D NAND 長江存儲 1904 0

中國在3D NAND存儲器領(lǐng)域取得標志性進展

2月16日據(jù)中科院網(wǎng)站消息，近日，由國家存儲器基地主要承擔單位長江存儲科技有限責任公司（以下簡稱“長江存儲”）與中國科學院微電子研究所聯(lián)合承擔的3D N...

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紫光集團2600億投資南京半導體生產(chǎn)線

1月18日下午，新春佳節(jié)來臨之際，從南京傳來喜訊，紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地項目簽約。據(jù)披露，此次投資達到2600億元，目前雙方已經(jīng)敲定了產(chǎn)線動工日期。聯(lián)系...

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SK 海力士最先進 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報導指出，海力士計劃于 2017 上半年完成芯片設計，...

2016-12-27 標簽：SK海力士 3D NAND 1494 0

中韓NAND Flash軍備競賽再起 2018年或供過于求

儲存型快閃存儲器（NAND Flash）軍備競賽再起，南韓存儲器大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元（約27億美元），在南韓及大陸兩地增加存儲器產(chǎn)能；...

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SK海力士砸27億美元擴產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

需求回溫、產(chǎn)能擴增有限，供需失衡下，DRAM價格在2016年下半逆勢翻轉(zhuǎn)，而原本看俏的NAND Flash在廠商間轉(zhuǎn)進3D NAND良率還未提升下，同樣...

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2016半導體制造設備市場規(guī)模為396.9億美元

戴維斯表示，預計2016年全球半導體制造裝置市場規(guī)模為396.9億美元。同比增加8.7％。預計2017年將同比增加9.3％，達到434億美元。關(guān)于推動市...

2016-12-16 標簽：半導體材料 3D NAND 2768 0

我國三大存儲力量漸成未來發(fā)展引人矚目

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2016-12-06 標簽：NAND閃存 3D NAND 兆易創(chuàng)新 1767 0

大陸三星東芝紛紛增產(chǎn) 3D NAND競爭白熱化

傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開...

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美光3D NAND低成本制程分析海力士/東芝能否趕上？

目前，我們還無法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問題在于，海力士（...

2016-09-12 標簽：東芝存儲器海力士 1980 0

干貨！一文看懂3D NAND Flash

目前3D NAND僅由三星電子獨家量產(chǎn)。而進入了最近兩個月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片...

2016-08-11 標簽：東芝三星電子 Intel 4.4萬 0

打破主流存儲器空白長江存儲在武漢正式成立

武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司。長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的12英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務布局，并...

2016-08-02 標簽：存儲器清華紫光 3D NAND 2003 0

Intel大連工廠投產(chǎn)：造世界最先進3D NAND！

經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲（NVRAM）制造新項目7月初在大連實現(xiàn)提前投產(chǎn)。去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界...

2016-07-27 標簽：英特爾 Intel 3D NAND 1220 0

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富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
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