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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲技術(shù)>緩沖/存儲技術(shù)>SK海力士砸27億美元擴產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

SK海力士砸27億美元擴產(chǎn)NAND Flash 產(chǎn)能

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存儲三巨頭反壟斷調(diào)查新進(jìn)展: 最高罰80美元

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美光新加坡興建第3工廠,欲搶占NAND Flash快閃存儲器市場

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在三星、海力士持續(xù)產(chǎn)下,2018年DRAM供給端產(chǎn)能可能再成長10%

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SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計劃通過從明年初開始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略,來鞏固其市場主導(dǎo)地位。
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SK海力士韓國M15工廠落成 總投資15萬億韓元

SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先,NAND Flash快閃存儲器因為工業(yè)4.0應(yīng)用而快速成長,而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?D NAND Flash快閃存儲器的需求。
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為滿足NAND Flash市場增加的需求 SK海力士宣布將建新存儲器晶圓廠

SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4美金)。
2018-12-03 08:52:561817

三星電子、SK海力士、美光三大巨頭不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能

美光宣布將資本支出削減至30美元,產(chǎn)能增幅從20%下修到15%左右;SK海力士2019年的資本支出將減少至55美元;三星宣布終止其平澤工廠的產(chǎn)能擴張,三星半導(dǎo)體年產(chǎn)量增長率降至20%左右,創(chuàng)歷史新低。
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SK海力士斥資1000美元建4座晶圓廠

據(jù)路透社報道,韓國SK海力士今日表示,將投資1070美元建設(shè)四家工廠。報道稱,SK海力士此舉是要在中國力圖成為芯片制造領(lǐng)先國家的背景下,繼續(xù)保持競爭力。
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三星、海力士評估最快或于7月底開始減產(chǎn),理由為何?

三星電子與SK海力士正在評估最快從本月起有序減產(chǎn)NAND Flash的方案。
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SK海力士宣布已向主要SSD(固態(tài)硬盤)控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品,并開發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器,計劃擴大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
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的減緩生產(chǎn)速度——少切點晶圓,慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價格明顯止跌,近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競賽,一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運營,這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來什么變化?又是否是中國的機遇?
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SK海力士新款4D閃存有什么新的特點

在最近舉辦的CES 2020展會上,SK海力士展出了兩款新的高端SSD,分別是Gold P31、Platinum P31,最大特點采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
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SK海力士將以90美元收購Intel的NAND內(nèi)存與儲存業(yè)務(wù)

Flash的強項為mobile領(lǐng)域,其中包含eMCP以及eMMC產(chǎn)品,占SK海力士NAND Flash營收達(dá)60%以上。而Intel長年于enterprise SSD領(lǐng)域表現(xiàn)特別優(yōu)異,不但與Samsung
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英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r間19日報道援引知情人士稱,英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù),以近100美元的價格,出售給SK海力士。若交易達(dá)成,將使得SK海力士超越日本Kioxia,成為NAND內(nèi)存市場的全球第二大廠商,并進(jìn)一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
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英特爾已同意將Nand閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士

據(jù)報道,英特爾已同意將Nand閃存業(yè)務(wù)出售給韓國公司SK海力士,價格約90美元。英特爾正在采取全面措施,專注于主營業(yè)務(wù)的經(jīng)營。
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SK海力士收購:英特爾將保留英特爾傲騰業(yè)務(wù)

今天,SK 海力士宣布將支付 90 美元收購英特爾 NAND 閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾 NAND SSD 業(yè)務(wù)、NAND 部件和晶圓業(yè)務(wù)、以及其在中國大連的 NAND 閃存制造工廠
2020-10-20 16:10:132836

SK海力士鯨吞Intel的閃存及存儲業(yè)務(wù),意欲與三星爭奪第一寶座

2020年10月20日上午消息,存儲大廠SK海力士與Intel在韓國當(dāng)?shù)貢r間10月20日上午共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90美元收購Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。
2020-10-20 16:51:392925

SK海力士收購英特爾NAND業(yè)務(wù),國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)將會受益?

10月20日,SK海力士和英特爾已經(jīng)達(dá)成協(xié)議,前者將以90美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。 本次收購包括英特爾NANDSSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)務(wù),以及其在中國大連的NAND閃存制造
2020-10-20 17:18:287473

SK海力士收購英特爾閃存業(yè)務(wù)背后:意味著雙雄爭霸格局的開始

一錘定音,韓國當(dāng)?shù)貢r間10月20日,SK海力士正式宣布將以90美元的價格,全盤收購老牌存儲大廠英特爾NAND閃存以及存儲器業(yè)務(wù)。
2020-10-21 09:13:362974

英特爾把內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)以90美元賣給SK海力士

以存儲業(yè)務(wù)起家的英特爾,現(xiàn)在要把內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)賣掉了。 買家和價格也已敲定:韓國SK海力士SK Hynix),90美元。 這也是今年繼英偉達(dá)收購Arm、AMD收購賽靈思之后,芯片行業(yè)又一次的大整合。
2020-10-21 09:39:033105

SK海力士宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議

韓國存儲芯片制造商SK海力士SK Hynix)已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,SK海力士將向英特爾支付90美元。該協(xié)議的范圍包括在中國大連的NAND SSD部門,NAND部件
2020-10-21 14:30:372788

SK海力士以90美元收購NAND內(nèi)存與儲存事業(yè)部

SK海力士于今(20)日宣布將以90美元收購Intel的NAND內(nèi)存與儲存事業(yè),以及位于大連專門制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國公司有史以來最大規(guī)模的海外收購交易,超過三星
2020-10-21 17:26:322248

SK海力士出資600收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)!

的協(xié)議。 從SK海力士在官網(wǎng)公布的消息來看,兩家公司簽署的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)收購協(xié)議,包括NAND固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)、NAND閃存和晶圓業(yè)務(wù)、英特爾在大連的NAND閃存制造工廠。 在這一收購交易中,SK海力士將向英特爾支付90美元,外媒在報道中稱收購交易將以全現(xiàn)金
2020-10-23 11:05:152718

SK海力士收購英特爾NAND業(yè)務(wù),對中國有哪些影響?

10月20日,SK海力士和英特爾在韓國共同宣布簽署收購協(xié)議,根據(jù)協(xié)議約定,SK海力士將以90美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)。本次收購包括英特爾NAND SSD業(yè)務(wù)、NAND部件及晶圓業(yè)
2020-10-23 18:00:168594

SK海力士收購NAND閃存業(yè)務(wù)的意義

近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震,英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90美元的價格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793

SK海力士90美元收購英特爾NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)

SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:002037

SK海力士收購Intel的NAND閃存業(yè)務(wù)后銷售額大漲

前不久,Intel突然宣布以90美元(約601)的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。
2020-11-05 09:37:321877

600買下Intel閃存業(yè)務(wù) SK海力士:預(yù)期5年內(nèi)公司收入增加2倍

前不久,Intel突然宣布以90美元(約601)的價格將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)出售給了SK海力士,業(yè)內(nèi)嘩然。 盡管外界批評SK海力士買虧了、且目前閃存處于價格下行軌道,但后者似乎決心已定,并不
2020-11-05 09:41:541673

SK海力士將以90美元收購英特爾的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù)

SK海力士與英特爾將爭取在2021年底前取得所需的政府機關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后,SK海力士將通過支付第一期70美元對價從英特爾收購NAND SSD業(yè)務(wù)(包括NAND SSD相關(guān)知識產(chǎn)權(quán)和員工)以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:262339

SK海力士欲將在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位

據(jù)報道,第三季度財報優(yōu)于市場預(yù)期的SK海力士計劃在五年內(nèi)將其NAND銷售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強調(diào),決心通過從英特爾手中收購NAND業(yè)務(wù),在NAND市場占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:422079

SK海力士重慶工廠全員及相關(guān)人員核酸檢測完成均為陰性

SK海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司是SK海力士在重慶投資建設(shè)的封裝測試工廠,位于重慶西永綜合保稅區(qū)B區(qū),累計注冊資本已達(dá)4美元。該工廠2014年下半年投產(chǎn),主要產(chǎn)能NAND Flash封測產(chǎn)線,一期工程進(jìn)行測試、二期則是專門進(jìn)行封裝。
2020-12-04 17:58:292537

SK海力士發(fā)布176層TLC 4D NAND閃存

根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息,SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708

SK海力士與ASML簽合同:SK海力士豪擲4.8萬億韓元搶購EUV光刻機

。 據(jù)報道,SK海力士與ASML公司簽訂了一個超級大單,未來5年內(nèi)將斥資4.8萬億韓元,約合43.4美元購買EUV光刻機。 SK海力士在一份監(jiān)管文件中稱,這筆交易是為了實現(xiàn)下一代工藝芯片量產(chǎn)的目標(biāo)。 ASML及SK海力士都沒有透露這么多資金到底購買了多少臺EUV光刻機,不過從之
2021-02-25 09:30:232709

SK海力士收購Intel閃存業(yè)務(wù)通過歐盟審批

去年10月份,Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以90美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批,日前通過了歐盟的審批,中國的審批會是未來的關(guān)鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:572342

繼收購Intel閃存業(yè)務(wù)后,SK海力士推出PCIe 4.0硬盤

SK海力士之前以90美元收購了Intel的NAND閃存及存儲業(yè)務(wù),隨后于美國成立了公司Solidigm,這次的P5530硬盤是兩家公司首個共同開發(fā)的新企業(yè)級硬盤。
2022-04-06 18:17:321882

SK海力士將在大連新建NAND閃存工廠,并繼續(xù)加強在中國的投資

近日,SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠,該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分,將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080

SK海力士收購啟方半導(dǎo)體已步入尾聲,8英寸晶圓產(chǎn)量將翻倍

近日,據(jù)外媒報道稱,SK海力士收購啟方半導(dǎo)體的交易已經(jīng)接近尾聲,即將完成。 去年10月份,SK海力士宣布將要斥資5758韓元來收購啟方半導(dǎo)體,并表示將通過這次收購來提高8英寸晶圓代工的產(chǎn)能
2022-05-31 16:44:573051

SK海力士研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存

SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(Flash Memory Summit 2022)上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867

SK海力士將投入753.81元建設(shè)M15X存儲工廠

SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線,以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能SK海力士原計劃在明年年初開始建設(shè),最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財報難看

SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財報難看 前一兩年還一直聽說內(nèi)存條在不斷漲價的消息,現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄,看來大伙的日子都不太好過。 宏觀經(jīng)濟的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954

HBM需求高漲 三星、SK海力士投資超2萬億韓元積極產(chǎn)

據(jù)業(yè)界透露,三星電子、sk海力士等存儲半導(dǎo)體企業(yè)正在推進(jìn)hbm生產(chǎn)線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上,將目前hbm生產(chǎn)線的生產(chǎn)能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現(xiàn)有的hbm生產(chǎn)基地后,利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:021508

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888

SK海力士資本支出大增,HBM是重點

SK海力士明年計劃的設(shè)施投資為10萬億韓元(76.2美元),超出了市場預(yù)期。證券界最初預(yù)測“SK海力士明年的投資額將與今年類似,約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經(jīng)濟挑戰(zhàn),觀察人士預(yù)計嚴(yán)格的管理措施將延續(xù)到明年。由于存儲半導(dǎo)體價格大幅下跌,SK海力士預(yù)計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:051540

鎧俠向SK海力士提議在日產(chǎn)非易失性存儲器,推動合作達(dá)成

去年,鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置,其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過大。為打破僵局爭取 SK 海力士的支持,鎧俠提出借助其實施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠,提供額外產(chǎn)能SK 海力士擴大 3D NAND 存儲器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980

SK海力士斥資10美元,加碼先進(jìn)芯片封裝研發(fā)以滿足AI需求

據(jù)封裝研發(fā)負(fù)責(zé)人李康旭副社長(Lee Kang-Wook)介紹,SK海力士已在韓國投入逾10美元擴充及改良芯片封裝技術(shù)。精心優(yōu)化封裝工藝是HBM獲青睞的重要原因,實現(xiàn)了低功耗、提升性能等優(yōu)勢,提升了SK海力士在HBM市場的領(lǐng)軍地位。
2024-03-07 15:24:171193

SK海力士擴大對芯片投資

SK海力士正積極應(yīng)對AI開發(fā)中關(guān)鍵組件HBM(高帶寬存儲器)日益增長的需求,為此公司正加大在先進(jìn)芯片封裝方面的投入。SK海力士負(fù)責(zé)封裝開發(fā)的李康旭副社長明確指出,公司正在韓國投入超過10美元,以擴大和改進(jìn)其芯片封裝技術(shù)。
2024-03-08 10:53:441798

SK海力士斥資逾千億美元建半導(dǎo)體廠

全球知名的存儲器芯片制造商SK海力士日前宣布了一項宏偉計劃,擬在2046年前于其龍仁半導(dǎo)體基地投入超過120兆韓元(約合907美元)資金,打造全球規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的芯片生產(chǎn)設(shè)施。此舉不僅彰顯了SK海力士在半導(dǎo)體領(lǐng)域的雄心壯志,也為韓國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來發(fā)展注入了強大動力。
2024-03-25 11:41:031165

剛剛!SK海力士出局!

在基礎(chǔ)晶圓上通過硅通孔(TSV)連接多層DRAM,首批HBM3E產(chǎn)品均采用8層堆疊,容量為24GB。SK海力士和三星分別在去年8月和10月向英偉達(dá)發(fā)送了樣品。此前有消息稱,英偉達(dá)已經(jīng)向SK海力士支付了約合5.4至7.7美元的預(yù)付款,供應(yīng)下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推進(jìn)12層
2024-03-27 09:12:081225

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元新建存儲芯片產(chǎn)能

SK海力士計劃斥資約20萬億韓元(約146美元)在韓國新建存儲芯片產(chǎn)能,以滿足快速增長的人工智能開發(fā)需求。
2024-04-29 11:19:071376

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布,其高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術(shù)的蓬勃發(fā)展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
2024-05-07 09:48:39927

SK海力士推出新一代移動端NAND閃存解決方案ZUFS 4.0

今日,SK海力士公司宣布了一項革命性的技術(shù)突破,他們成功研發(fā)出了面向端側(cè)(On-Device)AI應(yīng)用的全新移動端NAND閃存解決方案——“ZUFS(Zoned UFS)4.0”。這款產(chǎn)品的推出,標(biāo)志著SK海力士在閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次飛躍。
2024-05-09 11:00:301175

三星、SK海力士對DRAM和NAND產(chǎn)量持保守態(tài)度

在DRAM和NAND芯片的生產(chǎn)上,三星和SK海力士兩大巨頭依然保持謹(jǐn)慎態(tài)度。盡管四月份8Gb DDR4 DRAM通用內(nèi)存的合約價環(huán)比上漲,這一上漲主要歸因于地震影響美光內(nèi)存產(chǎn)能,進(jìn)而推動了通用內(nèi)存需求的短暫上升。
2024-05-22 14:54:491035

SK海力士HBM4芯片前景看好

瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預(yù)計從2026年起,每年將貢獻(xiàn)6至15美元的營收。作為高帶寬內(nèi)存(HBM)市場的領(lǐng)軍企業(yè),SK海力士已在今年2月宣布其HBM產(chǎn)能已全部售罄,顯示其產(chǎn)品的強勁需求。
2024-05-30 10:27:221511

SK海力士豪擲748美元加碼存儲器芯片投資,聚焦HBM技術(shù)引領(lǐng)AI未來

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能(AI)技術(shù)日新月異的今天,SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實力,再次成為業(yè)界的焦點。據(jù)最新報道,SK海力士計劃在2028年前投資高達(dá)103兆韓元(約合748美元),用于存儲器芯片的生產(chǎn)與研發(fā),這一舉措無疑是對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來前景的堅定押注。
2024-07-04 10:00:511084

SK海力士斥資68美元打造全球AI芯片生產(chǎn)基地

全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商SK海力士宣布了一項重大投資決策,計劃投資約9.4萬億韓元(折合美元約68)在韓國龍仁市興建其國內(nèi)首座專注于AI芯片生產(chǎn)的超級工廠。此項目標(biāo)志著SK海力士在應(yīng)對未來科技趨勢、特別是人工智能領(lǐng)域快速增長需求方面邁出了堅實步伐。
2024-07-29 11:28:541088

SK海力士考慮讓Solidigm在美上市融資

據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務(wù)戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國進(jìn)行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過收購英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨立美國子公司,承載著SK海力士在存儲解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332

SK海力士宣布68美元半導(dǎo)體園區(qū)投資計劃

韓國SK海力士宣布投資9.4萬億韓元(約合68美元)用于建設(shè)新的半導(dǎo)體園區(qū),該園區(qū)將擁有四座最先進(jìn)的晶圓廠和一個綜合合作場地。
2024-07-31 11:14:11965

SK海力士加速NAND研發(fā),400+層閃存量產(chǎn)在即

韓國半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,并預(yù)計于次年第二季度正式開啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅實步伐,引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743

SK海力士將獲4.5美元補貼

據(jù)外媒彭博和紐約時報,美國拜登政府表示,將向SK海力士提供4.5美元補貼和5美元貸款,用于在印第安納州建造先進(jìn)的芯片封裝和研究設(shè)施,該項目將增強美國在人工智能(AI)供應(yīng)鏈關(guān)鍵部分的產(chǎn)能。美國
2024-08-08 14:48:431146

SK海力士M16晶圓廠產(chǎn),DRAM產(chǎn)能將增18%

SK 海力士,作為全球知名的半導(dǎo)體巨頭,近期宣布了一項重要的產(chǎn)計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產(chǎn)規(guī)模,顯著提升其DRAM內(nèi)存產(chǎn)能。據(jù)韓媒報道,SK 海力士已積極與上游設(shè)備供應(yīng)商合作,訂購了關(guān)鍵生產(chǎn)設(shè)備,以加速提升M16晶圓廠在HBM(高帶寬內(nèi)存)及通用DRAM內(nèi)存方面的生產(chǎn)能力。
2024-08-16 17:32:241924

SK海力士計劃減產(chǎn)NAND Flash存儲器以應(yīng)對市場下滑

產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)決定。據(jù)悉,SK海力士計劃將上半年NAND Flash存儲器的產(chǎn)量削減10%。這一決定無疑將對市場產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。 根據(jù)機構(gòu)先前發(fā)布的報告,SK海力士NAND Flash存儲器領(lǐng)
2025-01-20 14:43:551096

SK海力士已完成收購英特爾NAND業(yè)務(wù)部門的第二(最終)階段交易

于 2020 年末對外公布,第一階段完成于 2021 年 12 月 30 日,SK 海力士當(dāng)時支付了約合 66.1 美元的 78422 韓元,從英特爾接管 SSD 業(yè)務(wù)及其位于中國大連 NAND 閃存制造廠
2025-03-28 19:27:581229

SK海力士321層4D NAND的誕生

SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲器供應(yīng)商(Full Stack AI Memory Provider)”,不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新,在NAND閃存(NAND Flash,以下簡稱NAND
2025-07-10 11:37:591509

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