SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72
2019-11-25 17:21:55
6385 據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士將在2020年進(jìn)行一系列的人事調(diào)動(dòng)和業(yè)務(wù)重組，其中會(huì)將DRAM和NAND Flash兩大開(kāi)發(fā)部門(mén)整合在一起，實(shí)現(xiàn)從開(kāi)發(fā)、制造，以及業(yè)務(wù)的后期處理等統(tǒng)一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 最新消息，SK海力士將在2020年消費(fèi)電子展（CES）上推出兩款消費(fèi)類(lèi)PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD將首次搭載SK海力士128層
2019-12-30 15:57:394178 目前，我們還無(wú)法斷定3D NAND是否較平面NAND更具有製造成本的優(yōu)勢(shì)，但三星與美光顯然都決定把賭注押在3D NAND產(chǎn)品上。如今的問(wèn)題在于，海力士（SK Hynix）與東芝（Toshiba）兩大市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手能否也拿出同樣具備競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品？
2016-09-12 13:40:252173 蘋(píng)果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 4月16日消息 據(jù)悉，SK海力士正在與德國(guó)汽車(chē)巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車(chē)存儲(chǔ)芯片的事宜。 ? 據(jù)稱(chēng)，SK海力士已完成了符合博世要求規(guī)格的內(nèi)存芯片的開(kāi)發(fā)。與消費(fèi)類(lèi)設(shè)備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 收購(gòu)海力士內(nèi)存芯片長(zhǎng)期回收海力士內(nèi)存，專(zhuān)業(yè)回收海力士內(nèi)存芯片，深圳帝歐趙生***QQ1816233102/879821252郵箱dealic@163.com。專(zhuān)業(yè)回收現(xiàn)代字庫(kù)，回收海力士 三星字庫(kù)
2021-01-25 17:59:52
。關(guān)鍵在于DRAM的需求比NAND緊俏。但因NAND并非寡占狀態(tài)，三星必須積極投資，而SK海力士也必須力爭(zhēng)上游。所以各廠的投資都很積極，并往3D多層化的方向進(jìn)展。NAND同樣必須以良率在市場(chǎng)上競(jìng)爭(zhēng)，加以十分
2018-12-24 14:28:00
循環(huán)設(shè)計(jì)的電荷陷阱單元相比，鎧俠首創(chuàng)的這種半圓形 3D 浮柵單元結(jié)構(gòu)，具有更大的編程 / 擦除窗口和斜率，且單元尺寸做到了更小。而SK海力士方面，則在去年6月宣布了其關(guān)于4D NAND的進(jìn)展。據(jù)相關(guān)
2020-03-19 14:04:57
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2020-11-20 16:59:46
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2021-03-13 17:46:31
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2021-07-02 19:07:56
SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
SK海力士預(yù)計(jì)第四季度
D-RAM和
NAND閃存需求不斷增長(zhǎng)。公司計(jì)劃第四季度批量生產(chǎn)10納米級(jí)
D-RAM和
72層NAND閃存，明年業(yè)績(jī)?nèi)詫⑾蚝谩?/div>
2017-10-27 09:15:15754 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 比，存儲(chǔ)芯片巨頭SK海力士和美光科技在2017年的排名將會(huì)大幅提升。受益于DRMA內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片市場(chǎng)需求大幅提升的推動(dòng)，上述兩家公司的排名均將上升兩位。”
2017-12-20 15:40:481711 首先是3D NAND的技術(shù)路線選擇，SK海力士稱(chēng)，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲(chǔ)單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數(shù)多）
2018-08-12 10:55:154453 在SK Hynix的72層(72L) TLC NAND閃存中，所謂的P-BiCS (Pipe-shaped Bit Cost Scalable)單元，是利用管線式(pipe)閘極鏈接每一個(gè)NAND
2018-08-29 11:10:0010509 
SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820 電子（Samsung Electronics），美光（美光），SK海力士（SK海力士）等記憶體業(yè)者亦將陸續(xù)量產(chǎn)，將促使3D NAND閃存垂直堆疊最高層數(shù)自64層朝2017年年的80層邁進(jìn)
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長(zhǎng)，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球對(duì)3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)弱勢(shì)的NAND閃存市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟并爭(zhēng)取NAND閃存市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場(chǎng)僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場(chǎng)卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400 SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開(kāi)始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元（18.4億美金）。
2018-12-03 08:52:561817 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 ，投資額高達(dá)15萬(wàn)億韓元，主要生產(chǎn)3D NAND閃存，初期將生產(chǎn)現(xiàn)在的72層堆棧3D NAND，不過(guò)明年初就會(huì)轉(zhuǎn)向96層堆棧的3D NAND閃存。
2018-12-22 11:09:234552 SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲(chǔ)器行情影響，營(yíng)收和營(yíng)益驟減，對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線應(yīng)對(duì)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2018 年成功研發(fā)32層3D NAND芯片后，進(jìn)一步規(guī)劃在2019年8月開(kāi)始生產(chǎn)新一代的64層 3D NAND芯片，等于宣告加入全球NAND Flash戰(zhàn)局，對(duì)比今年三星、SK海力士（SK Hynix ）進(jìn)入90層3D NAND芯片生產(chǎn)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)追趕世界大廠的步伐又大幅邁進(jìn)一步。
2019-05-17 14:13:281753 SK海力士宣布，已經(jīng)全球第一家研發(fā)成功，并批量生產(chǎn)128層堆疊的4D NAND閃存芯片，此時(shí)距離去年量產(chǎn)96層4D閃存只過(guò)去了八個(gè)月。
2019-06-27 15:23:283819 SK海力士宣布，該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片，將從今年下半年(7月~12月)開(kāi)始投入量產(chǎn)。
2019-06-28 14:35:206119 SK海力士近日正式宣布，已成功開(kāi)發(fā)并開(kāi)始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前，該公司宣布了96層4D NAND芯片。
2019-07-01 17:11:153551 近日，據(jù)報(bào)道，傳海力士正在跟Intel談判，海力士想收購(gòu)整個(gè)Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 11:32:523449 傳海力士正在跟Intel談判，欲收購(gòu)整個(gè)Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 14:28:145180 SK海力士宣布已向主要SSD（固態(tài)硬盤(pán)）控制器公司提供新的1Tb QLC NAND樣品，并開(kāi)發(fā)了自己的QLC軟件算法和控制器，計(jì)劃擴(kuò)大基于96層1Tb QLC 4D NAND的組合產(chǎn)品。
2019-07-25 15:08:544098 7月11日，業(yè)內(nèi)傳出消息稱(chēng)，SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞，英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:014740 海力士則是宣布成功開(kāi)發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。不過(guò)，雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 SK海力士日前宣布推出新一代企業(yè)級(jí)SSD固態(tài)硬盤(pán)，不過(guò)并沒(méi)有公布新品SSD的名稱(chēng)，有限的信息為支持NVMe協(xié)議，采用72層堆棧的3D TLC閃存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可達(dá)8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 根據(jù)消息報(bào)道，韓國(guó)全球半導(dǎo)體制造商SK海力士將在2020年國(guó)際消費(fèi)電子展（CES）上推出最新的“Gold P31”和“Platinum P31”P(pán)CIe NVMe固態(tài)硬盤(pán)，采用SK海力士的128層4D NAND閃存。
2019-12-30 15:27:124487 CES 2020展會(huì)上，存儲(chǔ)大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品，包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤(pán)。
2020-01-13 10:07:235789 在最近舉辦的CES 2020展會(huì)上，SK海力士展出了兩款新的高端SSD，分別是Gold P31、Platinum P31，最大特點(diǎn)采用了SK海力士自家的4D TLC NAND閃存。
2020-01-13 11:45:553583 2 月 13 日訊，SK 海力士宣布，已經(jīng)與 Xperi Corp 旗下子公司 Invensas 簽訂新的專(zhuān)利與技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲得了后者 DBI Ultra2.5D/3D 互連技術(shù)的授權(quán)。
2020-02-15 16:39:071283 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 層 1Tb TLC 4D NAND 閃存的企業(yè)級(jí) SSD-- PE8111，是針對(duì)讀取密集型應(yīng)用設(shè)計(jì)的高容量存儲(chǔ)解決方案。SK海力士是一家全球存儲(chǔ)器半導(dǎo)體制造商，其產(chǎn)品組合中包括 DRAM，NAND 閃存和控制器，以及 SSD 的全套技術(shù)。
2020-04-09 14:09:194475 TrendForce數(shù)據(jù)顯示，SK海力士與Intel在今年第二季的營(yíng)收市占率為11.7%及11.5%，分別位于第四名及第六名。若以產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力詳細(xì)區(qū)分，以2019年來(lái)看，SK海力士在NAND
2020-10-20 11:28:512537 據(jù)路透社當(dāng)?shù)貢r(shí)間19日?qǐng)?bào)道援引知情人士稱(chēng)，英特爾正準(zhǔn)備將NAND芯片業(yè)務(wù)，以近100億美元的價(jià)格，出售給SK海力士。若交易達(dá)成，將使得SK海力士超越日本Kioxia，成為NAND內(nèi)存市場(chǎng)的全球第二大廠商，并進(jìn)一步縮小與行業(yè)領(lǐng)頭羊三星之間的差距。
2020-10-20 14:10:142309 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè)，以及位于大連專(zhuān)門(mén)制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易，超過(guò)三星
2020-10-21 17:26:322248 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SK海力士宣布出資600億收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)！ SK海力士已在官網(wǎng)宣布了他們將收購(gòu)英特爾NAND閃存及存儲(chǔ)業(yè)務(wù)的消息，SK海力士在官網(wǎng)上表示，兩家公司已經(jīng)簽署了相關(guān)
2020-10-23 11:05:152717 務(wù)，以及其在中國(guó)大連的NAND閃存制造工廠。英特爾將保留其特有的英特爾傲騰TM業(yè)務(wù)。 SK海力士與英特爾將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后，SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)（包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工）以及
2020-10-23 18:00:168594 近日閃存芯片行業(yè)又現(xiàn)巨震，英特爾將自己的NAND閃存業(yè)務(wù)以90億美元的價(jià)格出售給了SK海力士。
2020-10-29 12:11:472793 ASML公司的EUV光刻機(jī)全球獨(dú)一份，現(xiàn)在主要是用在7nm及以下的邏輯工藝上，臺(tái)積電、三星用它生產(chǎn)CPU、GPU等芯片。馬上內(nèi)存芯片也要跟進(jìn)了，SK海力士宣布明年底量產(chǎn)EUV工藝內(nèi)存。
2020-10-30 10:54:212202 SK海力士與英特爾將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后，SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)（包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工）以及大連工廠。
2020-11-04 15:06:002037 SK海力士與英特爾將爭(zhēng)取在2021年底前取得所需的政府機(jī)關(guān)許可。在獲取相關(guān)許可后，SK海力士將通過(guò)支付第一期70億美元對(duì)價(jià)從英特爾收購(gòu)NAND SSD業(yè)務(wù)（包括NAND SSD相關(guān)知識(shí)產(chǎn)權(quán)和員工）以及大連工廠。
2020-11-05 10:11:262339 據(jù)報(bào)道，第三季度財(cái)報(bào)優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期的SK海力士計(jì)劃在五年內(nèi)將其NAND銷(xiāo)售額增加兩倍以上。SK海力士并再次強(qiáng)調(diào)，決心通過(guò)從英特爾手中收購(gòu)NAND業(yè)務(wù)，在NAND市場(chǎng)占據(jù)領(lǐng)先地位。
2020-11-05 12:17:422079 SK海力士在聲明中稱(chēng)，已簽署協(xié)議收購(gòu)英特爾的NAND內(nèi)存和存儲(chǔ)業(yè)務(wù)。此次收購(gòu)包括英特爾的固態(tài)硬盤(pán)、Nand閃存和晶片業(yè)務(wù)，以及位于大連的工廠。但將以兩次付款的形式進(jìn)行，最終交易要到2025年3月份才會(huì)完成。
2020-11-11 14:53:022528 據(jù)了解，SK海力士半導(dǎo)體有限公司是全球第二大內(nèi)存制造商，公司主要生產(chǎn)以D-RAM和NAND為主的半導(dǎo)體產(chǎn)品，自1983年建立以來(lái)，公司不斷發(fā)展創(chuàng)新，在2015年全球500強(qiáng)排名中,SK集團(tuán)排名第57位，同時(shí)在2015世界半導(dǎo)體行業(yè)中排名第3位
2020-12-07 09:16:163194 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:233708 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以600億元的價(jià)格賣(mài)給了SK海力士公司，但是傲騰硬盤(pán)業(yè)務(wù)沒(méi)賣(mài)，基于3D Xpoint技術(shù)的傲騰是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱(chēng)將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 隨著半導(dǎo)體工藝進(jìn)入10nm節(jié)點(diǎn)以下，EUV光刻機(jī)成為制高點(diǎn)，之前臺(tái)積電搶購(gòu)了全球多數(shù)的EUV光刻機(jī)，率先量產(chǎn)7nm、5nm工藝，現(xiàn)在內(nèi)存廠商也要入場(chǎng)了，SK海力士豪擲4.8萬(wàn)億韓元搶購(gòu)EUV光刻機(jī)
2021-02-25 09:30:232709 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動(dòng)版內(nèi)存，存儲(chǔ)密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 近日，SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080 SK海力士在美國(guó)圣克拉拉舉行的2022閃存峰會(huì)（Flash Memory Summit 2022）上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。
2022-08-04 15:53:4915867 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開(kāi)始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND?；蛟S更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開(kāi)發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 SK海力士將在清州市新建NAND M17產(chǎn)線，以提高NAND產(chǎn)品產(chǎn)能。SK海力士原計(jì)劃在明年年初開(kāi)始建設(shè)，最快2025年建成。
2022-09-08 10:48:30555 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876 SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄 sk海力士2022年財(cái)報(bào)難看 前一兩年還一直聽(tīng)說(shuō)內(nèi)存條在不斷漲價(jià)的消息，現(xiàn)在突然就爆出消息SK海力士季度虧損創(chuàng)紀(jì)錄，看來(lái)大伙的日子都不太好過(guò)。 宏觀經(jīng)濟(jì)的下滑導(dǎo)致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
更勁爆的新聞傳出，由于向中國(guó)入口晶圓廠裝備存在問(wèn)題，SK海力士甚至可能在完成晶圓廠裝備搬入之前出售晶圓廠外殼！ 公然資料顯示，SK海力士在2021年宣布接受的3D NAND生產(chǎn)和營(yíng)業(yè)，并獲得大連內(nèi)存工廠。2022年5月，在英特爾通過(guò)基礎(chǔ)設(shè)施、計(jì)劃和地方政府的允許
2023-05-05 15:22:002870 
sk海力士表示：“以238段nand閃存為基礎(chǔ)，開(kāi)發(fā)了智能手機(jī)和pc用客戶端ssd （client ssd）解決方案產(chǎn)品，并于5月開(kāi)始批量生產(chǎn)。該公司通過(guò)176層、238層的產(chǎn)品，在成本、性能、品質(zhì)等方面確保了世界最高的競(jìng)爭(zhēng)力。
2023-06-08 10:31:532449 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471992 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈，三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53888 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過(guò)大。為打破僵局爭(zhēng)取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980 同日，SK海力士宣布啟動(dòng) HBM3E 內(nèi)存的量產(chǎn)工作，并在本月下旬開(kāi)始供貨。自去年宣布研發(fā)僅過(guò)了七個(gè)月。據(jù)稱(chēng)，該公司成為全球首家量產(chǎn)出貨HBM3E 的廠商，每秒鐘能處理高達(dá) 1.18TB 的數(shù)據(jù)。此項(xiàng)數(shù)據(jù)處理能力足以支持在一小時(shí)內(nèi)處理多達(dá)約 33，800 部全高清電影。
2024-03-19 09:57:442225 來(lái)源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報(bào)道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問(wèn)題，英偉達(dá)所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨(dú)家供貨，SK海力士出局！ 據(jù)了解，HBM需要
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士宣布，計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基礎(chǔ)裸片合作協(xié)議，原本預(yù)計(jì)HBM4內(nèi)存要等到2026年才會(huì)問(wèn)世。
2024-05-06 15:10:211338 SK 海力士正在與東京電子（TEL）展開(kāi)緊密合作，通過(guò)發(fā)送測(cè)試晶圓來(lái)評(píng)估后者的低溫蝕刻設(shè)備。這一舉措旨在為未來(lái)的NAND閃存生產(chǎn)導(dǎo)入新技術(shù)。在當(dāng)前，增加堆疊層數(shù)已經(jīng)成為提高3D NAND閃存顆粒容量的主要方法。
2024-05-08 11:47:241034 SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國(guó)際存儲(chǔ)研討會(huì)上，由先進(jìn)HBM技術(shù)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人Kim Kwi-wook宣布了一項(xiàng)重要進(jìn)展。SK海力士計(jì)劃從2026年開(kāi)始，提前一年量產(chǎn)其第七代高帶寬存儲(chǔ)器HBM4E。這一消息表明，SK海力士在HBM技術(shù)領(lǐng)域的研發(fā)速度正在加快。
2024-05-15 11:32:131484 ）提交了一份關(guān)于3D DRAM（三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展，更向世界展示了其在這一未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)上的堅(jiān)定決心與卓越實(shí)力。
2024-06-24 15:35:291745 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略，考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過(guò)收購(gòu)英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司，承載著SK海力士在存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 近日，韓國(guó)權(quán)威媒體ETNews爆出猛料，SK海力士正在積極籌備加速下一代NAND閃存的研發(fā)進(jìn)程，并且已經(jīng)設(shè)定了明確的發(fā)展時(shí)間表——計(jì)劃在2025年底之前，全面完成高達(dá)400多層堆疊NAND的半成品制備工作，緊隨其后，將于2026年第二季度正式啟動(dòng)并大規(guī)模投入生產(chǎn)。
2024-08-01 15:26:421322 韓國(guó)半導(dǎo)體巨頭SK海力士正加速推進(jìn)NAND閃存技術(shù)的革新，據(jù)韓媒最新報(bào)道，該公司計(jì)劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND閃存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并預(yù)計(jì)于次年第二季度正式開(kāi)啟大規(guī)模生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著SK海力士在NAND閃存領(lǐng)域再次邁出堅(jiān)實(shí)步伐，引領(lǐng)行業(yè)技術(shù)前沿。
2024-08-02 16:56:111743 自豪地宣布，SK 海力士當(dāng)前市場(chǎng)上的旗艦產(chǎn)品——8層HBM3E，已穩(wěn)坐行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位，而更進(jìn)一步的是，公司即將在本月底邁入一個(gè)新的里程碑，正式啟動(dòng)12層HBM3E的量產(chǎn)。這一舉措不僅鞏固了SK 海力士在
2024-09-05 16:31:361645 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生產(chǎn)的新階段，批量生產(chǎn)業(yè)界領(lǐng)先的12層HBM3E芯片。這款芯片不僅代表了SK海力士在內(nèi)存技術(shù)上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了現(xiàn)有HBM產(chǎn)品的記錄，為全球人工智能領(lǐng)域的發(fā)展注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。
2024-09-26 14:24:41876 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重大突破，公司已成功在全球范圍內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)12層堆疊HBM3E的量產(chǎn)，這一里程碑式的成就標(biāo)志著其在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)先地位。這款新品不僅將HBM產(chǎn)品的容量提升至前所未有的36GB，更是在AI應(yīng)用所需的速度、容量及穩(wěn)定性等方面均達(dá)到了全球頂尖水平。
2024-09-27 16:49:171176 近日在一次科技展覽上，SK海力士驚艷亮相，展出了全球首款48GB 16層HBM3E(High Bandwidth Memory 3E)產(chǎn)品。這一突破性產(chǎn)品不僅展示了SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域
2024-11-05 15:01:201231 在近日舉行的SK AI峰會(huì)上，韓國(guó)存儲(chǔ)巨頭SK海力士向全球展示了其創(chuàng)新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著SK海力士在高端存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的又一次重大突破。
2024-11-13 14:35:051189 近日，SK海力士正全力加速其全球首創(chuàng)的16層堆疊(16Hi)HBM3E內(nèi)存的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作。這一創(chuàng)新產(chǎn)品的全面生產(chǎn)測(cè)試已經(jīng)正式啟動(dòng)，為明年初的樣品出樣乃至2025年上半年的大規(guī)模量產(chǎn)與供應(yīng)奠定了
2024-12-26 14:46:241050 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡(jiǎn)稱(chēng)NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008060 
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