9月2日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式對(duì)外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

臺(tái)灣專用存儲(chǔ)器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲(chǔ)器。該公司將成為臺(tái)灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計(jì)的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長(zhǎng)吳銘表示，旺宏將在

7月24日國(guó)外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個(gè)區(qū)域記錄層的堆疊在一個(gè)閃存芯片放到另一個(gè)提供更多的容量之內(nèi)。

一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。

最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢(shì)。

　東芝推出全球首款注148層3D堆疊式結(jié)構(gòu)閃存注2，該閃存容量達(dá)到256Gb（32GB），同時(shí)采用了行業(yè)領(lǐng)先的三階存儲(chǔ)單元（TLC）技術(shù)。這款全新閃存適用于各種產(chǎn)品應(yīng)用，包括消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤（SSD）、智能手機(jī)、平板電腦和內(nèi)存卡以及面向數(shù)據(jù)中心的企業(yè)級(jí)SSD。據(jù)悉，樣品將于9月開始發(fā)貨。

256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲(chǔ)器已經(jīng)出現(xiàn)在市場(chǎng)上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會(huì)先睹為快。

句點(diǎn)，加上早前Intel加大在大連工廠的3D Xpoint的投入，3D NAND大戰(zhàn)一觸即發(fā)。本文詳細(xì)介紹了3D NAND閃存優(yōu)勢(shì)，主要的生產(chǎn)廠商，以及三星、東芝和Intel在這個(gè)領(lǐng)域的實(shí)力產(chǎn)品。

目前NAND閃存需求依然居高不下，廠商也有動(dòng)力擴(kuò)大產(chǎn)能了，SK Hynix公司日前宣布本月底將量產(chǎn)48層堆棧的3D NAND閃存，這是三星之后第二家量產(chǎn)48層堆棧3D閃存的公司。

據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對(duì)于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。

蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%。

蘋果 iPhone 8 有無 3D 感測(cè)，市場(chǎng)高度關(guān)注。 整體觀察，供應(yīng)鏈臺(tái)廠并未接獲 3D 感測(cè)取消計(jì)劃，不過 3D 感測(cè)應(yīng)用能否因 iPhone 加持而擴(kuò)大普及，有待觀察。

iPhone的成功轉(zhuǎn)變了十幾家供應(yīng)商的命運(yùn)，包括玻璃制造商以及生產(chǎn)用于切割金屬殼的機(jī)器人的制造商等等。

國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場(chǎng)份額搶占不少，但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時(shí)表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個(gè)消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國(guó)宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：7月6日，蘋果當(dāng)前的芯片供應(yīng)商在供應(yīng)2017年新版iPhone系列手機(jī)所需的NAND芯片方面面臨供貨不足的問題，為此，蘋果不得不將三星增加為供應(yīng)商。

提升, 已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片, 是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯片的

iPhone 7 Plus是蘋果7升級(jí)版手機(jī)，屏幕大小5.5英寸，擁有雙1200萬像素?cái)z像頭，采用上下立體聲的揚(yáng)聲器。有銀色、金色、玫瑰金、黑色和鋼琴黑，存儲(chǔ)有32GB/128GB以及256GB可選。

什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？

我公司專業(yè)從事3D全息風(fēng)扇研發(fā)生產(chǎn)，主要生產(chǎn)供應(yīng)3D全息風(fēng)扇PCBA，也可出售整機(jī)，其他配件可免費(fèi)提供供應(yīng)商信息或者代購(gòu)，歡迎咨詢 劉先生：*** 微信同號(hào)3d全息風(fēng)扇燈條3d全息風(fēng)扇PCBA3D全息風(fēng)扇方案本廣告長(zhǎng)期有效

NAND FLASH就是通過die堆疊技術(shù)，加大單位面積內(nèi)晶體管數(shù)量的增長(zhǎng)。3D NAND比2D NAND具有更高的存儲(chǔ)容量，若采用48層TLC 堆疊技術(shù)，存儲(chǔ)密度可提升至256GB，輕松突破了平面

iPhone用東芝部件也算合情合理。以前，蘋果同一代iPhone會(huì)用不同供應(yīng)商的DRAM和NAND部件。多年來，高通一直為蘋果提供部件，但是兩家公司近年在專利問題上有較大爭(zhēng)議：蘋果指責(zé)高通專利收費(fèi)

`蘋果為即將上市的iPhone7下達(dá)芯片訂單后，于近日披露部分供應(yīng)商名單。其中最重要的A10芯片全部交由臺(tái)積電代工。這份供應(yīng)商名單里面，還包括由Intel和高通承包modem芯片，電源管理IC則由

，有些制造商已經(jīng)將用于生產(chǎn)2D NAND的設(shè)備升級(jí)成生產(chǎn)DRAM的設(shè)備，而不是升級(jí)成生產(chǎn)3D NAND的設(shè)備，不知道西部數(shù)據(jù)會(huì)不會(huì)借鑒這種思路。S26KL512SDABHN020S26KS512SDPBHA020S26KS512SDABHM030S26KS512SDGBHM030S26KS512SDPBHI020S26KL512SDABHN030S26KS512SDABHI030S26KL512SDABHB020S26KS512SDGBHB030S26KS512SDPBHA023S26KS512SDPBHB020S26KL512SDABHB023S26KS512SDABHB030S26KL512SDABHV023S26KL512SDABHB030S26KL512SDABHA030S26KL512SDABHA020S26KS512SDPBHM020S26KS512SDGBHN030S26KS512SDGBHA030S26KL512SDABHM030S26KS512SDABHA030S26KS256SDGBHV030S26KL256SDABHV020S26KL256SDABHI030S26KL256SDABHI020S26KS256SDPBHV020S26KS256SDPBHM020S26KS256SDPBHI020S26KS256SDPBHN020S26KS256SDPBHA023S26KS256SDPBHA020S26KL256SDABHB030S26KS256SDABHB030S26KS256SDGBHI030S26KS256SDGBHN030S26KL256SDABHV030S26KL256SDABHB020S26KL256SDABHN030S26KL256SDABHA020S26KL256SDABHN020S26KS256SDABHI030S26KS256SDABHV030S26KL256SDABHB023

SDCS2/256GB-3P1A閃存硬盤SDCS2/512GB-3P1A預(yù)期未來將是平板計(jì)算機(jī)和輕薄筆電的時(shí)代，為滿足現(xiàn)今消費(fèi)者對(duì)行動(dòng)裝置輕巧便利的產(chǎn)品需求，Kingston Digital

SSD 545S 256gb只在中國(guó)生產(chǎn)嗎？以上來自于谷歌翻譯以下為原文Does SSD 545S 256gb only produce in China?

供應(yīng)商今年10月份的銷售額與去年同期相比增長(zhǎng)了29%，大大超過了往年10月份平均2%的MAX3232EUE+T年增率。　　蘋果近期推出了多MAX3232EUE+T款全新的產(chǎn)品，包括iPhone 5

設(shè)計(jì)中”，它說“在本例中添加對(duì)供應(yīng)商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在設(shè)計(jì)中添加供應(yīng)商命令的支持？？？PNG70.1 K

閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB

CYW920835M2EVB-01 設(shè)計(jì)上有串行閃存GD25WD80CEIG 。 是否可以使用 CYW20835 更改串行閃存供應(yīng)商以進(jìn)行 CoB 設(shè)計(jì)？ 參考設(shè)計(jì)中有其他供應(yīng)商名單嗎？

6月14日消息，根據(jù)最新報(bào)道稱，距蘋果推出廉價(jià)iPhone時(shí)間更近一步，目前已有多家蘋果供應(yīng)商開始為低價(jià)iPhone輸出零部件。

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.（美國(guó)微芯科技公司）近日宣布推出全球首款針對(duì)2D多點(diǎn)觸摸和3D手勢(shì)的開發(fā)平臺(tái)——3DTouchPad全新PC外設(shè)，進(jìn)一步擴(kuò)展旗下人機(jī)界面輸入傳感解決方案的產(chǎn)品系列。

在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司（Silicon Motion Technology Corporation， 納斯達(dá)克交易代碼： SIMO）今日宣布推出全球首款支持多家供應(yīng)商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。

盡管此前傳出iPhone 7將來可能“加量不加價(jià)”，但現(xiàn)在似乎出現(xiàn)了一些變數(shù)。根據(jù)臺(tái)灣媒體《電子時(shí)報(bào)》的報(bào)道稱，廠商提高了智能手機(jī)芯片價(jià)格，理由則是iPhone 7所提供的256GB存儲(chǔ)需求強(qiáng)勁

據(jù)外媒報(bào)道，日前，一位知名中國(guó)生產(chǎn)商數(shù)據(jù)收集泄密人the_malignant曝光了一張宣稱為“iPhone 7”的組裝單。從下面可以看到，該款手機(jī)除了32GB和128GB以外還有256GB這一種容量配置。雖然這份表格并沒有明確標(biāo)出這是蘋果公司的訂單，但從他以往的爆料紀(jì)錄來看，其真實(shí)性還是存在的。

北京時(shí)間9月8日凌晨蘋果7將對(duì)外發(fā)布，蘋果7上市時(shí)間雖然已定，但是蘋果產(chǎn)能不足中國(guó)首發(fā)無望新款,而且新iPhone7名稱可能會(huì)是iPhone 6SE。相關(guān)的閃存零部件單子可以證實(shí)，蘋果7閃存容量分為三個(gè)版本，分別是32GB、128GB和256GB三種。

越來越多的顯示器供應(yīng)商為未來iPhone提供OLED顯示屏，除了滿足需求，蘋果想在眾多供應(yīng)商競(jìng)爭(zhēng)中壓低成本。

蘋果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫性能快 20%

蘋果公司的一個(gè)攝像頭供應(yīng)商已經(jīng)證實(shí)，今年將推出3D面部識(shí)別傳感器，不過該公司沒有對(duì)這些傳感器的具體用途發(fā)表評(píng)論。

6月29日消息 據(jù)外媒NEOWIN報(bào)道，英特爾今天宣布推出SSD 545s固態(tài)硬盤，它是主流的SATA驅(qū)動(dòng)器，使用Silicon Motion控制器和IMFT的64層3D TLC閃存。 這是世界上首款可供商用的64層3D NAND SSD產(chǎn)品，且目前僅提供512 GB容量版本。

進(jìn)行了調(diào)整。在去年的手機(jī)型號(hào)中，256GB是閃存容量最大的型號(hào)，但是這一型號(hào)被蘋果悄悄停止銷售。除了32GB、128GB容量之外，用戶如果需要256GB閃存容量，則只能購(gòu)買iPhone 8。

的廠商競(jìng)爭(zhēng)，以及日經(jīng)貼般的MLC/TLC顆粒的優(yōu)劣問題。、 那么，到底什么是閃存顆？2D NAND和3D NAND之間又有哪些區(qū)別和聯(lián)系？ 閃存顆粒到底是什么？ 閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)

據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道，3D傳感技術(shù)供應(yīng)商Cepton已與移動(dòng)研發(fā)機(jī)器人供應(yīng)商Clearpath 達(dá)成合作，計(jì)劃將Cepton的HR80系列激光雷達(dá)傳感器的應(yīng)用擴(kuò)展到Clearpath的機(jī)器人。

蘋果目前正在為設(shè)想中的3D傳感系統(tǒng)尋找供應(yīng)商。目前還不清楚，這項(xiàng)技術(shù)能否進(jìn)入2019款iPhone。報(bào)道稱，可以確定，用于iPhone X FaceID功能的TrueDepth傳感器會(huì)依然存在，而蘋果正在開發(fā)的是背面3D傳感器，從而在手機(jī)正反兩面都實(shí)現(xiàn)3D感知。

2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑

上周，隨著英特爾和美光宣布未來雙方將各自獨(dú)立開發(fā)3D NAND，其維持多年的長(zhǎng)期合作關(guān)系也將結(jié)束。與此同時(shí)，有外媒報(bào)道，英特爾將于紫光合作，在中國(guó)生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。在未來幾年，英特爾將會(huì)

西安3D V-NAND芯片廠是三星最大的海外投資項(xiàng)目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片廠。今日?qǐng)?bào)道，工業(yè)氣體供應(yīng)商空氣產(chǎn)品公司將助力三星生產(chǎn)的3D V-NAND閃存芯片，宣布將為3D V-NAND芯片廠供氣。

近日業(yè)界傳聞蘋果為保證Face ID系統(tǒng)的供應(yīng)將會(huì)新增兩家中國(guó)3D傳感模塊供應(yīng)商，蘋果試圖讓零部件供應(yīng)商更加的多樣化，不標(biāo)的是LG Innotek仍將是Face ID傳感模塊的主供應(yīng)商。

無論是3D堆疊還是QLC的推出，這些情況均說明了隨著3D NAND技術(shù)走向?qū)嵱没?，?guó)際廠商正在加快推進(jìn)技術(shù)進(jìn)步。3D NAND相對(duì)2D NAND來說，是一次閃存技術(shù)上的變革。而且不同于基于微縮技術(shù)

近日，英特爾發(fā)布了DC P4500系列及DC P4600系列兩款全新的采用3D NAND技術(shù)的數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤，加強(qiáng)擴(kuò)大3D NAND供應(yīng)。

蘋果發(fā)布 iPhone X，并基于3D 結(jié)構(gòu)光技術(shù)推出了名為“Face ID”的新功能用于日常解鎖和 Apple Pay。但彼時(shí)推出的一眾量產(chǎn)全面屏安卓手機(jī)僅僅只是在外貌上模仿了蘋果的劉海設(shè)計(jì)，iPhone X “劉海屏”背后真正的大殺器是3D結(jié)構(gòu)光深感攝像模組。

今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存

美系存儲(chǔ)器大廠美光（Micron）3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲(chǔ)存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預(yù)計(jì)2018年第1季128GB和256GB版會(huì)開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。下面就隨小編一起來了解一下相關(guān)內(nèi)容吧。

3D NAND通過設(shè)備中堆疊的層數(shù)來量化。隨著更多層的添加，位密度增加。今天，3D NAND供應(yīng)商正在推出64層設(shè)備，盡管他們現(xiàn)在正在推進(jìn)下一代技術(shù)，它擁有96層。分析師表示，到2019年中期，供應(yīng)商正在競(jìng)相開發(fā)和發(fā)布下一代128層產(chǎn)品。

在價(jià)格和競(jìng)爭(zhēng)壓力期間，3D NAND供應(yīng)商正準(zhǔn)備迎接新的戰(zhàn)斗，相互競(jìng)爭(zhēng)下一代技術(shù)。

今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài)，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢，低于預(yù)期。

V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。?值得一提的是，三星在3D NAND閃存

推出64層/72層3D NAND，預(yù)計(jì)從下半年開始將陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，屆時(shí)3D NAND產(chǎn)能將大幅增加。

配置方面，vivo Y93s搭載八核高性能處理器、4GB運(yùn)存，能夠滿足日常使用的需求。與此同時(shí)，vivo Y93s標(biāo)配128GB閃存，三卡槽設(shè)計(jì)最高支持256GB閃存拓展，即使再多的照片音樂游戲都能輕易安放。

（高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)）、先進(jìn)信息娛樂系統(tǒng)以及自動(dòng)駕駛的計(jì)算機(jī)。新款256GB西部數(shù)據(jù)TM iNANDTM AT EM132 嵌入式閃存盤采用64層3D NAND TLC閃存技術(shù)，產(chǎn)品生命周期超越了2D NAND，以滿足不斷變化的應(yīng)用需求和不斷增長(zhǎng)的容量需求。

現(xiàn)在，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華接受采訪時(shí)表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售的IDM存儲(chǔ)器公司。

近日，紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)品將應(yīng)用于固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用。這是中國(guó)首次實(shí)現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產(chǎn)，將大幅拉近中國(guó)與全球一線存儲(chǔ)廠商間的技術(shù)差距。

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。

紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國(guó)首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。

英特爾透露,2019年第四季度將會(huì)推出96層的3D NAND閃存產(chǎn)品,并且還率先在業(yè)內(nèi)展示了用于數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤的144層QLC(四級(jí)單元)NAND,預(yù)計(jì)將于2020年推出。

美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。

10月21日消息，iQOO為新品iQOO Neo 855版預(yù)熱。它最高配備256GB UFS 3.0閃存，這是iQOO旗下第二款配備UFS 3.0閃存的旗艦（首款是iQOO Pro）。

今年一季度，紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）開始投產(chǎn) 64 層堆棧 3D 閃存，容量 256Gb，TLC 芯片，初期的月產(chǎn)能僅有 5000 片。

存儲(chǔ)公司Patriot宣布推出P300 Gen3 x4 NVMe M.2 SSD，容量從256GB到1TB。

在臺(tái)媒DigiTimes的最新報(bào)告中，蘋果iPhone供應(yīng)商和碩首席執(zhí)行官廖志強(qiáng)表示旅行限制是影響制造商的重要因素，不過供應(yīng)鏈方面目前正在努力克服其所造成的影響。

中國(guó)向蘋果提供設(shè)備和組件的大多數(shù)工廠都已經(jīng)恢復(fù)了生產(chǎn)，但據(jù)說蘋果供應(yīng)商擔(dān)心當(dāng)前的 iPhone 型號(hào)和預(yù)計(jì)在秋季推出的新款 iPhone 的需求量不會(huì)太大。

據(jù)外媒報(bào)道，供應(yīng)鏈報(bào)告顯示，OLED供應(yīng)商京東方的屏幕未能通過多家廠商的質(zhì)量檢查，或無法用于即將投產(chǎn)的蘋果iPhone 12上。

3D NAND的論文數(shù)量最多，因此，筆者就各家NAND型閃存（以下簡(jiǎn)稱為：“NAND”）廠家的現(xiàn)狀、未來的技術(shù)藍(lán)圖（Roadmap）展開論述。

，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯

，已成為閃存市場(chǎng)的主要供應(yīng)廠商之一，并在今年成功推出128層QLC 3D NAND閃存芯片，是目前行業(yè)內(nèi)首款單顆Die容量1.33Tb的NAND 閃存?；蹣s科技身為SSD主控芯

三星在海外推出了 Galaxy S20 FE 的新版本，擁有更大的存儲(chǔ)空間，將于本周發(fā)售。 三星公布的新款 Galaxy S20 FE 搭載了 256GB 存儲(chǔ)空間，而原來的機(jī)型只提供 128GB

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。

存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)

日前，TechInsights高級(jí)技術(shù)研究員Joengdong Choe在2020年閃存峰會(huì)上作了兩次演講，詳細(xì)介紹了3D NAND和其他新興存儲(chǔ)器的未來。

NAND 應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰

依托于先進(jìn)工藝的 3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的 3D NAND 將如何發(fā)展？如何正確判斷一款 3D NAND 的總體效率？ 在 2020 年的閃存峰會(huì)

NAND應(yīng)運(yùn)而生，可以支持在更小的空間內(nèi)容納更高的存儲(chǔ)容量，在需要存儲(chǔ)海量數(shù)據(jù)的時(shí)代有著重大價(jià)值。 ? ? ? ?依托于先進(jìn)工藝的3D NAND，氧化層越來越薄，面臨可靠性和穩(wěn)定性的難題，未來的3D NAND將如何發(fā)展？如何正確判斷一款3D NAND的總體效率？ 在2020年的閃存

層3D NAND；長(zhǎng)江存儲(chǔ)于今年4月份宣布推出128層堆棧的3D NAND閃存。轉(zhuǎn)眼來到2020年末，美光和SK海力士相繼發(fā)布了176層3D NAND。這也是唯二進(jìn)入176層的存儲(chǔ)廠商。不得不說，存儲(chǔ)之戰(zhàn)沒有最烈，只有更烈。

蘋果今年新推出的5G系列iPhone手機(jī)的銷量可能超出了公司的預(yù)期，為此，蘋果公司正在要求供應(yīng)商增加產(chǎn)能。在日經(jīng)新聞報(bào)道iPhone在2021年上半年產(chǎn)量有望增長(zhǎng)30％后，蘋果公司周二股價(jià)上漲近5％。

3D打印的鏡片 未來或用于提升數(shù)據(jù)傳輸速度,3d打印,折射率,透鏡,聚合物

3D打印已可打印光澤度 未來或用于制作假肢,3d打印,假肢,3d打印機(jī),噴漆

2021年2月3日，南極熊獲悉，領(lǐng)先的大尺寸3D打印解決方案供應(yīng)商Massivit 3D宣布任命汪祥艮先生為公司亞太區(qū)總經(jīng)理。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。

　　全球存儲(chǔ)市場(chǎng)對(duì)NAND 閃存的需求不斷增長(zhǎng)。這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)通過許多發(fā)展得到滿足，不僅體現(xiàn)在當(dāng)今閃存控制器的功能上，尤其是通過 3D NAND 架構(gòu)。隨著工業(yè)物聯(lián)網(wǎng) （IIoT）、智能工廠、自動(dòng)駕駛汽車和其他數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，這些苛刻應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)要求變得更具挑戰(zhàn)性。

蘋果公司將長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YTMC）納入供應(yīng)商名單。蘋果與YTMC合作的目的是通過使供應(yīng)商多樣化來降低NAND閃存的價(jià)格。

“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。 ?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?b class="flag-6" style="color: red">3D InCites

封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。 “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。

　三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層

據(jù)了解，去年iPhone 15 Pro的起步存儲(chǔ)容量為128GB，高配版的iPhone 15 Pro Max則是256GB起步。今年的iPhone 16 Pro預(yù)計(jì)也將采用同樣的設(shè)定。

據(jù)了解，日本存儲(chǔ)巨頭鎧俠于近日宣布推出全新第四代UFS 4.0閃存顆粒。該系列閃存包含256GB、512GB及1TB三種容量版本，主要面向高端智能手機(jī)等新一代移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域。