SK海力士本周宣布，他們已經(jīng)開(kāi)始基于其128層3D NAND閃存采樣產(chǎn)品，該產(chǎn)品不久將開(kāi)始出現(xiàn)在最終用戶(hù)設(shè)備中。一年前，他們推出了96層第5代3D NAND，但低價(jià)促使他們削減了產(chǎn)量，而第4代72L
2019-11-25 17:21:55
6386 Kioxia（原東芝存儲(chǔ)），西部數(shù)據(jù)（WD）聯(lián)盟3D NAND閃存使用三星電子技術(shù)進(jìn)行批量生產(chǎn)。 東芝開(kāi)發(fā)的3D NAND技術(shù) BiCS 很早之前，原東芝存儲(chǔ)就在國(guó)際會(huì)議VLSI研討會(huì)上首次分享了
2019-12-13 10:46:0712470 4D NAND，基于先進(jìn)的制程工藝，將無(wú)形的給其他SSD品牌廠競(jìng)爭(zhēng)壓力。 SK海力士發(fā)言人表示：SK海力士的新SSD是為尋求運(yùn)行多媒體和要求苛刻的PC游戲等終端應(yīng)用客戶(hù)提供高性能首選解決方案。在CES
2019-12-30 15:57:394178 面對(duì)儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）供貨緊縮，以及二維（2D）NAND Flash將于10納米制程面臨微縮瓶頸，東芝（Toshiba）已于近期宣布將于2013年8月底展開(kāi)五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab
2013-07-08 09:46:131061 SanDisk于日前表示，正與東芝（Toshiba）合力擴(kuò)建位于日本三重縣四日市的五號(hào)半導(dǎo)體制造工廠（Fab 5）第二期工程，并共同展開(kāi)3D NAND記憶體技術(shù)的研發(fā)，為2D NAND Flash記憶體制程將于10奈米（nm）節(jié)點(diǎn)面臨微縮瓶頸，預(yù)做準(zhǔn)備。
2013-07-16 09:17:151351 包括三星電子（Samsung Electronics）、美光（Micron）與東芝（Toshiba）為量產(chǎn)3D NAND Flash，紛投資建廠或以既有生產(chǎn)線(xiàn)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 三星作為全球首家量產(chǎn)3D NAND Flash的廠商的風(fēng)光并沒(méi)有太久，日前東芝也研究出64層3D Flash，這樣的追趕速度讓人驚嘆。有消息顯示，英特可能暫緩擴(kuò)建大連廠，而是通過(guò)直接收購(gòu)美光科技擴(kuò)大芯片領(lǐng)域?qū)嵙?。索尼PlayStation VR國(guó)行版來(lái)襲，紅米Pro三個(gè)版本還有什么發(fā)布會(huì)沒(méi)說(shuō)的細(xì)節(jié)？
2016-07-28 09:44:261235 目前3D NAND僅由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)。而進(jìn)入了最近兩個(gè)月，先有東芝（Toshiba）殺入敵營(yíng)，如今美光（Micron）也宣布研發(fā)出3D NAND 芯片，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫(huà)下
2016-08-11 13:58:0644661 
傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開(kāi)出，屆時(shí)3D NAND可能會(huì)從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過(guò)剩的狀況。
2016-10-10 14:08:472158 
SK 海力士最先進(jìn) 72 層 3D NAND 內(nèi)存?zhèn)髅髂觊_(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社 26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于 2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的 M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 09:06:351594 美國(guó)內(nèi)存大廠美光（Micron）合并華亞科技后，中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地，內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo)，并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步，去年及今年
2017-02-13 11:44:261043 蘋(píng)果供應(yīng)商海力士（SK Hynix）今天發(fā)布了72層，256Gb 3D NAND 閃存芯片。這種芯片比 48層技術(shù)多1.5倍，單個(gè) 256Gb NAND 閃存芯片可以提供 32GB 閃存，這種芯片比 48 層 3D NAND 芯片的內(nèi)部運(yùn)行速度快兩倍，讀寫(xiě)性能快 20%。
2017-04-11 07:49:042003 日本東芝記憶體與合作伙伴西部數(shù)據(jù)為全新的半導(dǎo)體設(shè)施Fab 6 (6號(hào)晶圓廠)與記憶體研發(fā)中心舉行開(kāi)幕儀式；東芝記憶體總裁Yasuo Naruke無(wú)懼芯片價(jià)格下跌疑慮，表示將于9月量產(chǎn)96層3D NAND快閃芯片。
2018-09-20 09:25:425627 盡管2018年下半閃存企業(yè)過(guò)得并不經(jīng)如意。但我們有理由相信，不止三星、東芝/西部數(shù)據(jù)（WD），美光、SK海力士等閃存企業(yè)在技術(shù)上的競(jìng)爭(zhēng)將越向趨于激烈。通過(guò)上述對(duì)三星和東芝/西部數(shù)據(jù)(WD）3D
2019-03-21 01:55:008407 在三星、東芝存儲(chǔ)器（TMC）、西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等3D技術(shù)快速發(fā)展的推動(dòng)下，不僅NANDFlash快速由2DNAND向3DNAND普及，2019下半年原廠將加快從64層3DNAND向96層
2019-07-05 09:11:117106 美光在二季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶(hù)發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-03 09:24:154889 日前，據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星電子和SK海力士都將在DRAM生產(chǎn)中導(dǎo)入EUV技術(shù)，以建立更高的技術(shù)壁壘。對(duì)此，美光（Micron）企業(yè)副總裁、中國(guó)臺(tái)灣美光董事長(zhǎng)徐國(guó)晉表示，美光不打算跟進(jìn)，目前并無(wú)采用 EUV 計(jì)劃。
2020-10-09 10:34:452742 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款176層3D NAND閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。這款176層NAND產(chǎn)品采用美光第五代3D NAND技術(shù)和第二代替換柵極架構(gòu)。
2020-11-13 09:40:163599 什么是3D NAND？什么是4D NAND？3D NAND與4D NAND之間的差別在哪兒？
2021-06-18 06:06:00
3D NAND能否帶動(dòng)SSD市場(chǎng)爆炸性成長(zhǎng)？如何提升SSD壽命及效能？3D NAND及PCIe NVMe SSD能晉升巿場(chǎng)主流的原因是什么？
2021-04-02 07:17:39
七年前進(jìn)入該市場(chǎng)以來(lái)的首次，受益于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝表現(xiàn)不佳等有利因素。 雖然全球經(jīng)濟(jì)形勢(shì)總體上來(lái)看十分嚴(yán)峻，但受平板電腦和固態(tài)硬盤(pán)廠商對(duì)NAND閃存需求的刺激，第二季度美國(guó)內(nèi)存生產(chǎn)商美光的NAND閃存
2012-09-24 17:03:43
主營(yíng)美光，三星，海力士，東芝，南亞，原裝存儲(chǔ)芯片。QQ：3005234331Tel： 0755 85241972
2020-02-28 17:04:25
量產(chǎn)，競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技術(shù)；美光NAND Flash營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Kevin Killbuck指出，隨著內(nèi)嵌式
2022-01-22 08:05:39
娛樂(lè)等，未來(lái)AI實(shí)時(shí)應(yīng)用、分析、移動(dòng)性，對(duì)存儲(chǔ)要求低延遲、高吞吐量、高耐久性、低功耗、高密度、低成本等。為了滿(mǎn)足不斷增長(zhǎng)的需求，西部數(shù)據(jù)在2017年發(fā)布第四代96層3D NAND，F(xiàn)ab工廠每天可生產(chǎn)
2018-09-20 17:57:05
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2021-04-27 16:10:09
偽3D能否實(shí)現(xiàn)低成本？本文將為你詳細(xì)解答這個(gè)問(wèn)題。
2021-05-10 07:16:11
181+2470一起1558 微芯同號(hào) 回收東芝二三極管 回收東芝光耦817全系列品牌: samsung/三星、hynix/海力士、micron/美光、toshiba/東芝、diodes/美臺(tái)
2021-12-11 09:43:19
本帖最后由 dealicdz 于 2021-8-31 15:19 編輯
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2021-07-16 18:07:56
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2021-01-25 17:59:52
東芝 FLASH ,收購(gòu)三星 FLASH, 收購(gòu)現(xiàn)代flash，回收美光flash，回收閃迪flash，收購(gòu)金士頓flash，收購(gòu)東芝flash，收購(gòu)英特爾flash...高價(jià)回收FLASH ！高價(jià)
2021-08-23 18:13:52
強(qiáng)敵三星。一直以來(lái)，NAND FLASH的晶圓芯片都是由三星、東芝/閃迪、美光、SK海力士5家大廠“壟斷”，占據(jù)整個(gè)市場(chǎng)的70%份額；只要他們又任何的產(chǎn)能的調(diào)整和市場(chǎng)策略變化，都直接影響到市場(chǎng)特別是
2016-07-29 15:42:37
自制低成本3D激光掃描測(cè)距儀(3D激光雷達(dá))
2021-03-04 10:51:54
優(yōu)勢(shì)，或許，未來(lái)將有更多的玩家參與其中。存儲(chǔ)產(chǎn)品的3D時(shí)代 伴隨著三星、美光、東芝、英特爾紛紛開(kāi)始投入到3D NAND的生產(chǎn)和研發(fā)中來(lái)，存儲(chǔ)產(chǎn)品也開(kāi)始走向了3D時(shí)代。在這些廠商發(fā)展3D閃存的過(guò)程當(dāng)中，也
2020-03-19 14:04:57
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2021-03-13 17:46:31
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2021-07-02 19:07:56
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2021-04-13 18:51:47
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2021-08-02 17:44:42
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2021-01-29 17:52:55
NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析什么是SLC？
SLC英文全稱(chēng)(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:272102 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士
2010-01-20 09:25:34856 近日，IBM表示促使美光(Micron)的混合式記憶體立方體(Hybrid Memory Cube)在不久成為第一顆采用3D制程的商用芯片。
2011-12-01 09:09:00929 SK 海力士最先進(jìn)72 層3D NAND 記憶體傳明年開(kāi)始量產(chǎn)，韓聯(lián)社26 日引述知情人事消息報(bào)導(dǎo)指出，海力士計(jì)劃于2017 上半年完成芯片設(shè)計(jì)，位在利川（Icheon）的M14 廠將可在下半年開(kāi)始生產(chǎn)。
2016-12-27 14:15:111317 
東芝半導(dǎo)體擬釋出存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)股份，吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經(jīng)投標(biāo)，最新消息指出全球第二大存儲(chǔ)器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉，提升NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力。DRAMeXchange數(shù)據(jù)顯示，SK
2017-02-08 02:01:10365 據(jù)報(bào)道，蘋(píng)果供應(yīng)商海力士(SK Hynix)日前推出了基于三級(jí)單元陣列的 72 層，256Gb 的 3D NAND 閃存芯片。通過(guò)堆疊，這比以前的 48 層技術(shù)多出 1.5 倍的單元，單個(gè)
2017-04-12 01:07:111359 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長(zhǎng)的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價(jià)格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00918 長(zhǎng)江存儲(chǔ)研發(fā)的這顆 3D NAND 芯片是 32 層技術(shù)，對(duì)比三星電子、美光、東芝、SK 海力士主流的 64 層和 72 層技術(shù)，還有一段距離，而這些國(guó)際大廠在 2018 年即將大步跨入 96 層 3D NAND 技術(shù)，驅(qū)動(dòng)芯片的密度提升、成本再下降。
2017-12-11 14:29:513786 目前全球存儲(chǔ)市場(chǎng)韓企張巨龍大量的份額，紫光集團(tuán)欲想搶占更多的市場(chǎng)份額必將要與三星，sk海力士，美光等巨頭進(jìn)行較量。據(jù)悉長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技正在迅速開(kāi)發(fā)3D NAND快閃記憶體，叫板三星。中國(guó)新貴記憶體企業(yè)要想與之較量專(zhuān)利戰(zhàn)在所難免？
2017-12-19 11:48:072402 
美光科技公司推出了5200系列 SATA SSD，該產(chǎn)品基于64層3D NAND技術(shù)，5200系列固態(tài)盤(pán)為經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的虛擬化工作負(fù)載提供了成本優(yōu)化的SATA平臺(tái)，這些工作負(fù)載在HDD，BI / DSS，VDI，塊/對(duì)象和媒體流。
2018-07-23 17:01:006867 半導(dǎo)體行業(yè)巨頭美光在新加坡的新工廠破土動(dòng)工，該工廠將致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價(jià)救了美光公司，他們本周一正式收購(gòu)了華亞科公司，內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼，而閃存方面，美光也公布了兩個(gè)好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過(guò)2D NAND閃存
2018-08-03 16:15:031683 今年的閃存技術(shù)峰會(huì)，美光、SK海力士包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱(chēng)之為“4D NAND”，長(zhǎng)江存儲(chǔ)稱(chēng)之為Xtacking，美光則稱(chēng)之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫(xiě)
2018-08-12 09:19:287883 首先是3D NAND的技術(shù)路線(xiàn)選擇，SK海力士稱(chēng)，CTF（Charge Trap Flash，電荷捕獲型）比Floating Gate（浮柵型）存儲(chǔ)單元面積更小、速度更快、更耐用（P／E次數(shù)多）
2018-08-12 10:55:154453 上周，美光系與英特爾推出了64層3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架構(gòu)相較于TLC（3bits/cell）容量更大，使得單顆Die容量可高達(dá)1Tb，備受市場(chǎng)高度關(guān)注
2018-08-22 16:25:462599 SK海力士在清州建設(shè)M15工廠的建成儀式將于9月17日在清州舉行。SK海力士計(jì)劃通過(guò)從明年初開(kāi)始增產(chǎn)96層3D NAND閃存的策略，來(lái)鞏固其市場(chǎng)主導(dǎo)地位。
2018-09-07 16:59:043820 電子（Samsung Electronics），美光（美光），SK海力士（SK海力士）等記憶體業(yè)者亦將陸續(xù)量產(chǎn)，將促使3D NAND閃存垂直堆疊最高層數(shù)自64層朝2017年年的80層邁進(jìn)
2018-10-08 15:52:39780 SK海力士完成M15工廠有兩大意義。首先，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器因?yàn)楣I(yè)4.0應(yīng)用而快速成長(zhǎng)，而新工廠將幫助SK海力士更積極因應(yīng)全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 SK海力士能否憑借新產(chǎn)品在競(jìng)爭(zhēng)力相對(duì)弱勢(shì)的NAND閃存市場(chǎng)站穩(wěn)腳跟并爭(zhēng)取NAND閃存市場(chǎng)的主導(dǎo)權(quán)，倍加受人關(guān)注。SK海力士在全球D-RAM市場(chǎng)僅次于三星電子排名第二，但在NAND閃存市場(chǎng)卻以大約10
2018-11-09 15:49:515400 )制程DRAM，目前傳出進(jìn)入第三代10納米(1z)制程開(kāi)發(fā)。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不斷加速先進(jìn)制程研發(fā)速度，追趕三星，預(yù) ... 10納米級(jí)DRAM先進(jìn)制程競(jìng)爭(zhēng)
2018-11-12 18:04:02533 NAND Flash產(chǎn)業(yè)在傳統(tǒng)的Floating Gate架構(gòu)面臨瓶頸后，正式轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash時(shí)代，目前三星電子（Samsung Electronics）、東芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571562 記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開(kāi)打！目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營(yíng)，如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將劃下句點(diǎn)。
2018-12-13 15:07:471294 SK海力士今年第一季財(cái)報(bào)和當(dāng)初預(yù)期相同，受存儲(chǔ)器行情影響，營(yíng)收和營(yíng)益驟減，對(duì)此SK海力士準(zhǔn)備以強(qiáng)化技術(shù)、調(diào)整生產(chǎn)線(xiàn)應(yīng)對(duì)市場(chǎng)，預(yù)計(jì)今年NAND晶圓投入量將比去年減少10％以上。
2019-04-25 19:23:191116 近日，據(jù)報(bào)道，傳海力士正在跟Intel談判，海力士想收購(gòu)整個(gè)Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 11:32:523449 傳海力士正在跟Intel談判，欲收購(gòu)整個(gè)Intel大連工廠和3D NAND業(yè)務(wù)。
2019-07-12 14:28:145180 由于 3D NAND 存儲(chǔ)器市場(chǎng)出現(xiàn)了供過(guò)于求的現(xiàn)象，制造商們不得不減產(chǎn)以穩(wěn)定價(jià)格。
2019-07-30 14:29:393096 7月11日，業(yè)內(nèi)傳出消息稱(chēng)，SK海力士計(jì)劃收購(gòu)Intel位于中國(guó)大連的Fab 68存儲(chǔ)工廠及3D NAND業(yè)務(wù)。對(duì)此傳聞，英特爾向芯智訊進(jìn)行了回應(yīng)。
2019-08-06 15:16:014741 海力士則是宣布成功開(kāi)發(fā)出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。不過(guò)，雖然兩家廠商競(jìng)相推出NAND Flash 的新產(chǎn)品，但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:123089 美光科技已經(jīng)流片第一批第四代3D NAND存儲(chǔ)芯片，它們基于美光全新的RG架構(gòu)。該公司有望在2020年生產(chǎn)商用第四代3D NAND內(nèi)存，但美光警告稱(chēng)，使用新架構(gòu)的存儲(chǔ)芯片將僅用于特定應(yīng)用，因此明年其3D NAND成本削減將微乎其微。
2019-10-08 16:25:154507 美光宣布，已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片，應(yīng)用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu)，并計(jì)劃在明年投入量產(chǎn)。
2019-10-14 16:04:321180 存儲(chǔ)行業(yè)隨著物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的來(lái)臨也迎來(lái)了一波新的發(fā)展機(jī)遇，近日，根據(jù)最新消息顯示，美系存儲(chǔ)巨頭，美光的第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的替代柵極架構(gòu)，將于明年開(kāi)始小范圍量產(chǎn)。
2019-11-18 15:33:471043 至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。
2020-01-02 09:27:343123 在此前高調(diào)地宣布“分道揚(yáng)鑣”之后，英特爾近日又與美光簽署了新的 3D XPoint 存儲(chǔ)器晶圓供應(yīng)協(xié)議。分析人士指出，鑒于英特爾是當(dāng)前唯一的 3D XPoint 制造商，其需要向美光支付較以往更多的費(fèi)用。
2020-03-17 14:21:142526 美光在二季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上透露，該公司即將開(kāi)始基于全新 RG 架構(gòu)的第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的量產(chǎn)工作。按照計(jì)劃，美光將于 2020 Q3 采集開(kāi)始生產(chǎn)，并于 Q4 像商業(yè)客戶(hù)發(fā)貨。作為這家硬件制造商的一次重大技術(shù)轉(zhuǎn)型，第四代 3D NAND 存儲(chǔ)器的層數(shù)達(dá)到了 128 層。
2020-04-02 11:26:522011 韓國(guó)存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士（SK Hynix）已宣布與英特爾達(dá)成NAND閃存單元協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，SK海力士將向英特爾支付90億美元。該協(xié)議的范圍包括在中國(guó)大連的NAND SSD部門(mén)，NAND部件
2020-10-21 14:30:372788 SK海力士于今(20)日宣布將以90億美元收購(gòu)Intel的NAND內(nèi)存與儲(chǔ)存事業(yè)，以及位于大連專(zhuān)門(mén)制造3D NAND Flash的Fab68廠房。這是韓國(guó)公司有史以來(lái)最大規(guī)模的海外收購(gòu)交易，超過(guò)三星
2020-10-21 17:26:322248 據(jù)美媒Anandtech報(bào)道，美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存，新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報(bào)道指出，新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲(chǔ)器合作解散以來(lái)推出的第二代產(chǎn)品，此后美光從浮柵（ floating-gate）存儲(chǔ)單元設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap）單元。
2020-11-10 14:56:593477 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚(yáng)鑣之后，自己獨(dú)立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出貨全球首款 176 層 3D NAND 閃存，刷新行業(yè)紀(jì)錄，實(shí)現(xiàn)閃存產(chǎn)品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，這款 176 層 NAND 產(chǎn)品采用
2020-11-12 13:04:572623 存儲(chǔ)器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計(jì)通過(guò)美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計(jì)算以及智能手機(jī)存儲(chǔ)
2020-11-12 16:02:553696 的應(yīng)用市場(chǎng)。 SK 海力士還計(jì)劃開(kāi)發(fā)基于 176 層 4D NAND的 1Tb 密度的閃存，從而持續(xù)增強(qiáng)其在NAND閃存業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng)力。 IT之家曾報(bào)道，11月初，美
2020-12-07 16:16:233708 據(jù)報(bào)道，SK hynix日前發(fā)布了其最新一代的3D NAND。據(jù)介紹，新產(chǎn)品具有176層電荷charge trap單元。在美光宣布他們的176L NAND開(kāi)始以Crucial品牌產(chǎn)品發(fā)貨之后，SK hynix是第二家達(dá)到這一層數(shù)的NAND制造商。
2020-12-08 14:29:122822 發(fā)展至今，NAND Flash已呈現(xiàn)白熱化階段。就在前不久，存儲(chǔ)廠商們還在128層“閃存高臺(tái)上觀景”，2019年6月SK海力士發(fā)布128層TLC 3D NAND；美光于2019年10月流片出樣128
2020-12-09 14:55:374583 去年底Intel宣布將旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)以600億元的價(jià)格賣(mài)給了SK海力士公司，但是傲騰硬盤(pán)業(yè)務(wù)沒(méi)賣(mài)，基于3D Xpoint技術(shù)的傲騰是Intel的王牌。
2021-02-04 10:27:272085 新一代3D NAND技術(shù)已迎來(lái)新的戰(zhàn)局，繼美光和SK海力士在2020年底陸續(xù)推出新一代176層3D NAND之后，鎧俠和西部數(shù)據(jù)也正式宣布推出162層3D NAND技術(shù)，三星也稱(chēng)將在2021年推出第七代V-NAND，再加上英特爾大力推廣144層3D NAND，硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:072770 近日，SK海力士宣布將在中國(guó)大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲(chǔ)器制造項(xiàng)目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲(chǔ)器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:534080 而主要的 NAND 制造商正在競(jìng)相增加垂直 3D NAND 門(mén)的數(shù)量，并推出了 1yyL 3D NAND 設(shè)備。例如，三星 V7 V-NAND、鎧俠和西部數(shù)據(jù)公司 (WDC) BiCS6、美光第 2 代 CTF CuA 和 SK 海力士第 2 和第 3 代 4D PUC NAND 。
2022-07-13 15:30:114733 美光已經(jīng)在完成 232 層 NAND 的訂單，而且不甘示弱，SK 海力士宣布將于明年上半年開(kāi)始量產(chǎn) 238 層 512Gb 三層單元 (TLC) 4D NAND。或許更重要的是，芯片制造商私下表示，他們將利用行業(yè)學(xué)習(xí)為目前正在開(kāi)發(fā)的 3D-IC 堆疊 NAND。
2022-08-29 16:59:20888 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《低成本、高精度結(jié)構(gòu)光3D成像系統(tǒng)開(kāi)源分享.zip》資料免費(fèi)下載
2022-10-26 11:09:36
3 據(jù)知名半導(dǎo)體和微電子情報(bào)提供商TechInsights報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的232層3D NAND閃存X3-9070已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，領(lǐng)先于三星、美光、SK海力士等廠商，這也是__中國(guó)品牌在半導(dǎo)體領(lǐng)域首次領(lǐng)先于國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)者。__
2022-12-05 17:07:381876 我們之前見(jiàn)過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來(lái)了，理論上可以無(wú)線(xiàn)堆疊。
2023-03-30 14:02:394227 基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:211823 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業(yè)界首家開(kāi)發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開(kāi)發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:471993 去年，鎧俠與西數(shù)的合并談判因韓企 SK 海力士阻撓而被擱置，其顧慮在于合并后的企業(yè)體量過(guò)大。為打破僵局爭(zhēng)取 SK 海力士的支持，鎧俠提出借助其實(shí)施的日本產(chǎn) 3D NAND 晶圓廠，提供額外產(chǎn)能供 SK 海力士擴(kuò)大 3D NAND 存儲(chǔ)器產(chǎn)能。
2024-02-18 16:06:59980 ）提交了一份關(guān)于3D DRAM（三維動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的詳細(xì)研究論文。該論文不僅揭示了SK海力士在3D DRAM領(lǐng)域取得的顯著進(jìn)展，更向世界展示了其在這一未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)上的堅(jiān)定決心與卓越實(shí)力。
2024-06-24 15:35:291746 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競(jìng)爭(zhēng)中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實(shí)力與創(chuàng)新能力。近日，在美國(guó)夏威夷舉行的VLSI 2024峰會(huì)上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%，這一突破性的進(jìn)展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 據(jù)最新消息，SK海力士正醞釀一項(xiàng)重要財(cái)務(wù)戰(zhàn)略，考慮推動(dòng)其NAND與SSD業(yè)務(wù)子公司Solidigm在美國(guó)進(jìn)行首次公開(kāi)募股（IPO）。Solidigm作為SK海力士在2021年底通過(guò)收購(gòu)英特爾相應(yīng)業(yè)務(wù)后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司，承載著SK海力士在存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 SK海力士致力于成為“全方位面向AI的存儲(chǔ)器供應(yīng)商（Full Stack AI Memory Provider）”，不僅在DRAM領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新，在NAND閃存（NAND Flash，以下簡(jiǎn)稱(chēng)NAND
2025-07-10 11:37:591509 2030年實(shí)現(xiàn)1000層堆疊的3D NAND存儲(chǔ)器。 ? 3D NAND似乎已經(jīng)成為各大存儲(chǔ)企業(yè)競(jìng)相追逐的“工業(yè)明珠”，包括三星、海力士、美光、鎧俠、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等都在這一領(lǐng)域投入大量資源，而比拼的就是堆疊層數(shù)。 ? 3D NAND 為何如此重要？ ? 隨著數(shù)字化信息的爆炸性增長(zhǎng)，對(duì)對(duì)存儲(chǔ)容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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