廠商爭相投資，3D NAND Flash前景不妙？據(jù)傳三星電子平澤廠（Pyeongtaek）將提前投產(chǎn)，SK海力士（SK Hynix）、東芝（Toshiba）、美光（Micron）產(chǎn)能也將于明年下半全面開出，屆時(shí)3D NAND可能會從供不應(yīng)求、呈現(xiàn)供給過剩的狀況。

　　BusinessKorea 6日報(bào)道，NAND需求爆發(fā)，據(jù)悉三星電子決定平澤廠完工時(shí)間提前三個(gè)月，改在明年三、四月開始生產(chǎn)第四代64層3D NAND。三星平澤廠完工，加上原本的華城（Hwaseong）廠，屆時(shí)三星3D NAND產(chǎn)能將從當(dāng)前水準(zhǔn)提高兩倍、至32萬片。

　　SK海力士也準(zhǔn)備生產(chǎn)3D NAND，仁川廠M14線無塵室正在裝設(shè)儀器，估計(jì)第二代36層3D NAND可在今年第二季出貨、第三季量產(chǎn)。第四季將加碼投資第三代48層3D NAND，估計(jì)未來3D NAND將占SK海力士產(chǎn)出的一半。

　　與此同時(shí)，大陸廠商武漢新芯也打算砸下巨資打造新廠，該公司與美商Spansion共同研發(fā)3D NAND。日廠東芝則與Western Digital（西部數(shù)據(jù)）攜手，準(zhǔn)備量產(chǎn)3D NAND。

　　韓媒etnews 4日報(bào)道，業(yè)界消息稱，NAND Flash價(jià)格一路向上，三星決定平澤廠將提前三個(gè)月投產(chǎn)。目前平澤廠的建筑工事進(jìn)入尾聲，正修筑工廠外墻，預(yù)料12月完工，緊接著要開始設(shè)備投資，購買無塵室設(shè)施和晶圓生產(chǎn)儀器等。

　　多名設(shè)備業(yè)人士表示，三星若想在2017年初裝設(shè)備儀器，現(xiàn)在就得下單，據(jù)稱三星不久后就會開始發(fā)出訂單。外界預(yù)料，平澤廠將名為18代線，明年第二季季初或季中開始營運(yùn)，負(fù)責(zé)生產(chǎn)第四代64層3D NAND Flash。第一階段每月產(chǎn)量為4~5萬片12寸晶圓，約為18代線總產(chǎn)量的1/4（總產(chǎn)量為20萬片）。估計(jì)第一階段投資金額為27.2~31.7億美元（181.4億~211.4億人民幣）。

　　韓國媒體朝鮮日報(bào)日文版報(bào)道，三星8月11日宣布，第4代V-NAND Flash（3D NAND）產(chǎn)品將在2016年Q4（10-12月）開賣，該款產(chǎn)品將采64層堆疊。三星指出，借由采用64層堆疊技術(shù)，每片晶圓的儲存容量可較現(xiàn)行技術(shù)提高30%、能有效改善成本競爭力。

　　三星為全球第一家量產(chǎn)3D NAND的廠商，于2013年研發(fā)出堆疊24層的3D NAND之后，就逐步將技術(shù)升級至32層、48層，此次則進(jìn)一步提升至64層。

　　東芝7月27日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND制程技術(shù)，并自當(dāng)日起領(lǐng)先全球同業(yè)開始進(jìn)行樣品出貨，且預(yù)計(jì)將透過甫于7月完工的四日市工廠“新第2廠房”進(jìn)行生產(chǎn)。

　　四大豪門現(xiàn)狀

　　在主要的NAND廠商中，三星最早量產(chǎn)了3D NAND，其他幾家公司在3D NAND閃存量產(chǎn)上要落后三星至少2年時(shí)間，Intel、美光去年才推出3D NAND閃存，Intel本月初才發(fā)布了首款3D NAND閃存的SSD，不過主要是面向企業(yè)級市場的。

　　這四大豪門的3D NAND閃存所用的技術(shù)不同，堆棧的層數(shù)也不一樣，而Intel在常規(guī)3D NAND閃存之外還開發(fā)了新型的3D XPoint閃存，它跟目前的3D閃存有很大不同，屬于殺手锏級產(chǎn)品，值得關(guān)注。

　　四大NAND豪門的3D NAND閃存規(guī)格及特色

　　上述3D NAND閃存中，由于廠商不一定公布很多技術(shù)細(xì)節(jié)，特別是很少提及具體的制程工藝，除了三星之外其他廠商的3D NAND閃存現(xiàn)在才開始推向市場，代表性產(chǎn)品也不足。

　?。ㄒ唬┤牵鹤钤缌慨a(chǎn)的V-NAND閃存

　　三星是NAND閃存市場最強(qiáng)大的廠商，在3D NAND閃存上也是一路領(lǐng)先，他們最早在2013年就開始量產(chǎn)3D NAND閃存了。在3D NAND路線上，三星也研究過多種方案，最終量產(chǎn)的是VG垂直柵極結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)展了三代V-NAND技術(shù)，堆棧層數(shù)從之前的24層提高到了48層，TLC類型的3D NAND核心容量可達(dá)到256Gb容量，在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。

　　值得一提的是，三星在3D NAND閃存上領(lǐng)先不光是技術(shù)、資金的優(yōu)勢，他們首先選擇了CTF電荷擷取閃存（charge trap flash，簡稱CTF）路線，相比傳統(tǒng)的FG（Floating Gate，浮柵極）技術(shù)難度要小一些，這多少也幫助三星占了時(shí)間優(yōu)勢。

　　有關(guān)V-NAND閃存的詳細(xì)技術(shù)介紹可以參考之前的文章：NAND新時(shí)代起點(diǎn)，三星V-NAND技術(shù)詳解

　　（二）東芝/閃迪：獨(dú)辟蹊徑的BiCS技術(shù)

　　東芝是閃存技術(shù)的發(fā)明人，雖然現(xiàn)在的份額和產(chǎn)能被三星超越，不過東芝在NAND及技術(shù)領(lǐng)域依然非常強(qiáng)大，很早就投入3D NAND研發(fā)了，2007年他們獨(dú)辟蹊徑推出了BiCS技術(shù)的3D NAND——之前我們也提到了，2D NAND閃存簡單堆棧是可以作出3D NAND閃存的，但制造工藝復(fù)雜，要求很高，而東芝的BiCS閃存是Bit Cost Scaling，強(qiáng)調(diào)的就是隨NAND規(guī)模而降低成本，號稱在所有3D NAND閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。

　　東芝和閃迪是戰(zhàn)略合作伙伴，雙方在NAND領(lǐng)域是共享技術(shù)的，他們的BiCS閃存去年開始量產(chǎn)，目前的堆棧層數(shù)是48層，MLC類型的核心容量128Gb，TLC類型的容量可達(dá)256Gb，預(yù)計(jì)會在日本四日市的Fab 2工廠規(guī)模量產(chǎn)，2016年可以大量出貨了。