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標(biāo)簽 > 3nm

3nm

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在半導(dǎo)體制造中,3納米工藝是繼5納米MOSFET 技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)芯片縮小。截至2019年,三星和臺(tái)積電已宣布計(jì)劃將3 nm 半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn)投入商業(yè)生產(chǎn)。它基于GAAFET(全能柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù),這是一種多柵極MOSFET技術(shù)。

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3nm資訊

臺(tái)積電將在2021年底建立2nm測(cè)試產(chǎn)線

近日,據(jù)日媒報(bào)道,全球最大的半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電宣布,將計(jì)劃在2021年底建立一條測(cè)試產(chǎn)線,用來生產(chǎn)2nm工藝的半導(dǎo)體。同時(shí)臺(tái)積電還制定了一個(gè)計(jì)劃,將建立...

2021-06-04 標(biāo)簽:臺(tái)積電工藝制程3nm 5.4k 0

想要解決芯片被卡脖子的問題我們就不能太依賴外界力量

當(dāng)華為的芯片問題被不斷放大之后,爭(zhēng)奪半導(dǎo)體行業(yè)主動(dòng)權(quán)的競(jìng)爭(zhēng)就在暗中展開,都想要通過投入來爭(zhēng)奪話語權(quán)。此前歐洲很多國(guó)家就聯(lián)合成立了半導(dǎo)體聯(lián)盟,想要用1.1...

2021-06-01 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體臺(tái)積電 2.7k 0

剖析凡爾賽里的3nm/2nm競(jìng)爭(zhēng)

剖析凡爾賽里的3nm/2nm競(jìng)爭(zhēng)

幾家芯片制造商和無晶圓廠設(shè)計(jì)公司正在相互競(jìng)爭(zhēng),以在3nm和2nm的下一個(gè)邏輯節(jié)點(diǎn)開發(fā)工藝和芯片,但是將這些技術(shù)投入批量生產(chǎn)證明既昂貴又困難。 它也開始引...

2021-05-25 標(biāo)簽:芯片晶體管7nm 2.6k 0

臺(tái)積電在美國(guó)晶圓廠追加投資計(jì)劃3nm制程 英國(guó)耗資7億美元替換華為設(shè)備

據(jù)美國(guó)媒體報(bào)道,臺(tái)積電正考慮向美國(guó)亞利桑那州尖端芯片工廠追加投資,數(shù)額比此前披露的多出近一倍。臺(tái)積電正在亞利桑那州建設(shè)下一代3nm制造工廠,可能要花費(fèi)2...

2021-05-17 標(biāo)簽:臺(tái)積電華為蘋果 5.5k 0

臺(tái)積電4月份營(yíng)收即將出爐 三星追趕臺(tái)積電加大三大制程投入

5月10日,晶圓代工大廠臺(tái)積電周一 將公布4月營(yíng)收,市場(chǎng)看好,根據(jù)臺(tái)積電公布第 2 季財(cái)測(cè)數(shù)字,營(yíng)收估達(dá) 129-132 億美元,季減 0.15% 至季...

2021-05-10 標(biāo)簽:臺(tái)積電5nm3nm 5.7k 0

南方科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)提出半導(dǎo)體晶圓原子級(jí)表面制造新方法

南方科技大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)提出半導(dǎo)體晶圓原子級(jí)表面制造新方法

近日,南方科技大學(xué)機(jī)械與能源工程系助理教授鄧輝研究團(tuán)隊(duì)在機(jī)械制造領(lǐng)域頂級(jí)期刊International Journal of Machine Tools...

2021-04-13 標(biāo)簽:等離子體晶圓單晶硅 4.2k 0

臺(tái)積電3nm預(yù)計(jì)2021年試產(chǎn),將于2022年下半年量產(chǎn)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音透露 3nm 按計(jì)劃時(shí)程發(fā)展,進(jìn)度甚至較原先預(yù)期超前。這意味著 3nm 量產(chǎn)時(shí)程可望較原先預(yù)計(jì)的 2022 年下半年提前。臺(tái)積電對(duì)此消...

2021-04-01 標(biāo)簽:臺(tái)積電制程3nm 2.8k 0

三星將在3nm時(shí)代進(jìn)一步拉近自己與臺(tái)積電的芯片代工技術(shù)差距

晶體管是器件中提供開關(guān)功能的關(guān)鍵組件。幾十年來,基于平面晶體管的芯片一直暢銷不衰。走到20nm時(shí),平面晶體管開始出現(xiàn)疲態(tài)。為此,英特爾在2011年推出了...

2021-03-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電晶圓代工3nm 3.3k 0

臺(tái)積電投資2326億元在美國(guó)新開設(shè)6個(gè)工廠

為了減少對(duì)中國(guó)方面的依賴,拜登簽署了一項(xiàng)行政命令,與中國(guó)臺(tái)灣和日本和韓國(guó)等國(guó)家/地區(qū)合作,加快建立芯片和其他戰(zhàn)略意義產(chǎn)業(yè)鏈的合作。不難看出,美國(guó)政府已逐...

2021-03-04 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm 3.9k 0

臺(tái)積電將在下半年提前投產(chǎn)3nm工藝

在新制程工藝推進(jìn)速度上,臺(tái)積電已經(jīng)徹底無敵,Intel、三星都已經(jīng)望塵莫及。

2021-03-03 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm 1.3k 0

臺(tái)積電3nm芯片開始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn) 美國(guó)開始解禁芯片

3月1日,臺(tái)灣DigiTimes發(fā)布的最新報(bào)告顯示,蘋果主要芯片供應(yīng)商臺(tái)積電(TSMC)有望在今年下半年開始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)3納米的制造工藝,屆時(shí)該代工廠將能夠...

2021-03-03 標(biāo)簽:芯片高通臺(tái)積電 5.7k 0

臺(tái)積電有望在明年量產(chǎn)3nm芯片

根據(jù)DigiTimes的消息,蘋果公司的主要芯片供應(yīng)商臺(tái)積電公司有望在今年下半年開始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)3納米制造工藝,屆時(shí)該晶圓代工廠將能夠以更先進(jìn)的技術(shù)制造30...

2021-03-02 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm 1.3k 0

3nm 工藝的產(chǎn)量比 5nm 工藝提升 30% 或用在蘋果A17 芯片

蘋果的主要芯片供應(yīng)商臺(tái)積電(TSMC)有望在今年下半年開始風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn) 3nm 制造工藝,屆時(shí)該晶圓廠將有能力處理 3 萬片使用更先進(jìn)技術(shù)打造的晶圓。

2021-03-02 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm 3.7k 0

臺(tái)積電 2020 年資本支出超過 180 億美元?jiǎng)?chuàng)下新高

2 月 20 日消息,據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,芯片代工商臺(tái)積電去年的營(yíng)收創(chuàng)下了新高,達(dá)到了 455.05 億美元,但先進(jìn)制程工藝投產(chǎn)、工藝研發(fā)等方面的支出也有增...

2021-02-22 標(biāo)簽:臺(tái)積電3nm 2.6k 0

臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)下半年試產(chǎn)量產(chǎn)

臺(tái)積電董事長(zhǎng)劉德音近日受邀于2021年國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC 2021)開場(chǎng)線上專題演說時(shí)指出,臺(tái)積電3nm制程依計(jì)劃推進(jìn),甚至比預(yù)期還超前了一些...

2021-02-21 標(biāo)簽:芯片臺(tái)積電3D 3.3k 0

臺(tái)積電3nm工藝進(jìn)度超前 EUV工藝獲突破:直奔1nm

在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況,指出3nm工藝超過預(yù)期,進(jìn)度將會(huì)提前。 不過劉德音沒有公...

2021-02-19 標(biāo)簽:臺(tái)積電EUV3nm 2.9k 0

臺(tái)積電3nm工藝制程超過預(yù)期,進(jìn)度將會(huì)提前

在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上,臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況,指出3nm工藝超過預(yù)期,進(jìn)度將會(huì)提前。

2021-02-19 標(biāo)簽:臺(tái)積電先進(jìn)制程3nm 2k 0

臺(tái)積電或?qū)⒃?022年下半年為英特爾代工采用3nm技術(shù)的CPU制造芯片

雖然還沒有正式進(jìn)入投產(chǎn),但是臺(tái)積電2022年3nm的產(chǎn)能,已經(jīng)被蘋果和英特爾兩家“包圓”了。 今天,臺(tái)媒曝料稱,英特爾已于去年與臺(tái)積電簽訂了外包合同。具...

2021-01-28 標(biāo)簽:芯片英特爾臺(tái)積電 2.7k 0

GAA-FET在3nm及更先進(jìn)制程上很關(guān)鍵

得益于從平面型晶體管到鰭式場(chǎng)效應(yīng)管(FinFET)的過渡,過去 10 年的芯片性能提升還算勉強(qiáng)。然而隨著制程工藝不斷抵近物理極限,芯片行業(yè)早已不再高聲談...

2021-01-27 標(biāo)簽:芯片晶體管3nm 2.7k 0

2021年將是3nm工藝大戰(zhàn)的序幕

上周,業(yè)內(nèi)最受關(guān)注的新聞,非三星計(jì)劃在美國(guó)德克薩斯州奧斯汀建設(shè)一個(gè)價(jià)值100億美元的晶圓廠莫屬了。這被認(rèn)為是其追趕臺(tái)積電發(fā)展步伐的又一舉措。實(shí)際上,三星...

2021-01-27 標(biāo)簽:芯片三星電子臺(tái)積電 2k 0

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    智原科技(Faraday Technology Corporation, TWSE: 3035)為專用集成電路(ASIC)設(shè)計(jì)服務(wù)暨知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)研發(fā)銷售領(lǐng)導(dǎo)廠商,通過ISO 9001與ISO 26262認(rèn)證,總公司位于臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū),并于中國(guó)大陸、美國(guó)與日本設(shè)有研發(fā)、營(yíng)銷據(jù)點(diǎn)。
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