10nm。研發(fā)部門正在努力擴展該技術(shù)，并最終將其替換為新的存儲器類型。 但是，到目前為止，還沒有直接的替代方法。并且，在采用新解決方案之前，供應(yīng)商將繼續(xù)擴展DRAM并提高性能，盡管在當(dāng)前1xnm節(jié)點體制下將逐步增加。并且在未來的節(jié)點上，部分但不是全部DR
2019-11-25 11:33:18
6943 視為堆疊邏輯與內(nèi)存、3D NAND，甚至可能在高帶寬存儲(HBM)中的多層DRAM堆疊的關(guān)鍵技術(shù)。垂直堆疊使得芯片制造商能夠?qū)⒒ミB間距從35μm的銅微凸點提升到10μm甚至更小。
2025-05-22 11:24:181405 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:296409 
于所有類型的DRAM，有望顯著降低DRAM成本。 到目前為止，美光已將其DRAM生產(chǎn)的很大一部分轉(zhuǎn)移到了1Znm節(jié)點，該節(jié)點既提供高位密度（較低的單位成本）又提供高性能。美光表示，從利潤率和產(chǎn)品組合角度來說，現(xiàn)在的感覺相當(dāng)好。美光的1α制造工藝預(yù)計將比1Z（成熟的成品率）
2021-01-27 15:37:313660 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實現(xiàn)垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:004808 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）高帶寬存儲HBM因數(shù)據(jù)中心、AI訓(xùn)練而大熱，HBM三強不同程度地受益于這一存儲產(chǎn)品的營收增長，甚至就此改變了DRAM市場的格局。根據(jù)CFM閃存市場的分析數(shù)據(jù)，2025年
2025-05-10 00:58:008824 。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因為如此，才使其發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
1.(判斷題)DRAM上電時存儲單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時存儲單元的內(nèi)容是全1。(4分) A.正確B.錯誤 FLASH可保存 上電后不知道是啥2.(判斷題)眼圖可以用來分析高速信號的碼間
2021-07-22 08:57:49
RAM有哪些分類？特點是什么？DRAM和SRAM對比分析哪個好？
2022-01-20 07:16:10
某16K x 4的存儲體由16個字長為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時擴展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲矩陣。分析：由題得，16個DRAM芯片需要先在位方向擴展為4位得
2022-03-02 06:18:45
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
【作者】：果建民;【來源】：《廣播電視信息》2010年03期【摘要】：在廣電領(lǐng)域,由于存儲規(guī)模、投資和需求的不同,各種存儲結(jié)構(gòu)均得到了廣泛的應(yīng)用,本文重點討論常見的幾種存儲結(jié)構(gòu),并為選型提供參考意見
2010-04-23 11:47:34
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲管理的磁盤結(jié)構(gòu)分為哪幾部分？磁盤調(diào)度算法有哪幾種？分別有何優(yōu)缺點？
2021-12-23 09:57:35
的L1 Cache存儲管理段式存儲管理頁式存儲管理存儲系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)技術(shù)指標(biāo)層次結(jié)構(gòu)局部性原理主存儲器讀寫存儲器只讀存儲器存儲器地址譯碼主存空間分配高速緩沖存儲器工作原理地址映射替換算法寫入策略80486的L1 CachePentium的L1 Cache存儲管理段式存儲管理頁式存
2021-07-29 09:47:21
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
STM32F4的存儲結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？STM32 Flash的主要特性有哪些？
2021-09-27 08:32:06
1、什么是堆疊設(shè)計也稱作系統(tǒng)設(shè)計，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品定義的要求，為實現(xiàn)一定的功能，設(shè)計出合理可靠的具備可量產(chǎn)性的PCB及其周邊元器件擺放的一種方案。2、堆疊工程師一般由結(jié)構(gòu)工程師進行堆疊，有些公司
2021-11-12 08:17:17
和DRAM），40μm的芯片堆疊8個總 厚度為1.6 mm，堆疊兩個厚度為0.8 mm。如圖1所示。圖1 元器件內(nèi)芯片的堆疊 堆疊元器件（Amkor PoP）典型結(jié)構(gòu)如圖2所示： ·底部PSvfBGA
2018-09-07 15:28:20
（FTL，磨損均衡，糾錯等），存在讀寫干擾問題。
結(jié)構(gòu)演進：
平面 NAND：傳統(tǒng)二維結(jié)構(gòu)，工藝微縮遇到瓶頸。
3D NAND：將存儲單元垂直堆疊（幾十層到幾百層），突破密度限制，降低成本，提高
2025-06-24 09:09:39
單片機內(nèi)部存儲結(jié)構(gòu)分析存儲器的工作原理半導(dǎo)體存儲器的分類
2021-04-02 07:01:26
單片機內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析單片機的基本概念存儲器的工作原理
2021-02-19 06:27:20
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
（SRAM、DRAM、DDRAM）4.主存儲器（Flash、PROM、EPROM、EEPROM）5.外部存儲器（磁盤、光盤、CF、SD卡）6.遠程二級存儲（分布...
2021-12-22 06:30:43
嵌入式系統(tǒng)（二）嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)硬件層中間層系統(tǒng)軟件層應(yīng)用軟件層常用開發(fā)工具GNU ToolsQTEclipse交叉開發(fā)環(huán)境交叉調(diào)試系統(tǒng)測試內(nèi)存分析工具性能分析工具覆蓋分析工具嵌入式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)硬件層硬件
2021-12-22 08:03:19
處理器的 BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲器讀請求。對微處理器的存儲器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時，被編程的存儲器范圍片選有效。存儲器是嵌入式計算機系統(tǒng)的重要組成部分之一。通常采用靜態(tài)存儲器，但是在
2011-02-24 09:33:15
開放式網(wǎng)絡(luò)化數(shù)控的基本概念是什么？ 開放式網(wǎng)絡(luò)化數(shù)控平臺的基本結(jié)構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-08-05 07:27:45
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動態(tài)隨機存儲器（Dynamic RAM），“動態(tài)”二字指沒隔一段時間就會刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會消失。這是因為DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
存儲器的一般用途是代碼儲存。系統(tǒng)需要一個相對較小進的存儲，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲器。在這
2018-05-17 09:45:35
下圖?！ 」柰譚SV型堆疊 硅通孔TSV型堆疊一般是指將相同的芯片通過硅通孔TSV進行電氣連接，這種技術(shù)對工藝要求較高，需要對芯片內(nèi)部的電路和結(jié)構(gòu)有充分的了解，因為畢竟要在芯片上打孔，一不小心就會損壞
2020-11-27 16:39:05
器（DRAM）與靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲電荷數(shù)的多少來代表所存儲的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因為電容上的電荷會泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
頻譜分析儀是常用的電子測量儀器之一，他的功能是分辨輸入信號中各個頻率成分并測量各個頻率成分的頻率和功率。下面看一下傳統(tǒng)頻譜分析儀的原理和現(xiàn)代頻譜分析儀（或稱為信號分析儀）的發(fā)展。圖1是傳統(tǒng)的掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖。圖1傳統(tǒng)掃頻式頻譜分析儀的結(jié)構(gòu)框圖
2019-07-01 06:37:50
過程，通過智能測力識別方式防誤操作撞針，做到無損傷測量。 SJ51系列測長機各部分結(jié)構(gòu)名稱 SJ51系列測長機采用高精度光柵測量系統(tǒng)、超高精密研磨導(dǎo)軌
2022-10-28 17:07:13
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計與實現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:10
45 網(wǎng)絡(luò)節(jié)點的交換結(jié)構(gòu)在圖1所示的交換結(jié)構(gòu)中，分析FDLs和TWC對交換性能的影響。圖中，1～4分別代表4條光纖輸入和輸出，每條光纖上復(fù)用9條波長，其中一條用于發(fā)
2009-02-28 11:44:141329 
DRAM的總體結(jié)構(gòu)框圖
2009-12-04 17:13:323921 
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計
1、引言
當(dāng)代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:031028 
可堆疊式架構(gòu)分歧
雖然標(biāo)準(zhǔn)組織在使用更新技術(shù)代替過時的ISA總線技術(shù)方面存在分歧，但經(jīng)典PC / 104對嵌入式系統(tǒng)設(shè)計者仍具吸引力。
要點 * PC/
2010-01-26 09:48:15859 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機存貯器)是指通過指令可以隨機地、個別地對每個存儲單元進行訪問、訪問所需時間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3315009 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動態(tài)隨機存儲器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:212726 MCP存儲器,MCP存儲器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為：MCP是在一個塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類存儲器或非存儲器芯片，
2010-03-24 16:31:282499 存儲器的層次結(jié)構(gòu)原理圖解分析
學(xué)習(xí)目錄：
理解多級存儲層次的思想及其作用；
掌
2010-04-13 16:16:1213395 集線器的堆疊
部分集線器具有堆疊功能。集線器堆疊是通過廠家提供的一條專用連接電纜，從一臺集線器的"UP"堆疊端口直接連接到另一臺集線器的"DOWN"堆疊端口
2010-01-08 10:15:161805 超越摩爾定律，賽靈思全球首發(fā)堆疊硅片互聯(lián)技術(shù)，推出突破性的容量、帶寬和功耗 ，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。 堆疊硅片互聯(lián)技術(shù) 每個工藝節(jié)點 FPGA 容量提升 2 倍的優(yōu)勢 Virtex-7 系列的核心部分
2011-03-28 17:06:470 通過分析Hypertable 的源代碼，描述了CellStore 存儲結(jié)構(gòu)，介紹其讀寫流程，總結(jié)了該結(jié)構(gòu)存在的缺陷，并提出了優(yōu)化思路。優(yōu)化步驟主要包括：將關(guān)鍵字?jǐn)?shù)據(jù)進行合并，建立關(guān)鍵字到數(shù)據(jù)
2011-05-12 16:37:2827 從 DRAM 的發(fā)展及應(yīng)用特點出發(fā)，針對使用DRAM 構(gòu)成計算機主存時應(yīng)解決的主存空間及尋址、多體交叉訪問構(gòu)成并行主存結(jié)構(gòu)、動態(tài)刷新等問題，以采用DRAM控制器W4~6AF構(gòu)成80386微機主存的
2011-07-25 16:11:28145 芯片堆疊封裝是提高存儲卡類產(chǎn)品存儲容量的主流技術(shù)之一，采用不同的芯片堆疊方案，可能會產(chǎn)生不同的堆疊效果。針對三種芯片堆疊的初始設(shè)計方案進行了分析，指出了堆疊方案失
2012-01-09 16:14:1442 數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)-邏輯存儲結(jié)構(gòu)的相關(guān)詳細介紹，內(nèi)容簡單
2015-10-29 15:14:262 計及節(jié)點相關(guān)性的含間歇分布式電源配電網(wǎng)概率潮流_劉洪
2017-01-04 16:32:501 基于FPGA的可堆疊存儲陣列設(shè)計與優(yōu)化
2017-01-07 21:28:580 電路分析中網(wǎng)孔分析 與 節(jié)點分析的步驟方法總結(jié)
2017-03-14 16:09:090 記憶技術(shù)不停滯不前。存儲器結(jié)構(gòu)的變化速度更快和更有效的結(jié)構(gòu)的創(chuàng)建和使用在連續(xù)幾代人如DRAM SDRAM DDR DDR1、2、3、等。
2017-06-06 14:22:115 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:063688 
分布式存儲概念 與目前常見的集中式存儲技術(shù)不同，分布式存儲技術(shù)并不是將數(shù)據(jù)存儲在某個或多個特定的節(jié)點上，而是通過網(wǎng)絡(luò)使用企業(yè)中的每臺機器上的磁盤空間，并將這些分散的存儲資源構(gòu)成一個虛擬的存儲設(shè)備
2017-11-17 09:26:4124247 
自動編碼機算法中；同時，根據(jù)傳統(tǒng)dropout算法容易使部分節(jié)點長期處于熄火狀態(tài)的缺陷，提出了一種動態(tài)dropout改進算法，使用動態(tài)函數(shù)將傳統(tǒng)靜態(tài)熄火率修改為隨著迭代次數(shù)逐漸減小的動態(tài)熄火率；最后，利用動態(tài)dropout算法改進堆疊自動編碼機的預(yù)訓(xùn)練模型
2017-12-26 14:37:480 的局部可修復(fù)碼，顯著降低了修復(fù)網(wǎng)絡(luò)開銷．然而，現(xiàn)有的基于編碼的分布式容錯存儲方案大都假設(shè)節(jié)點處于星型邏輯網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中，忽略了實際的物理網(wǎng)絡(luò)拓撲結(jié)構(gòu)和帶寬信息．為了實現(xiàn)拓撲感知的容錯存儲優(yōu)化，相關(guān)研究在糾刪碼
2017-12-26 19:11:241 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 Sony的Xperia XZ Premium和Xperia XZ兩款旗艦級智能手機搭載了具有960fps畫面更新率的Motion Eye相機模組。這款三層堆疊的CMOS影像傳感器(CIS)被面對背地安裝在DRAM上，使得DRAM與影像訊號處理器(ISP)面對面接在一起。
2018-04-28 17:54:3413201 下游需求結(jié)構(gòu)來看，手機、服務(wù)器、PC三大應(yīng)用消耗了絕大部分存儲器芯片。主流存儲器市場以DRAM及NANDFlash為主，立基型存儲器則以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND
2018-07-27 17:17:372948 針對延遲容忍網(wǎng)絡(luò)（DTN）拓撲結(jié)構(gòu)動態(tài)變化和節(jié)點存儲空間有限的問題，提出一種具有擁塞控制策略的DTN傳染路由（ERC~2）方法。該方法基于一種動態(tài)存儲狀態(tài)模型（DSSM），節(jié)點可通過感知網(wǎng)絡(luò)狀況動態(tài)
2019-11-05 16:15:204 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動態(tài)隨機存取存儲器。主要運用在對功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:175876 DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一，大家對于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢？DRAM的工作原理是什么呢？如果你對DRAM具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2946978 
的非易失性存儲器類型（PCM和MRAM）將在獨立存儲器中處于領(lǐng)先地位。 傳統(tǒng)存儲芯片到達技術(shù)節(jié)點 存儲器產(chǎn)業(yè)如今形成了DRAM芯片、NADA Flash芯片、特殊存儲器三個相對獨立的市場。 然而，隨著摩爾定律的延伸，技術(shù)需求也越來越高，傳統(tǒng)存儲芯片
2020-12-06 06:57:004266 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:294696 
最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 云存儲中的￠eph分布式文件系統(tǒng)以其開原性和提供統(tǒng)一存儲能力的特點在企業(yè)和科研領(lǐng)域得到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。 CRUSH算法是eph分布式文件系統(tǒng)中的偽隨機數(shù)據(jù)分布算法·能實現(xiàn)在異構(gòu)大規(guī)模層級結(jié)構(gòu)化存儲
2021-03-31 10:46:3413 1、什么是堆疊設(shè)計也稱作系統(tǒng)設(shè)計，根據(jù)產(chǎn)品規(guī)劃，產(chǎn)品定義的要求，為實現(xiàn)一定的功能，設(shè)計出合理可靠的具備可量產(chǎn)性的PCB及其周邊元器件擺放的一種方案。2、堆疊工程師一般由結(jié)構(gòu)工程師進行堆疊，有些公司
2021-11-07 10:36:0019 有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有
2022-11-02 11:31:271096 
β DRAM 產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗 LPDDR5X 移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒 8.5Gb。該節(jié)點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應(yīng)用，基于 1β 節(jié)點的
2022-11-02 11:50:511703 β DRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內(nèi)存上采用該新一代制程技術(shù)，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節(jié)點在性能
2022-11-02 17:27:481537 DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:4810600 
內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商美光科技（Micron Technology Inc.）宣布，其采用全球最先進技術(shù)節(jié)點的1βDRAM產(chǎn)品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。
2023-02-01 16:13:053032 槽（Deep Tench）式存儲單元和堆疊（Slack）式電容存儲單元。 70nm 技術(shù)節(jié)點后，堆疊式電容存儲單元逐漸成為業(yè)界主流。為了使系統(tǒng)向更高速、高密度、低功耗不斷優(yōu)化，DRAM存儲單元也在不斷微縮（如14nm 工藝節(jié)點）。
2023-02-08 10:14:5712490 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391354 
傳感器節(jié)點是一種微型嵌入式設(shè)備，要求它的價格低、功耗小，這些限制必然導(dǎo)致其攜帶的處理器能力比較弱、存儲器容量比較小。為了完成各種任務(wù)，傳感器節(jié)點需要完成監(jiān)測數(shù)據(jù)的采集和轉(zhuǎn)換、數(shù)據(jù)的管理和處理、應(yīng)答
2023-03-24 11:02:371199 
硅基全彩堆疊結(jié)構(gòu)正在成為Micro LED的一條新技術(shù)路線。
2023-07-14 14:09:311092 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:035687 芯片技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用概要，用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備、芯片堆棧結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)。該芯片的堆疊結(jié)構(gòu)至少包括兩個堆疊的芯片，每一個芯片包括電線層，電線層設(shè)有電具組。
2023-08-09 10:13:422753 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:023358 在下面的圖中較為詳細的顯示了堆疊式DRAM單元STI和阱區(qū)形成工藝。下圖(a)為AA層版圖，虛線表示橫截面位置。
2023-09-04 09:32:376531 
本文將介紹芯片設(shè)計中動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的相關(guān)知識，包括其工作原理、分類以及在現(xiàn)代電子設(shè)備中的應(yīng)用。
2023-10-23 10:07:347663 在全球半導(dǎo)體技術(shù)的激烈競爭中，SK海力士再次展示了其卓越的研發(fā)實力與創(chuàng)新能力。近日，在美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技術(shù)領(lǐng)域的最新研究成果，其中5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一突破性的進展引起了業(yè)界的廣泛關(guān)注。
2024-06-27 10:50:221473 今天我們來聊聊在計算機領(lǐng)域中非常關(guān)鍵的技術(shù)——DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理。
2024-07-26 11:40:184492 
如果內(nèi)存是一個巨大的矩陣，那么DRAM芯片就是這個矩陣的實體化。如下圖所示，一個DRAM芯片包含了8個array，每個array擁有1024行和256列的存儲單元。
2024-07-26 11:41:302710 
DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，是現(xiàn)代計算機系統(tǒng)中不可或缺的內(nèi)存組件。其基本單元的設(shè)計簡潔而高效，主要由一個晶體管（MOSFET）和一個電容組成，這一組合使得DRAM能夠在保持成本效益的同時，實現(xiàn)高速的數(shù)據(jù)存取。
2024-09-10 14:42:493256 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機存儲器，是一種半導(dǎo)體存儲器，用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單元組成，每個存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 PSRAM（偽靜態(tài)隨機存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨特的設(shè)計使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04502 DRAM 被組織成層次化的陣列，總共由數(shù)十億個 DRAM 單元組成，每個單元存儲一位數(shù)據(jù)。
2025-12-26 15:10:02690 
? ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）邊緣AI需要更快更大容量的存儲，為了突破接口速率、物理距離等因素，適用于AI推理的新型存儲技術(shù)受到更多的關(guān)注。華邦電子的CUBE、兆易創(chuàng)新的堆疊存儲，以及北京君
2025-09-08 06:05:0011622 
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