英特爾：今年年中是高性能 10nm 的節(jié)點(diǎn)

目前在幾乎所有的半導(dǎo)體廠商普及7nm，部分甚至進(jìn)入5nm工藝的時(shí)候，英特爾仍然打磨自家的14nm工藝，當(dāng)然打磨了之后還是有成果的，那就是頻率已經(jīng)突破天際...

2020-05-28 標(biāo)簽：intel酷睿EUV 5.2k 0

中芯國(guó)際表示深圳工廠進(jìn)口光刻機(jī)不是EUV光刻機(jī)

據(jù)中國(guó)證券報(bào)報(bào)道，3月6日下午從中芯國(guó)際獲悉，日前中芯國(guó)際深圳工廠從荷蘭進(jìn)口了一臺(tái)大型光刻機(jī)，但這是設(shè)備正常導(dǎo)入，用于產(chǎn)能擴(kuò)充，并非外界所稱的EUV光刻機(jī)。

2020-03-07 標(biāo)簽：中芯國(guó)際光刻機(jī)EUV 5.2k 0

荷蘭巨頭1nm光刻機(jī)迎新突破，預(yù)計(jì)會(huì)在2022年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化

? ? 11月30日最新報(bào)道，近日荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥（ASML）又送來一則好消息，該司已經(jīng)與比利時(shí)半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)IMEC共同完成了1nm光刻機(jī)的設(shè)計(jì)工...

2020-12-09 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUVASML 5.1k 0

三星3納米芯片面積比5納米縮小35%以上

三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕近日參觀正在開發(fā)“全球第一個(gè)3納米級(jí)半導(dǎo)體工藝”的韓國(guó)京畿道華城半導(dǎo)體工廠，并聽取了關(guān)于3納米工藝技術(shù)的報(bào)告，他還與三星電子半導(dǎo)體部...

2020-01-06 標(biāo)簽：三星電子euv 5.1k 0

摩爾定律的三種發(fā)展方向，EUV制程技術(shù)勢(shì)在必行

從2017到2018年，全球IC制造產(chǎn)業(yè)資本投資規(guī)模達(dá)到高峰，近兩年總投資均超過920億美元規(guī)模。目前中國(guó)臺(tái)灣IC制造產(chǎn)業(yè)仍以晶圓代工貢獻(xiàn)最主要產(chǎn)值，隨...

2018-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體ic臺(tái)積電 5.1k 0

國(guó)產(chǎn)光刻膠市場(chǎng)前景 國(guó)內(nèi)廠商迎來發(fā)展良機(jī)

半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF ...

2022-11-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV光刻膠 5.1k 0

半導(dǎo)體細(xì)微化技術(shù)陷入瓶頸 EUV成救星

半導(dǎo)體細(xì)微化（Scaling）是目前半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的話題之一。隨著DRAM等的芯片元器件在內(nèi)的大部分電子元器件和存儲(chǔ)單元趨于超小型化，對(duì)于高度集成技術(shù)...

2019-10-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體EUV 5.1k 0

2018-11-01 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 5k 0

什么是EUV***？

需要明確什么是EUV光刻機(jī)。它是一種采用極紫外線光源進(jìn)行曝光的設(shè)備。與傳統(tǒng)的ArF光刻機(jī)相比，EUV光刻機(jī)可以將曝光分辨率提高到7納米以下的超高級(jí)別，從...

2023-05-22 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV7nm芯片 5k 0

ASML一騎絕塵，EUV光刻機(jī)出貨過半！國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展提速！

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李彎彎）半導(dǎo)體設(shè)備廠商目前的銷售情況如何？今年以來，芯片產(chǎn)能不足之下全球各地加快建廠擴(kuò)產(chǎn)，這帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備廠商銷售持續(xù)高增長(zhǎng)。近日...

2021-10-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻機(jī)EUV 4.9k 0

為何EUV光刻機(jī)會(huì)這么耗電呢

EUV（極紫外光）光刻機(jī)，是目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已投入規(guī)模生產(chǎn)使用的最先進(jìn)光刻機(jī)類型。近來，有不少消息都指出，EUV光刻機(jī)耗電量非常大，甚至它還成為困擾臺(tái)積電...

2021-02-14 標(biāo)簽：晶圓光刻機(jī)EUV 4.9k 0

全球三大晶圓代工廠今年將導(dǎo)入極紫外光微影技術(shù) 家登EUV光罩盒將大出貨

全球三大晶圓代工廠臺(tái)積電、英特爾、三星，最快將在2019年導(dǎo)入極紫外光微影技術(shù)（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的業(yè)者只有兩家，家登是其中...

2019-01-03 標(biāo)簽：臺(tái)積電晶圓EUV 4.9k 0

中芯國(guó)際CEO趙海軍：EUV將在7nm形成主流 專注生產(chǎn)大技術(shù)

中芯國(guó)際CEO趙海軍表示，摩爾定律現(xiàn)在還在繼續(xù)發(fā)展，EUV將在7nm形成主流，EUV變化非常大，很多環(huán)節(jié)都要重新開始，變化來的太快。28納米工藝如果到7...

2017-09-18 標(biāo)簽：芯片中芯國(guó)際EUV 4.9k 0

ASML放棄EUV光罩防塵薄膜研發(fā)并技轉(zhuǎn)日本三井化學(xué)

ASML將中斷EUV Pellicle（光罩防塵薄膜）技術(shù)的研發(fā)，并將該技術(shù)轉(zhuǎn)讓與日本。

2019-06-09 標(biāo)簽：EUVASML 4.9k 0

半導(dǎo)體技術(shù)微縮，新材料、材料純度和污染控制扮演重要角色

然而，真正讓芯片效能提升的關(guān)鍵，并非只是晶體管越做越小，也可以用 3D 制程取代 2D，或是導(dǎo)入新材料來提升性能，像是 1997 年 IBM 在半導(dǎo)體制...

2019-04-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓EUV 4.8k 0

全球第一家！臺(tái)積電官宣2nm工藝！

這幾年，雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩，但是在半導(dǎo)體工藝上，幾大巨頭卻是殺得興起。Intel終于進(jìn)入10nm工藝時(shí)代并將在后年轉(zhuǎn)入7nm，臺(tái)積電、...

2019-06-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體臺(tái)積電晶體管 4.8k 0

臺(tái)積電張忠謀細(xì)數(shù)半導(dǎo)體十大發(fā)明

臺(tái)積電(2330)創(chuàng)辦人張忠謀今在國(guó)際半導(dǎo)體展(SEMICON TAIWAN)IC60大師論壇，以《半導(dǎo)體業(yè)的重要?jiǎng)?chuàng)新看半導(dǎo)體公司的盛衰》為題，指出晶圓...

2018-09-06 標(biāo)簽：臺(tái)積電AIEUV 4.8k 0

臺(tái)積電EUV設(shè)備明年將超50臺(tái) 劍橋大學(xué)繼續(xù)和華為進(jìn)行5G合作

據(jù)臺(tái)灣媒體消息，全年臺(tái)積電已向ASML下單量約15-16臺(tái)，而2021年至少13臺(tái)，估計(jì)全年需求約可達(dá)16-17臺(tái)。臺(tái)積電在先進(jìn)制程的優(yōu)勢(shì)逐漸擴(kuò)大，與研...

2020-11-16 標(biāo)簽：臺(tái)積電華為EUV 4.8k 0